1.一种高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离。
2.根据权利要求1所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K介质循环单元包括ZrxO1-x层及AlyO1-y层，其中，0<x<1，0<y<1，且所述ZrxO1-x层的K值为20-30，所述AlyO1-y层的K值为5-10，所述高K介质循环结构包括10-200个所述高K介质循环单元。
3.根据权利要求2所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K介质循环单元选自ZrxO1-x/AlyO1-y/ZrxO1-x叠层结构、AlyO1-y/ZrxO1-x/AlyO1-y/ZrxO1-x/AlyO1-y叠层结构、ZrxO1-x/AlyO1-y/ZrxO1-x/AlyO1-y叠层结构及AlyO1-y/ZrxO1-x/AlyO1-y/ZrxO1-x叠层结构中的任意一种或任意两种以上的组合。
4.根据权利要求3所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述叠层结构中，每一层ZrxO1-x层的厚度范围是1-10nm，每一层AlyO1-y层的厚度范围是1-10nm。
5.根据权利要求2所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述漏电流阻挡层的材质包括氧化硅，所述漏电流阻挡层的厚度范围是0.1-3nm，并且所述漏电流阻挡层的厚度小于所述高K介质循环单元中单层ZrxO1-x层及单层AlyO1-y层的厚度。
6.根据权利要求1所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K循环介质单元中掺杂有氮化硅及氮氧化硅中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K介质膜层结构更包括一第一粘附层及一第二粘附层，所述第一粘附层连接于位于顶层的高K介质循环结构上方，用于与电容器的上极板连接；所述第二粘附层连接于位于底层的高K介质循环结构下方，用于与电容器的下极板连接。
8.根据权利要求7所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述第一粘附层包括氧化硅层、氧化铝层及氧化钛层中的任意一种或任意两种以上的组合；所述第二粘附层包括氧化硅层、氧化铝层及氧化钛层中的任意一种或任意两种以上的组合。
9.根据权利要求7所述的高K介质膜层结构，其特征在于：所述漏电流阻挡层更形成于所述第一粘附层与位于顶层的高K介质循环结构之间，同时也形成于所述第二粘附层与位于底层的高K介质循环结构之间；或者所述漏电流阻挡层更形成于所述第一粘附层与位于顶层的高K介质循环结构之间，但未形成于所述第二粘附层与位于底层的高K介质循环结构之间；或者所述漏电流阻挡层更形成于所述第二粘附层与位于底层的高K介质循环结构之间，但未形成于所述第一粘附层与位于顶层的高K介质循环结构之间。
10.一种电容器，其特征在于：所述电容器包括如权利要求1-9任意一项所述的高K介质膜层结构。
11.根据权利要求10所述的电容器，其特征在于：所述电容器用于动态随机存取存储器中，与所述动态随机存取存储器中的晶体管连接，以存储电荷；所述电容器包括上极板、下极板以及形成于所述上极板与下极板之间的所述高K介质膜层结构，其中，所述上极板上连接有上电极，所述下极板下连接有下电极。
12.根据权利要求11所述的电容器，其特征在于：所述下极板至少有一个剖面为U型，所述高K介质膜层结构及所述上极板的相应剖面均为M型，构成双面电容器结构。
13.一种高K介质膜层结构的制造方法，其特征在于：所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离；所述高K介质循环单元包括ZrxO1-x层及AlyO1-y层，其中，0<x<1，0<y<1，且所述ZrxO1-x层的K值为20-30，所述AlyO1-y层的K值为5-10；其中，在所述ZrxO1-x层或AlyO1-y层的形成过程中，采用包含O3的氧源，且O3的浓度为100-1000g/Nm3，O3处理时间为5-400s。