技术总结
本发明提供一种高K介质膜层结构及应用与制造方法，所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离。本发明的高K介质膜层结构采用高K介质循环结构‑漏电流阻挡层‑高K介质循环结构的复合结构，不仅可以利用多组高K介质循环结构获得更大的电荷储存容量，还可以有效降低漏电流。采用所述高K介质膜层结构的电容器具有更高的电容及更小的漏电流，有利于动态随机存取存储器刷新频率的降低，并提高动态随机存取存储器的数据保存能力。本发明的高K介质膜层结构的制造方法可以提高氧化效率，并且反应腔中的氧化副产物更容易被清除。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：合肥智聚集成电路有限公司
文档号码：201710102253
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2017.06.09