技术特征：
技术总结
本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个结构，相邻的所述结构之间具有凹槽，所述结构包括栅极部分和位于所述栅极部分上的第一掩膜层；在所述凹槽中填充第一电介质层；至少去除所述第一掩膜层顶部中间区域的部分厚度，所述第一掩膜层顶部边缘区域高于所述第一掩膜层顶部中央区域；形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一掩膜层和第一电介质层；进行选择性刻蚀，去除部分所述第一电介质层和部分所述第二电介质层。本发明提供的方法可以增加接触孔的可靠性，从而提高器件的性能。
技术研发人员：郑二虎;方振
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2018.09.07