1.一种基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～5000 nm，高度为10～5000 nm。
2.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构的图形是具有周期结构的半球形、圆锥形、金字塔形或三角形中的一种。
3.根据权利要求2所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构的图形排列方式为正方晶格、三角晶格或蜂窝晶格中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述荧光胶层的材料为荧光粉和硅胶的混合体或量子点中的一种。
5.根据权利要求4所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述荧光粉和硅胶的混合体，其中荧光粉的含量占总体的1%～20%。
6.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构采用纳米压印技术制备。