一种基于芯片级封装的发光二极管的制作方法

文档序号:12478413阅读:349来源:国知局
一种基于芯片级封装的发光二极管的制作方法与工艺

本发明涉及半导体光电子领域,特别涉及一种基于芯片级封装的发光二极管。



背景技术:

LED以长寿命、抗震、高效、对光源良好的控制能力等优点普遍应用于各个领域,比如:汽车电子、交通信号灯、背光源、建筑照明、装饰等。

基于倒装结构的芯片级封装(CSP)技术采用喷涂荧光粉工艺,CSP封装后尺寸不超过原芯片面积的1.2倍,仅有传统LED封装尺寸的五分之一左右,打破了传统光源尺寸给设计带来的限制,具有集成度高、体积小、成本低等优势。在性能上,由于CSP的小发光面、高光密特性,易于光学指向性控制;利用倒装芯片的电极设计,使其电流分配更加均衡,适合更大电流驱动,从而有利于制作大功率LED;在工艺上,蓝宝石使荧光粉与芯片MQW区的距离增加,荧光粉温度更低,白光转换效率也更高。

目前,基于芯片级封装的发光二极管,如图2所示,包括自下而上依次设置的倒装LED芯片201、荧光胶层202和透明介质层203,这种结构的发光二极管不能使原来发生全发射的光线全部出射,进而LED芯片的发光效率低。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是提供一种基于芯片级封装的发光二极管,通过在芯片级封装LED的表面制作周期性纳米图形结构,能够有效地提高LED芯片的发光效率和亮度。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种基于芯片级封装的发光二极管,其创新点在于:包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构;所述周期性纳米图形结构的周期为10~5000 nm,高度为10~5000 nm。

进一步地,所述周期性纳米图形结构的图形是具有周期结构的半球形、圆锥形、金字塔形或三角形中的一种。

进一步地,所述周期性纳米图形结构的图形排列方式为正方晶格、三角晶格或蜂窝晶格中的一种。

进一步地,所述荧光胶层的材料为荧光粉和硅胶的混合体或量子点中的一种。

进一步地,所述荧光粉和硅胶的混合体,其中荧光粉的含量占总体的1%~20%。

进一步地,所述周期性纳米图形结构采用纳米压印技术制备。

本发明的优点在于:

(1)本发明基于芯片级封装的发光二极管,采用在发光源的出光面上制作周期性纳米图形结构,通过调整纳米图形的周期和高度,能够增加LED芯片出射光的透过率,从而能够有效地提高LED的发光效率和亮度;

(2)本发明基于芯片级封装的发光二极管,采用纳米压印技术直接进行纳米图形结果的制作,产量高,生产成本低,适于大规模工业化生产。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1为本发明基于芯片级封装的发光二极管的断面结构示意图。其中数字的含义为:倒装LED芯片101、荧光胶层102、透明介质层103、透明介质层上的纳米图形结构104。

图2为传统的芯片级封装LED的断面结构示意图。其中数字的含义为:倒装LED芯片201、荧光胶层202、透明介质层203。

图3为实施例中正方晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。

图4为实施例中三角晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。

图5为实施例中蜂窝晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。

图6为利用ANSYS软件模拟的采用周期型纳米结构提高光提取效率的仿真结果图。

具体实施方式

下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

实施例

本实施例基于芯片级封装的发光二极管,如图1所示,包括自下而上依次设置的倒装LED芯片101、荧光胶层102、透明介质层103以及在透明介质层103上制备的周期性纳米图形形结构104。

作为实施例,更具体的实施方式为倒装LED芯片为蓝光LED,

荧光层102为荧光粉与硅胶的混合体,其中荧光粉的含量占总体的1%~10%;透明介质层103材料为硅胶,折射率n为1.54,厚度为50 μm;周期性纳米图形结构104采用纳米压印技术制备,制备出周期性的半球形,纳米图形结构周期为400 nm,高度为200 nm。

实施例中的纳米图形结构周期不局限为400 nm,高度不局限为200 nm,周期性纳米图形结构的周期可在10~5000 nm,高度在10~5000 nm。

实施例中周期性纳米半球形的排列方式,可以采用如图3所示的正方晶格排列方式,或采用如图4所示的三角晶格排列方式,也可采用如图5所示的蜂窝晶格排列方式。

对本实施例中高度为400 nm,周期为800 nm的半球形周期性增透结构进行仿真模拟,如图6所示,为采用ANSYS软件模拟的采用周期型纳米结构提高光提取效率的仿真结果图。从图中可以明显的看出,采用纳米周期结构的CSP封装芯片比传统的CSP芯片光提取效率增加了6%。仿真结果表明,在CSP表面制作周期性纳米结构,能有效地提高LED芯片的光提取效率。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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