1.一种可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其特征在于：包括巴条、A1N陶瓷基板、无氧铜热沉、一对支撑陶瓷、负极引出陶瓷、正极引线、负极过渡金线及负极引线；所述的巴条的P面上设有多个发光单元，且所述的多个发光单元之间分别设有芯片绝缘槽，使每个所述的发光单元相互独立；所述的A1N陶瓷基板的两侧分别设有金属层，其中一侧的金属层为带有绝缘槽的金属层图形，且所述的金属层图形的外层金属层为金锡合金，另一侧的金属层为全部金属层区域，且所述的全部金属层区域的外层金属层为金；所述的无氧铜热沉的侧端面上设有一个热敏电阻孔，所述的无氧铜热沉的背面设有两个定位螺纹孔；所述的负极引出陶瓷的两端分别通过所述的一对支撑陶瓷设置在所述的无氧铜热沉上，所述的负极引线的一端连接在所述的负极引出陶瓷的一端，所述的巴条及A1N陶瓷基板设置在所述的无氧铜热沉上，所述的巴条通过所述的负极过渡金线与所述的负极引出陶瓷连接。
2.根据权利要求1所述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其特征在于：所述的巴条焊接在所述的AlN陶瓷上的金属层图形的前端，十条正极引线焊接在所述的AlN陶瓷上的金属层图形的后端。
3.根据权利要求1所述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其特征在于：所述的AlN陶瓷焊接在无氧铜热沉上，所述的支撑陶瓷焊接在所述的无氧铜热沉上。
4.根据权利要求1所述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其特征在于：所述的负极引出陶瓷焊接在所述的支撑陶瓷上，所述的负极引线焊接在所述的负极引出陶瓷上。
5.根据权利要求1所述的可实现发光单元独立控制的半导体激光器，其特征在于：所述的负极过渡金线通过所述的巴条的N面连接至所述的负极引出陶瓷。