1.一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成金属层；
在所述金属层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；
通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
在所述缓冲层上形成非晶硅膜层之前，所述制作方法还包括：采用第一退火工艺，在所述缓冲层上形成金属扩散层，其中，所述金属扩散层由所述金属层的金属原子扩散到所述缓冲层的上方形成；
所述通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，具体包括：采用第二退火工艺，使所述非晶硅膜层通过所述金属扩散层的催化作用转化为多晶硅膜层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述金属扩散层上形成非晶硅膜层，具体包括：
在金属扩散层上形成非晶硅薄膜；
采用干法刻蚀，使所述非晶硅薄膜形成图案化的非晶硅膜层，并同时去所述除缓冲层上第一区域以外其它区域的金属扩散层，其中，所述第一区域在所述衬底基板上的垂直投影与所述非晶硅膜层的图案在所述衬底基板上的垂直投影重叠。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，
所述在衬底基板上形成金属层，具体包括：
在衬底基板上形成图案化的金属层，其中，所述金属层的图案在所述衬底基板上的垂直投影与所述非晶硅膜层的图案在所述衬底基板上的垂直投影重叠。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，具体包括：
采用第三退火工艺，使所述金属扩散层的金属原子扩散到所述非晶硅膜层，并同时使所述非晶硅膜层通过所述金属原子的催化作用转化为多晶硅膜层。
6.如权利要求2或5所述的制作方法，其特征在于，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层之后，所述制作方法还包括，对所述多晶硅膜层的背向所述缓冲层一侧的表面进行处理，以去除所述多晶硅膜层的背向所述缓冲层一侧的部分薄膜。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成金属层之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成阻挡层。
8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法。
9.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜包括：
设置在衬底基板上的金属层；
设置在所述金属层上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上的多晶硅膜层，其中，所述多晶硅膜层由所述缓冲层上的非晶硅膜层通过金属原子的催化作用转化形成，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括如权利要求9所述的多晶硅薄膜。