技术总结
本申请实施例提供一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法，在通过金属诱导非晶硅晶化方法将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜时，可以避免需单独制作金属隔离层，同时，也可以避免金属隔离层和金属层的去除工艺，降低将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜的制作成本，简化工艺制作。本申请实施例提供的薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，包括：在衬底基板上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
技术研发人员：刘军;苏同上
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
文档号码：201710172988
技术研发日：2017.03.22
技术公布日：2017.06.20