技术特征：
技术总结
供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。
技术研发人员：荻原智明;高桥宏幸;阿部拓也;富田正彦;岩下伸也
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.10.20