1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，所述栅极设置在所述衬底上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极；
半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；
源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及
沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括：栅极缓冲层，所述栅极缓冲层设置在所述栅极以及所述衬底之间，所述栅极缓冲层包括透明导电材料。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极缓冲层以及所述沟道区保护层的材料分别包括透明导电材料，所述透明导电材料包括ITO、IGZO、IZO、GZO以及石墨烯的至少之一。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
栅极缓冲层，所述栅极缓冲层设置在所述衬底上；
栅极，所述栅极设置在所述栅极缓冲层上；
公共电极，所述公共电极设置在所述衬底上具有与所述栅极的一侧；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极以及所述公共电极；
半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；
源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及
沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合；以及
像素电极，所述像素电极设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧，所述像素电极与所述源极或所述漏极电连通。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极以及所述栅极缓冲层由同种材料形成且同层设置；
任选地，所述像素电极以及所述沟道区保护层由同种材料形成且同层设置。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4或5所述的阵列基板。
7.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极；
在所述栅极远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧形成半导体层；
在所述半导体层远离所述第一绝缘层一侧沉积形成源极和漏极；
在所述源极以及漏极远离所述半导体层的一侧形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域形成沟道区保护层，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述栅极以及所述衬底之间形成栅极缓冲层。
9.一种制备权利要求4或5所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极缓冲层以及公共电极；
在所述栅极缓冲层远离所述衬底的一侧形成栅极；
形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极以及所述公共电极；
在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧形成半导体层；
在所述半导体层远离所述第一绝缘层一侧沉积形成源极和漏极；
在所述源极以及漏极远离所述半导体层的一侧形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧形成沟道区保护层以及像素电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述公共电极以及所述栅极缓冲层同层设置且同步制备；
任选地，所述像素电极以及所述沟道区保护层同层设置且同步制备。