切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法。

背景技术：

有具备基材层、位于基材层上的粘合剂层以及位于粘合剂层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。也有具备基材层和位于基材层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。

若用切割刃切入这些薄膜的基材层，则会产生纤维状屑。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-174963号公报

专利文献2：日本特开2012-209363号公报

专利文献3：日本特开2007-63340号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

本发明的一个实施方式的目的在于，提供能够用切割的冷却液将纤维状屑洗掉的切割/芯片接合薄膜及切割/芯片接合带。本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撑层和芯片接合层。切割支撑层的熔点为60℃～100℃。由于熔点为100℃以下，因此能够用冷却液将纤维状屑洗掉。由于切割支撑层与切割刃的摩擦，能使切割支撑层熔化，能够使纤维状屑从切割支撑层脱离。切割支撑层在室温下的拉伸模量为30n/m²～100n/m²。由于拉伸模量为100n/m²以下，因此有不易发生切割/芯片接合薄膜自切割环的剥离、切割支撑层的破裂的倾向。

本发明的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合带。切割/芯片接合带包含隔膜和与隔膜接触的切割/芯片接合薄膜。

本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括对固定于切割/芯片接合薄膜的半导体晶圆进行切割的工序，和将通过对半导体晶圆进行切割的工序形成的、芯片接合前的芯片压接在被粘物上的工序。

附图说明

图1为切割/芯片接合带的俯视示意图。

图2为切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图3为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图4为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图5为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图6为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图7为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图8为变形例1中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图9为变形例2中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图10为变形例3中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图11为变形例4中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

具体实施方式

以下举出实施方式详细地对本发明进行说明，但本发明不仅限定于这些实施方式。

实施方式1

如图1所示，切割/芯片接合带1包含隔膜11和切割/芯片接合薄膜12a、12b、12c、……、12m(以下，总称为“切割/芯片接合薄膜12”。)。切割/芯片接合带1可以呈卷状。隔膜11呈带状。隔膜11为例如进行了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜等。切割/芯片接合薄膜12位于隔膜11上。切割/芯片接合薄膜12a与切割/芯片接合薄膜12b间的距离、切割/芯片接合薄膜12b与切割/芯片接合薄膜12c间的距离、……切割/芯片接合薄膜12l与切割/芯片接合薄膜12m间的距离是恒定的。切割/芯片接合薄膜12呈圆盘状。

如图2所示，切割/芯片接合薄膜12可以包含晶圆固定部12a和切割环固定部12b。切割环固定部12b位于晶圆固定部12a的周边。

切割/芯片接合薄膜12包含切割支撑层122。切割支撑层122呈圆盘状。切割支撑层122的厚度例如为50μm～150μm。切割支撑层122的两面是用与芯片接合层121接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。切割支撑层122的第1主面可以涂布有底涂剂。

切割支撑层122的熔点为100℃以下，优选为95℃以下。由于熔点为100℃以下，因此能够用冷却液将因切割而产生的纤维状屑洗掉。由于切割支撑层122与切割刃的摩擦能使切割支撑层122熔化，能够使纤维状屑从切割支撑层122脱离。切割支撑层122的熔点的下限例如为60℃、70℃、80℃。切割支撑层122的熔点可以通过下面叙述的方法来测定。从切割支撑层122切出10mmg的试样，使用差示扫描量热计(siinanotechnologyinc.制的dsc6220)，以试样10mmg、升温速度5℃/分钟、30℃～200℃的条件进行差示扫描量热测定(differentialscanningcalorimetry：dsc)，读取dsc曲线中的熔解的峰值温度。存在多个峰时，读取最初出现的熔解峰的峰值温度。

切割支撑层122在室温下的拉伸模量为100n/m²以下，优选为90n/m²以下、更优选为80n/m²以下。由于拉伸模量为100n/m²以下，因此有不易产生切割/芯片接合薄膜12自切割环的剥离、切割支撑层122的破裂的倾向。切割支撑层122在室温下的拉伸模量的下限例如为30n/m²。切割支撑层122的拉伸模量可以通过实施例中记载的方法来测定。

切割支撑层122例如为塑料薄膜，优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下，称为“eva”)薄膜。通常eva薄膜的熔点比聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜等的熔点低。即，切割支撑层122优选包含eva。

切割/芯片接合薄膜12包含芯片接合层121。芯片接合层121位于隔膜11与切割支撑层122之间。芯片接合层121呈圆盘状。芯片接合层121的厚度例如为2μm以上，优选为10μm以上。芯片接合层121的厚度例如为200μm以下，优选为150μm以下、进一步优选为100μm以下。芯片接合层121的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。芯片接合层121的第1主面与隔膜11接触。芯片接合层121的第2主面与切割支撑层122接触。

芯片接合层121包含树脂成分。作为树脂成分，可列举出：热塑性树脂、热固性树脂等。作为热塑性树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂。

作为丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出：以具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。

另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其它单体，没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等之类的含羧基单体、马来酸酐或衣康酸酐等之类的酸酐单体、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己酯)-甲酯等之类的含羟基单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、基(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺酸基单体、或2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等之类的含磷酸基单体。

丙烯酸类树脂中，重均分子量优选10万以上、更优选30万～300万、进一步优选50万～200万。这是因为若为所述数值范围内，则粘接性及耐热性优异。需要说明的是，重均分子量为通过gpc(凝胶渗透色谱法)进行测定并通过聚苯乙烯换算算出的值。

丙烯酸类树脂优选包含官能团。官能团例如为羟基、羧基、腈基等。优选羟基、羧基。

树脂成分100重量％中的热塑性树脂的含量优选为10重量％以上、更优选为20重量％以上。若为10重量％以上，则挠性良好。树脂成分100重量％中的热塑性树脂的含量优选为80重量％以下、更优选为70重量％以下。

作为热固性树脂，可列举出：环氧树脂、酚醛树脂等。

作为环氧树脂，不特别限定，例如可以使用双酚a型、双酚f型、双酚s型、溴化双酚a型、氢化双酚a型、双酚af型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四苯基羟基(tetraphenylol)乙烷型等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂、或乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂中特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四苯基羟基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。

环氧树脂的环氧当量优选为100g/eq.以上、更优选为120g/eq.以上。环氧树脂的环氧当量优选为1000g/eq.以下、更优选为500g/eq.以下。

需要说明的是，环氧树脂的环氧当量可以通过jisk7236-2009中规定的方法来测定。

酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂而起作用，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。

酚醛树脂的羟基当量优选为150g/eq.以上、更优选为200g/eq.以上。酚醛树脂的羟基当量优选为500g/eq.以下、更优选为300g/eq.以下。

对于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如以相对于环氧树脂成分中的环氧基每1当量，酚醛树脂中的羟基成为0.5～2.0当量的方式进行配混是适当的。更适当的是0.8～1.2当量。即，这是因为若两者的配混比例脱离所述范围，则不会进行充分的固化反应，固化物的特性变得容易劣化。

树脂成分100重量％中的环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为20重量％以上、更优选为30重量％以上。环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为90重量％以下、更优选为80重量％以下。

芯片接合层121可以包含无机填充剂。作为无机填充剂，例如可列举出：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料、碳等。其中，优选二氧化硅、氧化铝、银等，更优选二氧化硅。无机填充剂的平均粒径优选为0.001μm～1μm。填料的平均粒径可以通过以下的方法来测定。将芯片接合层121放入坩埚中，在大气气氛下、700℃下灼烧2小时使其灰化，使得到的灰分分散于纯水中并进行10分钟超声处理，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置(beckmancoulter,inc.制、“ls13320”；湿法)求出平均粒径。

芯片接合层121中的无机填充剂的含量优选为10重量％以上、更优选为20重量％以上、进一步优选为30重量％以上。芯片接合层121中的无机填充剂的含量优选为70重量％以下、更优选为60重量％以下、进一步优选为50重量％以下。

芯片接合层121除了含有前述成分以外，还可以适宜含有薄膜制造中通常使用的配混剂例如硅烷偶联剂、固化促进剂、交联剂等。

切割/芯片接合带1可以用于制造半导体装置。

如图3所示，从切割/芯片接合带1去除隔膜11，用辊93将切割环91和经加热台92加热的半导体晶圆4固定于切割/芯片接合薄膜12。在例如40℃以上、优选45℃以上、更优选50℃以上、进一步优选55℃以上的条件下固定半导体晶圆4。在例如80℃以下、优选70℃以下的条件下固定半导体晶圆4。压力例如为1×10⁵pa～1×10⁷pa。辊速度例如为10mm/秒。作为半导体晶圆4，可列举出：硅晶圆、碳化硅晶圆、化合物半导体晶圆等。作为化合物半导体晶圆，可列举出氮化镓晶圆等。

如图4所示，层叠体2包含切割/芯片接合薄膜12、固定于晶圆固定部12a的半导体晶圆4、以及固定于切割环固定部12b的切割环91。

如图5所示，边向半导体晶圆4喷送冷却液边用切割刃切断半导体晶圆4。切割刃达到基材层122。芯片接合前的芯片5包含半导体芯片41和位于半导体芯片41上的切割后芯片接合层121。半导体芯片41具有电极垫。

用针顶起芯片接合前的芯片5，拾取芯片接合前的芯片5。

如图6所示，将芯片接合前的芯片5压接在被粘物6上。以例如80℃以上、优选90℃以上进行压接。以例如150℃以下、优选130℃以下进行压接。被粘物6例如为引线框、中介层、tab薄膜、半导体芯片等。被粘物6具有端子部。

在加压气氛下对带半导体芯片41的且带切割后的芯片接合层121的被粘物6进行加热，由此使切割后的芯片接合层121固化。加压气氛例如为0.5kg/cm²(4.9×10^-2mpa)以上、优选为1kg/cm²(9.8×10^-2mpa)以上、更优选为5kg/cm²(4.9×10^-1mpa)以上。以例如120℃以上、优选150℃以上、更优选170℃以上进行加热。上限例如为260℃、200℃、180℃等。

如图7所示，以焊接线7将半导体芯片41的电极垫和被粘物6的端子部电连接，用封装树脂8封装半导体芯片41。

通过以上的方法得到的半导体装置包含半导体芯片41、被粘物6和切割后的芯片接合层121。切割后的芯片接合层121连接着半导体芯片41和被粘物6。半导体装置还包含覆盖半导体芯片41的封装树脂8。

如上所述，半导体装置的制造方法可以包括从切割/芯片接合带1去除隔膜11的工序。制造方法可以包括将切割环91和半导体晶圆4固定于切割/芯片接合薄膜12的工序。制造方法可以包括对固定于切割/芯片接合薄膜12的半导体晶圆4进行切割的工序。制造方法可以包括将通过对半导体晶圆4进行切割的工序而形成的芯片接合前的芯片5压接在被粘物6上的工序。

变形例1

如图8所示，芯片接合层121包含第1层1211和第2层1212。第1层1211呈圆盘状。第1层1211的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面定义的。第1层1211的第1主面与隔膜11接触。第1层1211的第2主面与第2层1212接触。第2层1212呈圆盘状。第2层1212的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。第2层1212的第1主面与第1层1211接触。第2层1212的第2主面与基材层122接触。

第1层1211优选具有粘合性。构成第2层1212的粘合剂可以使用1种或组合使用2种以上例如丙烯酸系、橡胶系、乙烯基烷基醚系、有机硅系、聚酯系、聚酰胺系、氨基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的粘合剂。优选丙烯酸系粘合剂。第2层1212的组成/物性可以与第1层1211的组成/物性不同。第2层1212的组成/物性的适宜的例子适用实施例1的芯片接合层121的例子。

变形例2

如图9所示，切割/芯片接合薄膜12包含切割环固定粘合剂部123。切割环固定粘合剂部123位于芯片接合层121的周边。切割环固定粘合剂部123不与芯片接合层121接触。切割环固定粘合剂部123呈例如环板状。切割环固定粘合剂部123的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。切割环固定粘合剂部123的第1主面与隔膜11接触。切割环固定粘合剂部123的第2主面与切割支撑层122接触。

构成切割环固定粘合剂部123的粘合剂可以使用1种或组合使用2种以上例如丙烯酸系、橡胶系、乙烯基烷基醚系、有机硅系、聚酯系、聚酰胺系、氨基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的粘合剂。优选丙烯酸系粘合剂。

变形例3

如图10所示，切割/芯片接合薄膜12包含切割环固定粘合剂部124。切割环固定粘合剂部124位于隔膜11与芯片接合层121之间。切割环固定粘合剂部124呈例如环状板状。切割环固定粘合剂部124的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。切割环固定粘合剂部124的第1主面与隔膜11接触。切割环固定粘合剂部124的第2主面与芯片接合层121接触。

构成切割环固定粘合剂部124的粘合剂可以使用1种或组合使用2种以上例如丙烯酸系、橡胶系、乙烯基烷基醚系、有机硅系、聚酯系、聚酰胺系、氨基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的粘合剂。优选丙烯酸系粘合剂。

变形例4

如图11所示，切割支撑层122包含基材层1221和粘合剂层1222。基材层1221呈圆盘状。基材层1221的两面是用与粘合剂层1222接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。粘合剂层1222呈圆盘状。粘合剂层1222的两面是用与芯片接合层121接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。粘合剂层1222的第2主面与基材层1221接触。

基材层1221例如为塑料薄膜，优选为eva薄膜。即、基材层1221优选包含eva。

构成粘合剂层1222的粘合剂可以使用1种或组合使用2种以上例如丙烯酸系、橡胶系、乙烯基烷基醚系、有机硅系、聚酯系、聚酰胺系、氨基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的粘合剂。优选丙烯酸系粘合剂。

[实施例]

以下，用实施例详细地对本发明进行说明，但本发明只要不超出主旨就不限定于以下的实施例。

粘接剂层的制作

将丙烯酸类聚合物48重量份(nagasechemtexcorporation制的sg-70l)、环氧树脂6重量份(东都化成株式会社制的ki-3000)、酚醛树脂6重量份(meiwakaseico.ltd.制的meh7851-ss)、二氧化硅填料40重量份(admatechsco.,ltd.制的se-2050-mcv(平均一次粒径0.5μm))溶解于甲乙酮，由此制作固成分20wt％的清漆。将清漆涂布在隔膜(进行了有机硅处理的pet薄膜)上，在130℃下干燥2分钟，得到厚度20μm的粘接剂层。

粘合剂层的制作

将丙烯酸类聚合物(nagasechemtexcorporation制的sg-708-6)溶解于甲乙酮，由此制作固成分20wt％的清漆。将清漆涂布在隔膜(进行了有机硅处理的pet薄膜)上，在130℃下干燥2分钟，得到厚度30μm的粘合剂层。

实施例1中的切割/芯片接合薄膜的制作

以60℃、10mm/秒在eva薄膜1(厚度100μm)上层叠粘接剂层，由此得到实施例1的切割/芯片接合薄膜。实施例1的切割/芯片接合薄膜具有eva薄膜1和位于eva薄膜1上的粘接剂层。

实施例2中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用eva薄膜2(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到实施例2的切割/芯片接合薄膜。

实施例3中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用eva薄膜3(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到实施例3的切割/芯片接合薄膜。

实施例4中的切割/芯片接合薄膜的制作

以60℃、10mm/秒在粘接剂层上层叠粘合剂层，以60℃、10mm/秒在粘合剂层上层叠eva薄膜3，由此得到实施例4的切割/芯片接合薄膜。实施例4的切割/芯片接合薄膜具有由eva薄膜3和粘合剂层构成的粘合薄膜。实施例4的切割/芯片接合薄膜还具有粘接剂层。粘合剂层位于粘接剂层和eva薄膜3之间。

比较例1中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用离聚物薄膜(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到比较例1的切割/芯片接合薄膜。

比较例2中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用聚丙烯系薄膜1(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到比较例2的切割/芯片接合薄膜。

比较例3中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用聚丙烯系薄膜2(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到比较例3的切割/芯片接合薄膜。

比较例4中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到比较例4的切割/芯片接合薄膜。

比较例5中的切割/芯片接合薄膜的制作

使用聚乙烯薄膜(厚度100μm)代替eva薄膜1，除此以外，通过与实施例1相同的方法得到比较例5的切割/芯片接合薄膜。

定义

将eva薄膜1～3、离聚物薄膜、聚丙烯系薄膜1～2、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜统称为“基材薄膜”。

基材薄膜的熔点的测定实施例1～3·比较例1～5

从基材薄膜切出10mmg的试样。使用差示扫描量热计(siinanotechnologyinc.制的dsc6220)，以试样10mmg、升温速度5℃/分钟在30℃到200℃进行差示扫描量热测定。读取dsc曲线中的熔解峰温度。将结果示于表1。

粘合薄膜的熔点的测定实施例4

从粘合薄膜切出10mmg的试样。使用差示扫描量热计(siinanotechnologyinc.制的dsc6220)，以试样10mmg、升温速度5℃/分钟在30℃到200℃进行差示扫描量热测定。由于dsc曲线中存在多个峰，因此读取最初出现的熔解峰的峰值温度。将结果示于表1。

基材薄膜的拉伸试验实施例1～3·比较例1～5

从基材薄膜切出宽度25mm、长度150mm的试样。使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制的autograph)，以室温23℃、宽度25mm、长度150mm、卡盘间距离100mm、拉伸速度300mm/分钟进行拉伸试验。将连结应力-应变曲线中的拉伸载荷1n时的点与2n时的点的直线的斜率作为拉伸模量。将拉伸模量示于表1。断裂时的伸长率也示于表1。

粘合薄膜的拉伸试验实施例4

从粘合薄膜切出宽度25mm、长度150mm的试样。使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制的autograph)，以室温23℃、宽度25mm、长度150mm、卡盘间距离100mm、拉伸速度300mm/分钟进行拉伸试验。将连结应力-应变曲线中的拉伸载荷1n时的点和2n时的点的直线的斜率作为拉伸模量。将拉伸模量示于表1。断裂时的伸长率也示于表1。

纤维状屑的评价实施例1～4·比较例1～5

将切割环和60℃的镜面晶圆(厚度100μm)固定于切割/芯片接合薄膜。使用切割装置(discoinc.制的dfd6361)，以单切割模式(singlecutmode)、刃类型z1:nbc-zh203o-se27hcdd、测杆50krpm、刃高度70μm(对基材进行切入薄膜深度30μm的设定)、切割速度30mm/秒、水量1l/分钟，形成10mm×10mm的芯片。顶起芯片，拆下10个芯片，观察基材薄膜的切割线。有长度2mm以上的纤维状屑时判定为×。没有长度2mm以上的纤维状屑时判定为○。将结果示于表1。

扩晶(expand)的评价实施例1～4·比较例1～5

将切割环和60℃的镜面晶圆(厚度100μm)固定于切割/芯片接合薄膜。使用切割装置(discoinc.制的dfd6361)，以单切割模式、刃类型z1:nbc-zh203o-se27hcdd、测杆50krpm、刃高度70μm、切割速度30mm/秒、水量1l/分钟形成10mm×10mm的芯片。使用焊接装置(shinkawaltd.制的spa-300)，以10mm扩晶保持10分钟。扩晶结束后，发生切割/芯片接合薄膜自切割环的剥离、基材薄膜撕裂中的任一者时、或强度过高从而不能扩展时判定为×。除×以外时判定为○。将结果示于表1。

[表1]