传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构与流程

本发明实施例涉及传感器封装技术领域，尤其涉及一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构。

背景技术：

传感器封装结构包括芯片、保护层和填充结构。芯片与保护层结合，芯片靠近保护层的一面布置功能电路，芯片远离保护层的一面与基板连接，基板上设置焊盘，焊盘用于提供芯片与外部电路电联接。塑封材料作为填充结构包围在基板的外围，包含焊盘的基板部分暴露在塑封材料形成的填充结构的开口中，方便电联接。

现有传感器封装结构使用的是openmolding(开口封装)封装方案，在制作传感器封装结构时，将保护层和芯片结合后，采用塑封材料形成填充结构进行封装。openmolding的封装方案在封装过程存在技术难度，工艺困难。并且在封装过程中封装材料容易产生溢料而覆盖在焊盘表面，形成的传感器封装结构很难恢复，甚至作报废处理。

技术实现要素：

本发明提供一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构，以降低封装技术难度，解决封装过程中塑封材料溢料造成封装失败的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种感器封装结构的制备方法，该方法包括：

提供芯片，所述芯片的第一表面形成有功能电路；

在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球，所述植球与所述功能电路电连接；

将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合；

在所述保护部的第一表面上方形成封装层，所述封装层包覆所述芯片；

对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘，形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。

第二方面，本发明实施例还提供了一种传感器封装结构，该传感器封装结构包括：

芯片，所述芯片的第一表面形成有功能电路，与第一表面相对设置的第二表面之上形成与功能电路电连接的植球；

保护部，所述保护部的第一表面与所述芯片的第一表面贴合；

封装层，所述封装层位于保护部的第一表面上方，所述封装层包覆所述芯片和植球；

所述封装层远离所述保护部第一表面的封装层的表面设置有焊盘，所述焊盘为所述封装层减薄后植球形成的截面，所述封装层暴露出所述焊盘。

本发明实施例提供的技术方案。先在芯片的第二表面上形成植球，在保护部的第一表面上方形成封装层，封装层包覆所述芯片，同时也包覆植球，即封装后植球埋没在封装层的塑封材料中。对远离保护部第一表面的封装层和植球进行减薄形成焊盘，形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域，相当于减薄一部分封装层和植球，并露出植球的截面形成焊盘。在塑封过程中，形成的封装层包覆芯片，降低了难度。而且在后续工艺中通过减薄封装层和植球来形成焊盘，塑封材料溢料不会对形成的焊盘造成影响，解决了塑封材料溢料导致产品报废的问题，提高封装的良率。

附图说明

图1a是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图；

图1b-图1f是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图；

图2a是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图；

图2b-图2e是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图；

图3a是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图；

图3b-图3e是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图；

图3f是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的俯视示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1a是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图，图1b-1f是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应结构的剖面示意图。本实施例可适用于形成传感器封装结构的情况，参见图1a-1f，本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法包括：

步骤110、提供芯片，芯片的第一表面形成有功能电路。

参见图1b，首先提供芯片11，芯片11包括相对的第一表面111和第二表面112，芯片11的第一表面111形成有功能电路。例如提供芯片晶元，芯片晶元可以是硅片，在芯片晶元的一侧表面上制备功能电路，可以通过在芯片晶元上沉积金属层，然后刻蚀金属层形成功能电路，进而形成芯片11。

步骤120、在芯片与第一表面相对的第二表面上形成植球，植球与功能电路电连接。

参见图1c，在芯片11与第一表面111相对的第二表面112上形成植球113，植球113与芯片11的第一表面111上的功能电路电连接，功能电路可通过第二表面112上的植球113方便与外部电路连接。

步骤130、将芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合。

示例性的，参见图1d，通过连接胶13将芯片11的第一表面111和保护部12的第一表面121贴合。也可采用其他固定的方式将芯片11和保护部12贴合，只有保证保护部12贴合于芯片11上设置有功能电路的第一表面111即可。保护部12用于保护芯片11的第一表面111的功能电路，为功能电路提供可靠保护。保护部12的第二表面(与保护部的第一表面121相对的另一侧表面)可作为传感功能表面。另外，在对传感器进行塑封过程中，塑封材料一般包覆芯片11，并与保护部12连接，通过连接胶13将芯片11和保护部12结合，可防止在塑封过程中，芯片11和保护部12移位，保证可靠封装，提高封装良率。

其中，保护部12可包括介电层，介电层的材料可以是蓝宝石、陶瓷、水晶或玻璃。介电层的厚度可以为100um-200um，例如，当介电层的材料采用陶瓷时，介电层的厚度可为100um，介电层的材料采用玻璃时，介电层的厚度可为200um。

步骤140、在保护部的第一表面上方形成封装层，封装层包覆芯片。

参见图1e，在保护部12的第一表面上方形成封装层，其中，保护部12的第一表面的上方为保护部12第一表面靠近芯片11的一侧。形成的封装层14包覆芯片11，同时，形成的封装层14也包覆植球113，植球113埋没于封装层14内。在本发明实施例中，可使用塑封模具，在贴合后的芯片11和保护部12上形成塑封结构，该塑封结构即为封装层14。

步骤150、对远离保护部第一表面的封装层和植球进行减薄形成焊盘，形成的焊盘为暴露出的植球的部分区域。

参见图1f，在形成封装层14之后，对远离保护部12第一表面的封装层14和植球113进行减薄，例如采用刀具对封装层14和植球113进行减薄，漏出植球113的截面而形成焊盘15。功能电路可以通过焊盘15连接外部电路。

继续参见图1e，在本发明实施例中，沿垂直芯片11第一表面的方向，封装层14的厚度d1为200um-600um。

在本发明实施例中，沿垂直于芯片11第一表面的方向，植球113的高度大于或等于20um。由于要减薄封装层14和植球113而形成焊盘15，即漏出的植球113的截面形成焊盘，植球113的高度要大于或者等于20um，方便形成焊盘15，如果植球113的高度小于20um，无法有效形成焊盘15，而且一般植球113的高度基本上等于植球113的半径，如果植球113的高度过小，形成的植球113的截面积较小，电阻增大，不利于信号的传输。

在现有技术中，在对传感器进行塑封封装过程中，封装层和保护层会形成一个一侧开口的收容空间，芯片位于收容空间内，一般在芯片上形成焊盘之后，对芯片进行塑封，形成的封装层上形成有开口，该开口暴露出芯片的第二表面，相应的所有焊盘也被暴露出来，只对芯片的部分区域进行塑封，塑封过程难以控制，开口封装比较困难。在塑封过程中，如果出现塑封材料溢料，将覆盖芯片上的焊盘，很难恢复，设置造成产品报废。而本发明实施例提供的技术方案，在塑封过程中，形成的封装层14包覆芯片11即可，不需要在塑封过程形成封装层14上的开口，降低了难度。而且在后续工艺中通过减薄封装层14和植球113来形成焊盘15，塑封材料溢料不会对形成的焊盘15造成影响，解决了塑封材料溢料导致产品报废的问题，提高封装的良率。形成的传感器封装结构，能够保持封装后芯片的厚度达到现有openmolding封装工艺封装形成的芯片厚度，即达到openmolding封装工艺封装的效果。

图2a是本发明实施例提供的另一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图，图2b-图2e是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图。该方法包括：

步骤210、提供芯片，芯片的第一表面形成有功能电路，芯片上形成有通孔。

参见图2b，提供芯片11，芯片11的第一表面111形成有功能电路，芯片11内形成有通孔114，芯片11上形成的通孔114分布于芯片11内，例如，可以采用硅通孔方式形成芯片11内的通孔114。

步骤220、沿垂直于芯片第一表面的方向，在芯片的第二表面上与各通孔正对的位置形成植球，其中植球通过通孔与功能电路电连接。

继续参见图2b，沿垂直于芯片11第一表面111的方向，在芯片11的第二表面112上形成植球113，形成的植球113位于通孔114的正上方，这样植球113和通孔114连接的路径较短，利于信号的传输，而且节省材料。

步骤230、将芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合。

参见图2c，将芯片11的第一表面111和保护部12的第一表面贴合。保护部12用于保护芯片11的第一表面111的功能电路，为功能电路提供可靠保护。

步骤240、在保护部的第一表面上方形成封装层，封装层包覆芯片。

参见图2d，在保护部的第一表面的上方形成封装层14，封装层包覆芯片11，植球埋没于封装层14内。

步骤250、切割和/或打磨封装层和植球，暴露出植球的部分区域以形成焊盘。

参见图2d和图2e，例如提供刀具切割封装层14和植球113，暴露出植球113的截面形成焊盘15，形成的结构如图2e所示。也可打磨封装层14和植球113，暴露出植球113的截面形成焊盘15。也可通过切割和打磨结合的方式，对封装层14和植球113进行减薄，暴露出植球113的截面形成焊盘15。

图3a是本发明实施例提供的另一种传感器封装结构的制备方法的流程示意图，图3b-图3e是本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法各步骤对应的传感器封装方法的剖面示意图。该方法包括：

步骤310、提供芯片11，芯片11的第一表面形成有功能电路，芯片11上开设有沟槽115，沟槽115内形成有通孔114。

芯片11内的通孔集中于沟槽115内，在沟槽115内形成通孔114，相对简单，可以提高形成通孔114的效率。

步骤320、在芯片11与第一表面相对的第二表面上形成植球113，植球113与设置与芯片11第一表面的功能电路电连接。

参见图3b，在芯片与第一表面相对的第二表面上形成植球113，植球113通过设置于沟槽115内的通孔与芯片11第一表面的功能电路电连接。

步骤330、将芯片11的第一表面和保护部12的第一表面贴合。

参见图3d，将芯片11的第一表面和保护部12的第一表面贴合。保护部12用于保护芯片11的第一表面111的功能电路，为功能电路提供可靠保护。

步骤340、在保护部12的第一表面上方形成封装层14，封装层14包覆芯片11。

步骤350、切割和/或打磨封装层14和植球113，暴露出植球113的部分区域以形成焊盘15。

切割和/或打磨封装层14和植球113，暴露出植球113的截面形成焊盘15。

图3f是本发明实施例提供的一种传感器封装结构的俯视示意图，图3e是与该俯视示意图对应的剖面示意图。图3f中示例性地设置有两个沟槽115，通孔114集中在沟槽115内，沟槽115的数量大于等于1，沟槽115的数量和位置可以根据传感器的结构进行调整。

本发明实施例还提供了一种传感器封装结构，该传感器封装结构可使用本发明任意实施例提供的传感器封装结构的制备方法制备而成。示例性的，参见图1f、图2e、图3e和3f，其中，图3e为图3f中沿a-a方向的剖面示意图。该传感器封装结构包括：

芯片11，芯片11的第一表面形成有功能电路，与第一表面相对设置的第二表面之上形成与功能电路电连接的植球；

保护部12，保护部12的第一表面与芯片11的第一表面贴合；

例如，保护部12的第一表面和芯片11的第一表面可通过连接胶贴合，保护部12用于保护芯片11的第一表面上的功能电路。封装层14，封装层14位于保护部12的第一表面上方，封装层14包覆芯片11和植球。

保护部12的第一表面上方为保护部靠近芯片11的一侧，封装层14和保护部12连接，封装层14和保护部12包裹芯片11。

远离保护部12第一表面的封装层14的表面设置有焊盘，焊盘为封装层14减薄后植球形成的截面，焊盘15与芯片11的第一表面上的功能电路电连接，封装层14暴露出焊盘15。

沿垂直于芯片11第一表面的方向，封装层14的最大厚度为250um，焊盘的高度为50um。

需要说明的是，图2e所示的传感器封装结构和图3e所示的传感器封装结构，是本发明实施提供的两种不同的传感器封装结构，具体可参见上述方法实施例部分对两种结构的描述。

本发明实施例提供的传感器封装结构可以是指纹传感器封装结构。

本发明实施例提供的传感器封装结构的制备方法以及传感器封装结构。能达到openmolding封装工艺封装的效果，并且降低了工艺难度，提供了生产效率。通过减薄封装层14和植球113来形成焊盘15，塑封材料溢料不会对形成的焊盘15造成影响，解决了塑封材料溢料导致产品报废的问题，提高封装的良率。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。