技术特征：
技术总结
本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在X轴方向能够连续渐变，在Y轴方向和Z轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连续变化的半导体合金薄膜，制膜速度快，工艺方便，易于实现，稳定可靠，应用范围广泛。
技术研发人员：宋海胜;邓辉;袁胜杰
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.10.13