技术特征：
技术总结
本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在衬底上依序形成第一介电层与第一导体层。在衬底、第一介电层以及第一导体层中形成第一开口与位于第一开口上的第二开口。在第一开口中形成隔离结构。在衬底上形成第二介电层，使得第二介电层共形覆盖第一导体层的顶面与第二开口的表面。对第二介电层进行热处理，以强化第二介电层与第一导体层之间的键结。进行蚀刻工艺，移除第二介电层的一部分，以暴露出隔离结构的顶面。
技术研发人员：刘重显;陈俊旭;蒋汝平
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2017.05.31
技术公布日：2018.12.11