本发明涉及一种新能源光伏晶硅电池技术，具体地说是一种ibc电池工艺制备方法。
背景技术：
太阳能光伏发电具有重大的应用前景，目前光伏行业发展趋势为提效降本，而常规结构电池的效率已无较大提升空间，高效晶硅电池成为市场研发的主流。ibc为背接触背结电池，也称叉指电池。该电池最大的特点为效率高，目前多家科研单位制备的ibc电池效率已经达到了23%，有效降低了电池的温度系数，使得ibc电池与常规电池相比具有更加优越的实际发电能力，且组件外观具有较好的一致性。
该电池是在高寿命的n型硅衬底的背面形成p+、n+扩散区，正面制备金字塔绒面来增强光的吸收，同时在正面形成前表面场（fsf），并对正、反两面沉积钝化层，最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。
然而对于选择性分区来说，目前行业内常用的适合产业化的方案为激光开槽或者印刷掩膜、刻蚀浆料的方式去除氧化层，然后进行选择性分区腐蚀；在背面金属印刷过程中，p区、n区均为抛光面，表面状态一致无反差，ccd相机无法清晰识别对准标志，造成印刷识别困难，p区、n区易错位，印刷良率为20%，并联电阻低于100ω，也就是说现有的这种方法会导致不利于后序的快速、高精度对准。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种能够有利于后序的快速、高精度对准的ibc电池工艺制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明的ibc电池工艺制备方法，包括以下步骤：
a、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um-10um，绒面反射率为9%-13%，背面抛光反射率为30%-45%；
b、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；
c、利用质量比为1%-3%的koh、质量比为3%-5%添加剂、温度为75-85℃的腐蚀液进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%-28%；
d、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成fsf；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。
所述正面绒面大小为4um，绒面反射率为10%，背面抛光反射率为45%。
采用上述的方法后，在背面金属印刷过程中，p区、n区利用绒面/抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，ccd相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，不仅可以实现金属印刷的快速识别对准标志，而且可以实现精准对准，避免了错位而带来的p区、n区之间致命的漏电风险，提高了量产良率。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，对本发明的ibc电池工艺制备方法作进一步详细说明。
本发明的ibc电池工艺制备方法，包括以下步骤：
a、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um-10um，绒面反射率为9%-13%，背面抛光反射率为30%-45%；
b、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；
c、利用碱质量比为1.5%，添加剂质量比为2%，温度为80℃的腐蚀液中进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%-28%；
d、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成fsf；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。
经过本发明的工艺方法，采用常规的激光开槽或者印刷掩膜、刻蚀浆料的方式选择性分区，然后热碱进行分区制绒腐蚀，使得p区、n区表面状态不一致，利用绒面、抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，ccd相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，这样不仅可以实现金属印刷的快速对准，而且可以实现精确对准，避免了错位而带来的p区、n区之间致命的漏电风险，提高了量产良率，经过实践证明，其印刷良率为100%，并阻高达1000ω以上。