阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

文档序号:11388157阅读:146来源:国知局
阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明的实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法以及具有该阵列基板的显示装置。



背景技术:

在显示技术领域,尤其是有机电致发光显示领域,存在对窄边框的设计需求。窄边框由于具有相对更大的显示面积和更好的显示效果,能够吸引消费者的青睐,也能够帮助提高产品的玻璃利用率。但是,窄边框在产品设计和产品的良率方面往往存在一定的技术问题。现有工艺生产中,需要对阵列基板进行检测,而为了实现窄边框和节约空间的目的,现在普遍通过引线将信号线引出到阵列基板外部进行检测,如图1所示。由于阵列基板由阵列基板母板切割形成,引线的存在则会使得切割时应力不均而造成阵列基板边缘截面的不平整,影响切割良率,阵列基板边缘截面如图2所示。



技术实现要素:

本发明至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法以及具有该阵列基板的显示装置。

本发明至少一个实施例提供一种阵列基板,包括边缘区域和位于所述边缘区域的引线,还包括衬底基板,其特征在于,在所述边缘区域设置有辅助结构,所述辅助结构和所述引线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述边缘区域的所述衬底基板。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述边缘区域的衬底基板。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影所覆盖的衬底基板的区域,与所述引线在所述衬底基板上的正投影所未覆盖的衬底基板的边缘区域重合。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线在所述衬底基板上的正投影和所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影间隔排布,所述辅助结构形成在同一层或不同层。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线和所述辅助结构材质相同,所述引线与所述辅助结构间具有绝缘层。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线和所述辅助结构厚度相同。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种同层设置且材料相同。

例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种同层设置且材料相同。

本发明至少一个实施例提供一种显示装置,其包括上述任一项所述的阵列基板。

本发明至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板由阵列基板母板在待切割区域切割形成,包括提供衬底基板母板,在所述待切割区域形成引线,其特征在于,还包括在所述待切割区域形成辅助结构,所述辅助结构和所述引线在所述衬底基板母板上的正投影覆盖所述待切割区域的衬底基板母板,在所述待切割区域切割阵列基板母板,形成具有边缘区域的如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

需要理解的是本发明的上述概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的,用于进一步说明所要求的发明。

本发明的一个或多个实施例至少具有以下有益效果:

通过设置在阵列基板边缘区域的辅助结构,使边缘区域的辅助结构和引线在衬底基板上的正投影覆盖边缘区域的衬底基板,由于切割形成此边缘区域时具有与引线的切割应力相同或相近的辅助结构,从而提高阵列基板边缘区域切割平整度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。

图1为一种对阵列基板进行检测的示意图;

图2为一种阵列基板的边缘区域的截面结构示意图;

图3为本发明一实施例提供的一种阵列基板的边缘区域的截面结构示意图;

图4为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的边缘区域的截面结构示意图;

图5为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的边缘区域的截面结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。本发明的实施例所涉及各图案的尺寸在实际产品中通常为较小量级,为了清楚起见,本发明实施例的附图中各结构的尺寸被放大,除非另有明确说明,不代表实际尺寸与比例。

在显示技术领域,尤其是有机电致发光显示领域,存在对窄边框的设计需求。窄边框由于具有相对更大的显示面积和更好的显示效果,能够吸引消费者的青睐,也能够帮助提高产品的玻璃利用率。但是,窄边框在产品设计和产品的良率方面往往存在一定的技术问题。

图1示出了一种对阵列基板1进行检测的示意图。如图1所示,现有工艺生产中,需要对阵列基板1进行检测,而为了实现窄边框和节约空间的目的,现在普遍通过显示区2外的引线将信号线引出到阵列基板1外部利用检测线3在检测板4上进行检测。图2示出了一种阵列基板1的边缘区域的截面结构示意图。如图2所示,由于阵列基板1由阵列基板母板切割形成,引线21的存在会使得切割时应力不均而造成阵列基板1边缘截面的不平整,进而影响切割良率。

本发明的实施例提供一种阵列基板1及其制备方法、显示装置,从而提高阵列基板1边缘区域切割平整度。

根据本发明一个实施例的一种阵列基板1,包括边缘区域和位于所述边缘区域的引线21,还包括衬底基板10,其特征在于,在所述边缘区域设置有辅助结构22,所述辅助结构22和所述引线21在所述衬底基板10上的正投影覆盖所述边缘区域的所述衬底基板10。

该实施例的阵列基板1通过设置在阵列基板1边缘区域的辅助结构22,使边缘区域的辅助结构22和引线21在衬底基板10上的正投影覆盖边缘区域的衬底基板10,由于切割形成此边缘区域时具有与引线21的切割应力相同或相近的辅助结构22,从而提高阵列基板1边缘区域切割平整度。

以下通过几个实施例予以说明。

实施例一

图3示出了本实施例提供的一种阵列基板1的边缘区域的截面结构示意图。需要说明的是,图3仅示出阵列基板1相关结构的一部分以便更清楚的说明。

如图3所示,本实施例的阵列基板1,包括边缘区域和位于边缘区域的引线21,还包括衬底基板10,其特征在于,在边缘区域设置有辅助结构22,辅助结构22在衬底基板10上的正投影覆盖边缘区域的衬底基板10。由于切割形成此边缘区域时具有与引线21的切割应力相同或相近的辅助结构22,从而提高阵列基板1边缘区域切割平整度。

例如,引线21和辅助结构22可以材质相同,例如,引线21与辅助结构22可以均为金属且之间具有绝缘层,例如,绝缘层可以是栅极绝缘层11。例如,引线21和辅助结构22也可以材质不同,例如,引线21为金属,辅助结构22为其他切割应力相同或相近的绝缘材质。只需要引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21和辅助结构22可以厚度相同,以使得引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近。例如,引线21和辅助结构22也可以厚度不同,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21可以与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种同层设置且材料相同,例如,同层设置且材料相同可以是由同一工艺形成。例如,引线21也可以与其他需要检测的信号线相连,本发明的实施例对此不做限制。

例如,辅助结构22可以与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种同层设置且材料相同,例如,同层设置且材料相同可以是由同一工艺形成,以避免增加额外的工艺。例如,辅助结构22也可以与其他膜层同层设置且材料相同。例如,辅助结构22也可以不与任一其他膜层同层设置且材料相同,本发明的实施例对此不做限制。

下面将说明上述实施例的制备方法。

该阵列基板1由阵列基板母板在待切割区域切割形成,包括提供衬底基板10母板,在待切割区域形成引线21,其特征在于,还包括在待切割区域形成辅助结构22,辅助结构22在衬底基板10母板上的正投影覆盖待切割区域的衬底基板10母板,在待切割区域切割阵列基板母板,形成具有边缘区域的阵列基板1。

例如,引线21和辅助结构22可以采用相同材质形成,例如,引线21与辅助结构22可以均采用金属形成且之间形成绝缘层,例如,绝缘层可以是栅极绝缘层11。例如,引线21和辅助结构22也可以采用不同材质形成,例如,引线21由金属形成,辅助结构22由其他切割应力相同或相近的绝缘材质形成。只需要引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21和辅助结构22可以形成相同厚度,以使得引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近。例如,引线21和辅助结构22也可以形成不同厚度,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21可以与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种由同一工艺形成。例如,引线21也可以与其他需要检测的信号线由同一工艺形成,本发明的实施例对此不做限制。

例如,辅助结构22可以与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种由同一工艺形成,以避免增加额外的工艺。例如,辅助结构22也可以与其他膜层由同一工艺形成。例如,辅助结构22也可以单独形成,本发明的实施例对此不做限制。

实施例二

图4和图5示出了本实施例提供的一种阵列基板1的边缘区域的截面结构示意图。需要说明的是,图4和图5仅示出阵列基板1相关结构的一部分以便更清楚的说明。

如图4和图5所示,本实施例的阵列基板1,包括边缘区域和位于边缘区域的引线21,还包括衬底基板10,其特征在于,在边缘区域设置有辅助结构22,辅助结构22在衬底基板10上的正投影所覆盖的衬底基板10的区域,与引线21在衬底基板10上的正投影所未覆盖的衬底基板10的边缘区域重合。由于切割形成此边缘区域时具有与引线21的切割应力相同或相近的辅助结构22,从而提高阵列基板1边缘区域切割平整度。

例如,引线21在衬底基板10上的正投影和辅助结构22在衬底基板10上的正投影间隔排布。例如,辅助结构22可以为同一层,可以是如图4所示的引线21在衬底基板10与辅助结构22之间,也可以是如图5所示的辅助结构22在衬底基板10与引线21之间。例如,辅助结构22可以至少为两层,可以是引线21在衬底基板10与所有层的辅助结构22之间,也可以是所有层的辅助结构22在衬底基板10与引线21之间,还可以是不同层的辅助结构22分别位于引线21两侧。

例如,引线21和辅助结构22可以材质相同,例如,引线21与辅助结构22可以均为金属且之间具有绝缘层,例如,绝缘层可以是栅极绝缘层11。例如,引线21和辅助结构22也可以材质不同,例如,引线21为金属,辅助结构22为其他切割应力相同或相近的绝缘材质。只需要引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21和辅助结构22可以厚度相同,以使得引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近。例如,辅助结构22为至少两层时,可以是各层辅助结构22的厚度之和与引线21厚度相同。例如,引线21和辅助结构22也可以厚度不同,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21可以与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种同层设置且材料相同,例如,同层设置且材料相同可以是由同一工艺形成。例如,引线21也可以与其他需要检测的信号线相连,本发明的实施例对此不做限制。

例如,辅助结构22可以与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种同层设置且材料相同,例如,同层设置且材料相同可以是由同一工艺形成,以避免增加额外的工艺。例如,辅助结构22也可以与其他膜层同层设置且材料相同。例如,辅助结构22为至少两层时,不同层辅助结构22可以与不同膜层同层设置且材料相同,例如,不同层辅助结构均是金属时,其间可以是层间绝缘层12。例如,辅助结构22也可以不与任一其他膜层同层设置且材料相同,本发明的实施例对此不做限制。

下面将说明上述实施例的制备方法。

该阵列基板1由阵列基板母板在待切割区域切割形成,包括提供衬底基板10母板,在待切割区域形成引线21,其特征在于,还包括在待切割区域形成辅助结构22,辅助结构22在衬底基板10母板上的正投影所覆盖的衬底基板10母板的待切割区域,与引线21在衬底基板10母板上的正投影所未覆盖的衬底基板10母板的待切割区域重合,在待切割区域切割阵列基板母板,形成具有边缘区域的阵列基板1。

例如,引线21在衬底基板10上的正投影和辅助结构22在衬底基板10上的正投影形成间隔排布。例如,辅助结构22可以由同一次工艺形成在同一层,可以是先形成引线21后再形成辅助结构22,也可以是先形成辅助结构22后再形成引线21。例如,辅助结构22可以至少由两次工艺形成在至少两层,可以是先形成引线21再形成所有层的辅助结构22,也可以先形成所有层的辅助结构22再形成引线21,还可以先形成部分层的辅助结构22后形成引线21再形成部分层的辅助结构22。

例如,引线21和辅助结构22可以采用相同材质形成,例如,引线21与辅助结构22可以均采用金属形成且之间形成绝缘层,例如,绝缘层可以是栅极绝缘层11。例如,引线21和辅助结构22也可以采用不同材质形成,例如,引线21由金属形成,辅助结构22由其他切割应力相同或相近的绝缘材质形成。只需要引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21和辅助结构22可以形成相同厚度,以使得引线21和辅助结构22的切割应力相同或相近。例如,辅助结构22为形成在至少两层时,可以是各层辅助结构22的厚度之和与引线21形成相同厚度。例如,引线21和辅助结构22也可以形成不同厚度,本发明的实施例对此不做限制。

例如,引线21可以与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种由同一工艺形成。例如,引线21也可以与其他需要检测的信号线由同一工艺形成,本发明的实施例对此不做限制。

例如,辅助结构22可以与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种由同一工艺形成,以避免增加额外的工艺。例如,辅助结构22也可以与其他膜层由同一工艺形成。例如,辅助结构22为形成在至少两层,不同层辅助结构22可以与不同膜层由同一工艺形成,例如,不同层辅助结构均是金属时,其间可以是层间绝缘层12。例如,辅助结构22也可以单独形成,本发明的实施例对此不做限制。

实施例三

本实施例提供了一种显示装置,其包括上述任一实施例的阵列基板1,并且还可以包括栅极驱动电路、数据驱动电路以及电源等。该显示装置可以为显示面板、电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

需要说明的是,为表示清楚,并没有叙述该显示装置的全部结构。为实现显示装置的必要功能,本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他结构,本发明对此不做限制。

需要说明的是,阵列基板母板的待切割区域和阵列基板1的边缘区域等均是根据对应区域划分的,在阵列基板母板和阵列基板1上可能并不存在这些区域的实体界线。

对于本发明,还有以下几点需要说明:

(1)本发明实施例附图只涉及到本发明实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见,在用于描述本发明的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下,本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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