层叠体的制造方法以及层叠体与流程

本发明申请是国际申请号为pct/jp2015/054940，国际申请日为2015年2月23日，进入中国国家阶段的申请号为201580000724.9，名称为“电磁体的制造方法以及电磁体”的发明专利申请的分案申请。

本发明涉及利用层叠体形成的电磁体的制造方法及电磁体。

背景技术：

以往，公开了各种结构的电磁体以用于音圈电动机等。专利文献1中记载有包括利用层叠体来形成的电磁体的音圈电动机。

专利文献1记载的电磁体包括多层形成有平面螺旋状的线状导体的绝缘性基材。形成于层叠方向上相邻的绝缘性基材的平面螺旋状的线状导体中，螺旋的卷绕方向相反。上述卷绕方向相反的一对线状导体的内周端彼此通过贯通绝缘性基材的导体相连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开昭62-77048号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

在制造这种结构的电磁体时对绝缘性基材使用热塑性树脂的情况下，将产生如下所示的问题。图12是用于表示利用了由热塑性树脂形成的绝缘性基材的层叠型电磁体所具有的问题的剖视图。图12(a)表示热压接前的状态，图12(b)表示热压接后的状态。

首先，如图12(a)所示，在多个绝缘性基材201、202、203的表面形成有卷绕状的线状导体301、302、303。多个绝缘性基材201、202、203、204(201-204)层叠成将线状导体301、302、303分别夹入到绝缘性基材之间。

此时，将绝缘性基材201、202、203层叠，以使得在沿层叠方向观察时卷绕状的线状导体301、302、303的位置相重合。这样，将卷绕状的线状导体301、302、303的位置重合，并利用未图示的过孔导体来依次连接卷绕状的线状导体301、302、303，从而形成一个线圈。

然而，在这种结构中，在对绝缘性基材201-204进行热压接以形成层叠体20p的情况下，绝缘性基材201-204由于为热塑性而流动。

此时，形成有卷绕状的线状导体301、302、303的区域中的层叠层数(绝缘性基材的层数+线状导体的层数)比由卷绕状的线状导体301、302、303包围的区域909中的层叠层数(绝缘性基材的层数)要多。因此，若在热压接时进行单轴冲压，则对形成有卷绕状的线状导体301、302、303的区域施加的压力比对区域909施加的压力要大。此外，线状导体301、302、303在绝缘性基材溶融的温度下不会溶融。

因此，线状导体间的绝缘性基材流动到其它区域，随之，各层的线状导体间的位置关系发生变化。特别是，如图12(b)所示，在区域909附近的形成有线状导体的位置，由于层数之差，绝缘性基材的流动较大。因此，线状导体301、302、303移动，与形成于其它层的线状导体301、302、303不必要地接近，根据情况，其它层的线状导体彼此可能会短路。此外，即使在热压接时进行等静压的情况下，在区域909中出现特别大的流动、变形，随之线状导体会移动。

因此，本发明的目的在于提供一种电磁体的制造方法及电磁体，即使在将形成有卷绕形的线状导体的热塑性树脂的绝缘性基材进行层叠而成的结构下，其形状仍稳定且可靠性较高。

解决技术问题的技术方案

本发明涉及电磁体的制造方法，该电磁体通过将形成有卷绕形的线状导体且由热塑性树脂形成的多个绝缘性基材进行加热压接来形成，具有由卷绕形的线状导体构成的线圈，其具有如下特征。本发明的电磁体的制造方法具有在多个绝缘性基材形成卷绕形的线状导体的工序。电磁体的制造方法具有对于多个绝缘性基材中的至少一个，在由卷绕形的线状导体包围的区域配置低流动性构件的工序，其中，该低流动性构件在热塑性树脂的加热压接时的温度下流动性比热塑性树脂要低。电磁体的制造方法具有将多个绝缘性基材进行层叠并进行加热压接的工序。

在该制造方法中，利用低流动性构件来抑制其附近的热塑性树脂的流动，因此，可抑制加热压接时的热塑性树脂的流动导致线状导体移动。因此，各层的卷绕形的线状导体的位置关系在热压接前即从层叠状态起不易变化。由此，由卷绕形的线状导体构成的线圈的形状稳定，可获得可靠性较高的电磁体。

此外，在本发明的电磁体的制造方法中，优选为，低流动性构件由与卷绕形的线状导体相同的材质形成，将形成卷绕形的线状导体的工序和配置低流动性构件的工序同时进行。

在该制造方法中，由于可同时形成低流动性构件和线状导体，因此，可简化制造工序。此外，电磁体实质上由直流信号控制，并非由高频信号控制，因此，即使在构成线圈的卷绕形线状导体所包围的区域内设置作为导体的低流动性构件，由电磁体形成的电磁波也基本不会被低流动性构件所屏蔽。

此外，本发明的电磁体的制造方法中，优选为，构成低流动性构件的导体与设置于同一绝缘性基材的卷绕形的线状导体一体形成。

在该制造方法中，可简化制造工序，并还可抑制低流动性构件的移动。

此外，本发明的电磁体的制造方法优选为以下方法。构成低流动性构件的导体设置于多个绝缘性基材。构成设置于多个绝缘性基材的低流动性构件的多个导体通过沿层叠多个绝缘性基材的层叠方向延伸的连接导体互相连接。

在该制造方法中，还可抑制低流动性构件的移动。

此外，本发明的电磁体的制造方法中，优选为，与低流动性构件相连接的连接导体与和卷绕形的线状导体一起构成线圈的线圈用连接导体同时形成。

在该制造方法中，可进一步简化制造工序。

此外，本发明涉及电磁体，该电磁体在由形成有卷绕形的线状导体的多个热塑性树脂的绝缘性基材构成的层叠体内，形成有由卷绕形的线状导体构成且在层叠方向具有轴的线圈，其具有如下特征。本发明的电磁体中，沿层叠方向观察层叠体时，在热塑性树脂的加热压接时的温度下流动性比热塑性树脂要低的低流动性构件配置在由卷绕形的线状导体包围的区域。

在该结构下，利用低流动性构件来抑制由热塑性树脂形成的绝缘性基材的流动，因此，也可抑制卷绕形的线状导体的移动。因此，各层的卷绕形的线状导体的位置关系在热压接前即从层叠状态起不易变化。由此，由卷绕形的线状导体构成的线圈的形状稳定。

特别是，电磁体中，卷绕形的线状导体越是高密度地形成，越是小型且能产生较大转矩，但由于线状导体彼此接近，因此，容易产生短路。此外，在电磁体中，从线圈的卷绕中心到线状导体的距离越长，越能获得更大的转矩，但从线圈的卷绕中心到线状导体的距离越长，由线状导体包围的面积越大，绝缘性基材容易流动。然而，通过利用该结构，即使由线状导体包围的面积变大，也可抑制绝缘性基材的流动。即，对于电磁体的结构，本申请的结构更有效地起作用。

此外，本发明的电磁体的制造方法中，优选为，低流动性构件由与卷绕形的线状导体相同的材料形成，与设置于同一绝缘性基材的卷绕形的线状导体一体形成。

在该结构中，低流动性构件与线状导体物理连接，因此，能更可靠地抑制因绝缘性基材的流动导致线状导体及低流动性构件的移动。

此外，本发明的电磁体中，也可为，构成低流动性构件的导体设置于多个绝缘性基材，构成设置于多个绝缘性基材的低流动性构件的多个导体通过沿层叠多个绝缘性基材的层叠方向延伸的连接导体互相连接。

在该结构中，构成形成于各绝缘性基材的低流动性构件的多个导体物理连接，因此，能更可靠地抑制因绝缘性基材的流动而导致低流动性构件及线状导体的移动。

发明效果

根据本发明，在将形成有卷绕形的线状导体的热塑性树脂的绝缘性基材进行层叠而成的电磁体中，能形成形状稳定且可靠性较高的电磁体。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的电磁体的外观立体图及分解立体图。

图2是本发明的实施方式1的电磁体的侧面剖视图。

图3是表示本发明的实施方式1的电磁体的制造流程的流程图。

图4是表示本发明的实施方式1的电磁体的其它方式的侧面剖视图。

图5是本发明的实施方式2的电磁体的分解立体图。

图6是本发明的实施方式3的电磁体的分解立体图。

图7是表示利用了本发明的实施方式的电磁体的摄像头模块的结构的图。

图8是表示本发明的实施方式的摄像头模块中的永磁体和电磁体的配置部位的局部放大图。

图9是表示本发明的实施方式4的电磁体的制造方法的概念的图及通过该制造方法形成的电磁体的侧面剖视图。

图10是表示本发明的实施方式5的电磁体的制造方法的概念的图及通过该制造方法形成的电磁体的侧面剖视图。

图11是本发明的实施方式6的电磁体的分解立体图。

图12是用于表示现有的利用了由热塑性树脂形成的绝缘性基材的层叠型电磁体所具有的问题的剖视图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式1的电磁体及电磁体的制造方法进行说明。图1(a)是本发明的实施方式1的电磁体的外观立体图。图1(b)是本发明的实施方式1的电磁体的分解立体图。图2是本发明的实施方式1的电磁体的侧面剖视图。

如图1所示，电磁体10包括长方体形状的层叠体20。层叠体20将多个绝缘性基材201、202、203、204(201-204)进行层叠，并进行加热压接而成。多个绝缘性基材201-204以片材状的热塑性树脂为材料。作为热塑性树脂，例如也以液晶聚合物为主要材料。

绝缘性基材201的表面上形成有卷绕形的线状导体301及平板状的低流动性构件401。卷绕形的线状导体301在绝缘性基材201的表面具有沿外周延伸的形状。线状导体301由导电性较高的材料形成。例如，线状导体301由铜形成。线状导体301的一端通过贯通绝缘性基材202-204的线圈用连接导体501，与形成于绝缘性基材204的表面的外部连接导体31相连接。

低流动性构件401形成在由卷绕形的线状导体301包围的区域内。低流动性构件401由在绝缘性基材201的加热压接温度(例如250℃～350℃)下流动性比绝缘性基材201要低的材料形成。例如，低流动性构件401由与线状导体301相同的铜形成。另外，通过使低流动性构件401和线状导体301为相同材料，能使它们同时形成，可简化制造工序。

绝缘性基材202的表面上形成有卷绕形的线状导体302及平板状的低流动性构件402。卷绕形的线状导体302在绝缘性基材202的表面具有沿外周延伸的形状。在沿层叠方向观察层叠体20时，卷绕形的线状导体302形成为沿延伸方向与线状导体301局部重叠。线状导体302由导电性较高的材料形成。例如，线状导体302由铜形成。

线状导体302的一端与线状导体301的另一端在沿层叠方向观察时重叠。上述线状导体302的一端与线状导体301的另一端通过贯通绝缘性基材202的线圈用连接导体502进行连接。

低流动性构件402形成在由卷绕形的线状导体302包围的区域内。在俯视层叠体20时，低流动性构件402形成为与低流动性构件401至少有部分重叠。

低流动性构件402由在绝缘性基材202的加热压接温度下流动性比绝缘性基材202要低的材料形成。例如，低流动性构件402由与线状导体302、低流动性构件401相同的铜形成。另外，通过使低流动性构件402和线状导体302为相同材料，能使它们同时形成，可简化制造工序。

绝缘性基材203的表面上形成有卷绕形的线状导体303、平板状的低流动性构件403及层内连接导体313。卷绕形的线状导体303在绝缘性基材203的表面具有沿外周延伸的形状。在沿层叠方向观察层叠体20时，卷绕形的线状导体303形成为沿延伸方向与线状导体301、302部分重叠。线状导体303由导电性较高的材料形成。例如，线状导体303由铜形成。

线状导体303的一端与线状导体302的另一端在沿层叠方向观察时相重叠。上述线状导体303的一端与线状导体302的另一端通过贯通绝缘性基材203的线圈用连接导体503进行连接。

低流动性构件403形成在由卷绕形的线状导体303包围的区域内。在俯视层叠体20时，低流动性构件403形成为与低流动性构件401、402至少有部分重叠。

低流动性构件403由在绝缘性基材203的加热压接温度下流动性比绝缘性基材203要低的材料形成。例如，低流动性构件403由与线状导体303、低流动性构件401、402相同的铜形成。

层内连接导体313与线状导体303及低流动性构件403进行物理连接。与低流动性构件403同样，层内连接导体313由在绝缘性基材203的加热压接温度下流动性比绝缘性基材203要低的材料形成。另外，该层内连接导体313也可以省略。

层内连接导体313、线状导体303及低流动性构件403优选为同一材料，优选将它们一体形成。即，优选利用一个图案形成工序来形成上述层内连接导体313、线状导体303及低流动性构件403。另外，本实施方式的“同时”形成是指这样在同一工序中一起形成。通过将层内连接导体313、线状导体303及低流动性构件403一体形成，从而不易受到绝缘性基材203加热压接时的流动的影响，可更有效抑制线状导体303的移动。此外，通过用同一材料来将层内连接导体313、线状导体303及低流动性构件403一体形成，从而可简化制造工序。

绝缘性基材204的表面形成有矩形的外部连接导体31、32。外部连接导体31、32由导电性较高的材料形成。例如，外部连接导体31、32由铜形成。

外部连接导体31如上所述通过线圈用连接导体501与线状导体301的一端连接。外部连接导体32通过贯通绝缘性基材204的线圈用连接导体504与线状导体303的另一端连接。

根据上述结构，可形成由线状导体301、302、303及线圈用连接导体502、503、504构成的螺旋状的线圈。此时，线圈的卷绕轴方向与层叠方向平行。

通过如本实施方式所示那样利用低流动性构件401、402、403，如图2所示，在对由热塑性树脂形成的绝缘性基材201-204进行加热压接以形成层叠体20时，可抑制线状导体301、302、303移动。

由此，可形成作为线圈的特性优良、可靠性较高的线圈元件。本实施方式的结构中，即使扩大由线状导体包围的区域的面积，也能利用低流动性构件401、402、403来抑制线状导体301、302、303的移动。因此，如本实施方式所示，在将线圈元件作为电磁体10的形态下，可形成转矩较大且可靠性较高的电磁体。

此外，电磁体中，卷绕形的线状导体越是高密度地形成，越是小型且越能产生较大转矩，但由于线状导体彼此接近，因此，容易产生短路。然而，通过利用本实施方式的结构及制造方法，可抑制这种短路。

此外，电磁体实质上由直流信号控制，并非由高频信号控制，因此，即使在构成线圈的卷绕形线状导体所包围的区域内设置作为导体的低流动性构件，由电磁体形成的电磁波也基本不会被低流动性构件所屏蔽。

此外，本实施方式中，形成于绝缘性基材203的表面的线状导体303和低流动性构件403由层内连接导体313进行连接，因此，可进一步抑制线状导体的流动。

具有这种结构的电磁体10可通过如下所示的制造方法来制造。图3是表示本发明的实施方式1的电磁体的制造流程的流程图。

首先，准备在单面形成有导体(例如铜)且由热塑性树脂形成的绝缘性基材。通过对该绝缘性基材进行图案形成处理，从而形成图1(b)的各绝缘性基材201-204所示的导体图案。具体而言，在绝缘性基材201形成线状导体301及低流动性构件401。在绝缘性基材202形成线状导体302及低流动性构件402。在绝缘性基材203形成线状导体303及低流动性构件403。在绝缘性基材203形成线状导体303及低流动性构件403，并形成层内连接导体313(s101)。此时，将线状导体303、低流动性构件403及层内连接导体313一体形成。

此外，在第4绝缘性基材204形成外部连接导体31、32。

然后，在绝缘性基材202、203、204的线圈用连接导体501、502、503、504的形成位置形成贯通孔，在该贯通孔内填充导电性糊料。

接下来，将分别形成有导体图案的绝缘性基材201-204进行层叠(s102)。此时，如图1(b)所示，将绝缘性基材201-204进行层叠，使得能形成卷绕轴方向与层叠方向平行的螺旋状的线圈。

接下来，对层叠有绝缘性基材201-204的构件进行加热压接以形成层叠体20(s103)。此时，通过设置有低流动性构件401、402、403，可抑制线状导体301、302、303的移动，能制造可靠性较高的电磁体。

另外，优选为利用可一起形成多个层叠体20的母材状态来进行该制造工序，在此情况下，在加热压接之后，通过切断母材，来形成多个层叠体20。

通过利用以上那样的制造方法，能容易且可靠地制造上述可靠性较高的电磁体。此外，通过同时形成各绝缘性基材的表面的线状导体和低流动性构件，能简化制造工序。此外，通过一体形成绝缘性基材203表面的线状导体、低流动性构件及层内连接导体，能进一步简化制造工序。

另外，在本实施方式中，示出了在形成有线状导体的所有绝缘性基材形成低流动性构件的形态，但也可以为在至少一个绝缘性基材形成低流动性构件的形态。层内连接导体也可设置于各绝缘性基材。

具有这种结构的电磁体也可采用如下所示的结构。图4是表示本发明的实施方式1的电磁体的其它方式的侧面剖视图。

图4所示的电磁体10’对图1、图2所示的电磁体10追加了贯通孔60。因此，仅说明与电磁体10的不同点。

贯通孔60沿层叠方向贯通层叠体20。从层叠方向观察层叠体20时，贯通孔60设置在低流动性构件401、402、403重叠的区域。

通过设置这种贯通孔60，利用插通贯通孔60的螺钉等，可容易地固定电磁体10’。此外，通过形成有低流动性构件401、402、403，从而层叠体20中设置有贯通孔60的区域的强度变高，可抑制螺钉止动时的破损。此外，可高强度地固定电磁体10’。此外，由于线状导体的位置偏移得到抑制，因此，在设置贯通孔60时，可抑制因线状导体的位置偏移而导致贯通孔60来到线状导体的位置。即，可抑制误切断线状导体。

接下来，参照附图对本发明的实施方式2所涉及的电磁体进行说明。图5是本发明的实施方式2的电磁体的分解立体图。

本实施方式的电磁体10a相对于实施方式1所示的电磁体10，去除了层内连接导体313，追加了固定用的层间连接导体70。本实施方式的电磁体10a的基本制造方法也与实施方式1所示的电磁体10相同。因此，仅对与实施方式1所示的电磁体10不同的部分进行具体说明。

如图5所示，电磁体10a包括固定用的层间连接导体70。固定用的层间连接导体70为贯通绝缘性基材202、203及低流动性构件402的形状。固定用的层间连接导体70与低流动性构件401、402、403进行物理连接。

通过利用这种固定用的层间连接导体70，即使在对绝缘性基材201-204进行加热压接时，也可固定低流动性构件401、402、403。因此，可形成可靠性更高的电磁体10a。

这种层间连接导体70可通过与线圈用连接导体501、502、503、504同样的制造方法，与这些线圈用连接导体501、502、503、504一起在形成贯通孔及连接导体的同一道工序内形成。另外，本实施方式的“同时”形成是指这样在同一工序中一起形成。这样，通过将层间连接导体70与线圈用连接导体501、502、503、504在同一工序内形成，能利用更简化的制造工序来制造电磁体10a。

另外，在本实施方式中，示出了利用层间连接导体70来连接所有低流动性构件401、402、403的形态，但也可以为连接至少2个低流动性构件的形态。

接下来，参照附图对本发明的实施方式3所涉及的电磁体进行说明。图6是本发明的实施方式3的电磁体的分解立体图。

本实施方式的电磁体10b相对于实施方式1所示的电磁体10，去除了层内连接导体313及低流动性构件401、402、403，追加了低流动性构件410及贯通孔422、423。本实施方式的电磁体10b的基本制造方法也与实施方式1所示的电磁体10相同。因此，仅对与实施方式1所示的电磁体10不同的部分进行具体说明。

在绝缘性基材201的表面配置有具有加热压接后的绝缘性基材202、203的厚度以上的高度的低流动性构件410。在绝缘性基材202的与低流动性构件410的配置区域重叠的区域形成有贯通孔422。在绝缘性基材203的与低流动性构件410的配置区域重叠的区域形成有贯通孔423。

在这种结构中，在将绝缘性基材201-204进行了层叠的情况下，低流动性构件410收纳在贯通孔422、423内。即使在该层叠状态下进行加热压接，也可抑制线状导体301、302、303的移动。

另外，本实施方式中，也可以利用成为电磁体10b的磁芯的材料来形成低流动性构件410。由此，可提高作为电磁体的性能。作为成为磁芯的材料，例如有坡莫合金等金属、铁氧体。

此外，对于上述各实施方式所示的低流动性构件，若不是与线状导体一体形成的形态，则也可利用成为电磁体的磁芯的材料来形成，还可仅利用具有绝缘性、且具有低流动性的所谓虚拟构件来形成。

接下来，说明利用本发明的上述各实施方式的电磁体的电子设备模块的一形态。图7是表示利用了本发明的实施方式的电磁体的摄像头模块的结构的图。图7(a)是摄像头模块的俯视图。图7(b)是摄像头模块的默认状态下的侧视图。图7(c)是摄像头模块的驱动状态下的侧视图。图8是表示摄像头模块中的永磁体和电磁体的配置部位的局部放大图。

摄像头模块800包括多个电磁体10。多个电磁体10形成在基底基板200内。

在基底基板200的表面配置有框架80。框架80配置成能相对于基底基板200滑动。

在框架80设置有未图示的开孔，在该开孔内插入有透镜托架81。透镜托架81固定于框架80。透镜82配置在透镜托架81的与基底基板200侧相反侧的端部。

在框架80的表面以包围透镜托架81的方式配置有多个永磁体83。更具体而言，沿框架80表面的第1方向以夹着透镜托架81的方式配置有两个永磁体83。此外，沿框架80表面的与第1方向正交的第2方向以夹着透镜托架81的方式配置有两个永磁体83。

多个永磁体83被配置成分别隔着框架80与电磁体10相对。多个永磁体83分别通过引线84与基底基板200连接。

在这种结构中，通过使电流流过规定的电磁体10，从而施加电磁力，基底基板200相对于框架80滑动。通过该滑动，透镜82的位置发生移动。即，可构成摄像头的音圈电机。

另外，优选为，在基底基板200的厚度较厚的情况下，电磁体10形成于框架80侧的表面附近。通过形成于这种位置，可更高效地实现能驱动音圈电机的摄像头模块800。

通过利用上述电磁体，可实现可靠性较高的摄像头模块800。

在上述实施方式中，示出了利用导体作为低流动性构件的形态，但也可利用陶瓷、热固化性树脂等来构成低流动性构件。

在上述各实施方式中示出了在层叠体内留有低流动性构件的形态，但对于在层叠体内未留有低流动性构件的形态，使用如下所示的制造方法即可。

接下来，参照附图，对本发明的实施方式4的电磁体的制造方法及电磁体进行说明。图9是表示本发明的实施方式4的电磁体的制造方法的概念的图及通过该制造方法形成的电磁体的侧面剖视图。

如图9(a)所示，在绝缘性基材201的表面形成有卷绕形的线状导体301c。在绝缘性基材201的由卷绕形的线状导体301c包围的区域，设置有贯通孔601。

在绝缘性基材202的表面形成有卷绕形的线状导体302c。在绝缘性基材202的由卷绕形的线状导体302c包围的区域，设置有贯通孔602。

在绝缘性基材203的表面形成有卷绕形的线状导体303c。在绝缘性基材203的由卷绕形的线状导体303c包围的区域，设置有贯通孔603。

如图9(a)所示，绝缘性基材201、202、203层叠成各自的表面平行。此时，绝缘性基材201、202、203层叠成贯通孔601、602、603的位置一致。

对于这样层叠后的绝缘性基材201、202、203，从层叠方向的两侧将按压模具491、492进行按压。此时，按压模具491与绝缘性基材201侧抵接，按压模具492与绝缘性基材203侧抵接。在按压模具492与绝缘性基材203之间安装有弹性体493。弹性体492由在绝缘性基材201、202、203的加热压接温度下不溶融的材料形成。

按压模具491、492由金属等在绝缘性基材201、202、203的加热压接温度下流动性比绝缘性基材201、202、203要低的材料(低流动性材料)来形成。

按压模具491具有平板的主体4911、及从主体4911的平板面突出的形状的凸部4912。主体4911与凸部4912可一体形成，也可分开形成。在主体4911与凸部4912分开的情况下，各自的材料也可以不同，但均为低流动性材料。

按压模具492为平板。

按压模具491按压到层叠后的绝缘性基材201、202、203，使得凸部4912插通贯通孔601、602、603。

通过在该状态下进行加热压接处理，如图9(b)所示，绝缘性基材201、202、203溶融而彼此相粘接。此时，在贯通孔601、602、603中插入有按压模具491的凸部4912，因此，绝缘性基材201、202、203的流动被凸部4912阻止。

在该加热压接后，移除按压模具491、492及弹性体493，从而如图9(c)所示，形成层叠体20c，形成电磁体10c。在层叠体20c的由卷绕形的线状导体301c、302c、303c包围的区域设置有贯通孔60c。

这样，即使将对绝缘性基材201、202、203进行加热压接的按压模具的一部分作为上述低流动性构件，也可抑制加热压接时的绝缘性基材的流动。

另外，如本实施方式所示，通过在加热压接时使用弹性体493，从而使弹性体493变形，从而缓和凸部4912的高度(厚度)与对绝缘性基材201、202、203进行加热压接的状态下的厚度之差。由此，以均匀的按压力对绝缘性基材201、202、203的整面进行加热压接。因此，能更可靠地将层叠体20c成形为所希望的形状。

接下来，参照附图，对实施方式5的电磁体的制造方法及电磁体进行说明。图10是表示本发明的实施方式5的电磁体的制造方法的概念的图及通过该制造方法形成的电磁体的侧面剖视图。

本实施方式的电磁体10d相对于实施方式4所示的电磁体10c，层叠体20d的结构不同。此外，随之制造方法也有部分不同。

如图10(a)所示，层叠体20d包括绝缘性基材201、202、203、204。绝缘性基材201、202、203与实施方式4的层叠体20c相同。在绝缘性基材204上既未形成线状导体，也未设置贯通孔。绝缘性基材204配置在绝缘性基材203的表面。

在这种结构中，按压模具491的突起部4912的前端面与绝缘性基材204抵接。在此状态下，如图10(b)所示，利用按压模具491、492夹住层叠后的绝缘性基材201、202、203、204，并进行加热压接。

在该加热压接后，移除按压模具491、492，从而如图10(c)所示，形成层叠体20d，形成电磁体10d。在层叠体20d的由卷绕形的线状导体301d、302d、303d包围的区域设置有凹部61。凹部61仅在层叠体20d的绝缘性基材201侧的外表面开口，在绝缘性基材204侧的外表面未开口。

即使采用这种结构，也能够得到与实施方式4同样的作用效果。

此外，在本实施方式的结构中，未设置线状导体及贯通孔的绝缘性基材204与实施方式4的弹性体493同样，有助于在加热压接时施加均匀的压力。因而，在这点上，也可获得与实施方式4同样的作用效果。

接下来，参照附图对本发明的实施方式6所涉及的电磁体进行说明。图11是本发明的实施方式6的电磁体的分解立体图。

本实施方式的电磁体10e可通过实施方式5的制造方法来形成。

本实施方式的电磁体10e包括层叠体20e。层叠体20e将绝缘性基材201、202、203、204进行层叠而成。

在绝缘性基材201的背面形成有外部连接导体31、32。在绝缘性基材202的表面以沿绝缘性基材202的外周的形状形成有卷绕形的线状导体302e。在绝缘性基材203的表面以沿绝缘性基材203的外周的形状形成有卷绕形的线状导体303e。在绝缘性基材204的表面以沿绝缘性基材204的外周的形状形成有卷绕形的线状导体304e。

线状导体304e的一端经由贯通绝缘性基材201、202、203、204的线圈用连接导体501e与外部连接导体31连接。线状导体304e的另一端经由贯通绝缘性基材204的线圈用连接导体502e与线状导体303e的一端连接。线状导体303e的另一端经由贯通绝缘性基材203的线圈用连接导体503e与线状导体302e的一端连接。线状导体302e的另一端经由贯通绝缘性基材201、202的线圈用连接导体504e与外部连接导体32连接。

在层叠体20e的与绝缘性基材201、202相当的部分，在由线状导体302e包围的区域设置有凹部61。

此外，在层叠体20e的与绝缘性基材203的表面相当的部分形成有对准标记300。对准标记300为相对于绝缘性基材具有所希望的对比度的材料即可，例如由与线状导体303e相同的材料形成。在利用与线状导体303e相同的材料的情况下，可将对准标记300与线状导体303e同时形成，因此，能简化制造工序。

在沿层叠方向观察层叠体20e时，对准标记300形成于与凹部61重叠的区域。即，形成于层叠体20e的厚度较薄的区域。通过将对准标记300配置在这种厚度较薄的区域，从而在将电磁体10e安装于其它电路基板等时，可容易识别对准标记300。因此，可容易地进行配置电磁体10e时的位置对准，且不易产生位置偏移。由此，能提高电磁体10e对其它电路基板的安装精度，能更可靠地进行安装。

标号说明

10，10a，10b，10c，10d，10e：电磁体

20，20c，20d，20e，20p：层叠体

31，32：外部连接导体

60，601，602，603：贯通孔

61：凹部

70：层间连接导体

80：框架

81：透镜托架

82：透镜

83：永磁体

84：引线

200：基底基板

201，202，203，204：绝缘性基材

300：对准标记

301，302，303，301c，302c，303c，301d，302d，303d，302e，303e，304e：线状导体

313：层内连接导体

401，402，403，410：低流动性构件

422，423：贯通孔

491，492：按压模具

4911：主体

4912：凸部

493：弹性体

501，502，503，504，501e，502e，503e，504e：线圈用连接导体

800：摄像头模块

909：卷绕形的线状导体所包围的区域