技术特征：
技术总结
本发明公开一种芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片。第二芯片位于第一芯片上。第一芯片包括第一衬底、第一内连线结构、第一焊垫和第一接触导体。第一内连线结构位于第一衬底的第一表面上。第一焊垫位于第一内连线结构上。第一接触导体位于第一衬底中，且暴露于第一衬底的相对于第一表面的第二表面。第二芯片包括第二衬底、第二内连线结构、第二焊垫和第二接触导体。第二内连线结构位于第二衬底上。第二焊垫位于第二内连线结构上。第二接触导体位于第二衬底中，其中第一接触导体直接实体接触第二焊垫。本发明的芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法的制作工艺简单且具有高制作工艺良率。
技术研发人员：林明哲
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2017.07.21
技术公布日：2019.01.29