技术特征：
技术总结
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，具体包括在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，并高温退火；生长介质层，制作栅电极，制作隔离介质，制作源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属，制作源极加厚金属。本发明通过增添一次离子注入的方法实现了碳化硅开关器件导电沟道由同一层离子注入定义，避免了两侧沟道长度不一致引起的导通能力下降及器件可靠性降低。
技术研发人员：黄润华;陶永洪;柏松;汪玲
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2017.07.24
技术公布日：2018.01.12