技术特征：
技术总结
一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法，包括一衬底、形成于衬底上的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的一浮栅极、与浮栅极相对而设的一控制栅极，以及形成于浮栅极和控制栅极之间的第二绝缘层；衬底上形成有一源极和一漏极；浮栅极单独引出第一连接线作为变容二极管电容的一极板，源极的引出线、漏极的引出线与控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为变容二极管电容的另一极板，第一绝缘层和第二绝缘层为变容二极管电容的介质层。本发明用于闪存电路中的变容二极管能够满足大容量电容需求同时又能很好兼顾芯片微小化趋势。
技术研发人员：田志;钟林建;殷冠华;陈昊瑜
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2017.11.14