有机发光二极管封装结构及其制造方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术：

随着有机发光二极管(oled)产业化逐渐成熟，对oled质量的要求越来越高。其中水汽和氧气对发光层(emissionlayer)的破坏程度极强，一旦发光层与水或氧接触，发光材料就会变性而不能正常工作。因此在oled产业中，阻止水汽和氧气的进入的手段称之为封装。针对不同类型的产品，封装工艺主要包括dam(环形封装)和face(面封装)两种。顾名思义，dam工艺就是在产品的外围涂一圈胶，然后与盖板成盒封装；face工艺是整面涂胶，然后与盖板成盒。两种封装都是真空中进行，确保成盒后内部无水和氧，且阻止外界水氧进入。

在目前的dam封装中，通常手段是蒸镀完阴极后，面板周边涂抹一圈封框胶，面板内使用填充物然后用封装盖板(玻璃或金属板)成盒封装，填充物填充内部空间以及封框胶周围。但是这种封装方式目前存在的问题是面板与封框胶之间的粘粘不紧密会导致外界水氧的进入。

技术实现要素：

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的目的一种有机发光二极管封装结构及其制造方法，能够提高封装的致密性，提高水氧进入的难度。

本发明提供一种有机发光二极管封装结构，包括：盖板；阵列基板，与所述盖板相对设置；封框胶，设置在所述盖板与所述阵列基板之间；间隔层，设置在所述阵列基板面对所述封框胶的表面上和/或所述盖板面对所述封框胶的表面上，与所述封框胶接合，其中所述间隔层与所述封框胶接合的表面为不平结构。

其中，所述间隔层与所述封框胶接合的表面具有多个凹槽，所述封框胶填充于所述多个凹槽之中。

其中，所述间隔层为氮氧化物层。

其中，所述阵列基板和/或所述盖板上包括氮氧化物保护层，所述间隔层与所述氮氧化物保护层以同一工艺一次形成。

其中，所述间隔层为金属膜层。

本发明还提供一种有机发光二极管封装结构的制备方法，包括以下步骤：提供盖板；提供阵列基板；在所述盖板的一个表面或所述阵列基板的一个表面上设置间隔层，对所述间隔层进行处理，使得所述间隔层的表面为不平结构；对盒所述盖板和所述阵列基板，在所述盖板和所述阵列基板之间设置封框胶，使得所封框胶与所述间隔层结合。

其中，对所述间隔层进行处理，使得所述间隔层的表面为不平结构包括在所述间隔层表面上形成多个凹槽。

其中，使得所封框胶与所述间隔层结合包括使得封框胶填充于所述间隔层表面上的多个凹槽中。

其中，所述间隔层为金属膜层。

其中，在所述盖板的一个表面或所述阵列基板的一个表面上设置间隔层，对所述间隔层进行处理，使得所述间隔层的表面为不平结构包括在所述盖板的一个表面或所述阵列基板的一个表面上形成氮氧化物保护层，对部分所述氮氧化物保护层进行图案化处理得到所述间隔层。

本发明提供的有机发光二极管封装结构及其制造方法，能够提高封装的致密性，提高水氧进入的难度，并且不需要加大封框胶的宽度。

附图说明

图1是示出根据现有技术的有机发光二极管封装结构的结构示意图。

图2是示出根据现有技术的有机发光二极管封装结构的俯视示意图。

图3是示出根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构的结构示意图。

图4是示出根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构的俯视示意图。

图5是示出根据本发明实施例的另一有机发光二极管封装结构的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

如图1所示，现有技术中的有机发光二极管包括阵列基板1；设置在阵列基板1上的氧化层10和有源层2；设置在有源层2上的盖层(cl)3和以及阴极区4；设置在氧化层10上的像素限定层16；盖板12，与阵列基板1相对设置；设置在盖板12的与阵列基板1相对的面上的黑矩阵8和彩膜层9；覆盖黑矩阵8和彩膜层9的有机盖层(oc)7；设置在有机盖层7上的辅助层(aux)6；设置在辅助层6与阴极区4之间的隔离柱5；填充在阵列基板1与阵列基板12之间的填充物(filer)13；以上为有机发光二极管的常规结构。现有技术中的有机发光二极管封装结构包括上述常规结构，以及设置在阵列基板1与盖板12之间，包围上述结构的封框胶11，其俯视图如图2所示，封框胶11围绕在阴极区4的周围，阴极区中包括上述的常规结构。

这样的封装结构中，封框胶11与阵列基板1、封框胶11与盖板12之间的接触致密性不高，封框胶与基板的接触致密性以及水氧进入途径问题，可能会导致水氧通过接触面进入，因此一般通过加大封框胶宽度来提高封装致密性以及加长水氧进入的路径，但是这样难以取得很好的效果。

实施例一

本实施提供一种有机发光二极管封装结构，其结构示意图如图2所示。

该有机发光二极管封装结构包括常规的有机发光二极管结构，包括：包括阵列基板201；设置在阵列基板201上的氧化层210和有源层202；设置在有源层202上的盖层(cl)203和以及阴极区204；设置在氧化层210上的像素限定层216；盖板212，与阵列基板201相对设置；设置在盖板212的与阵列基板201相对的面上的黑矩阵208和彩膜层209；覆盖黑矩阵208和彩膜层209的有机盖层(oc)207；设置在有机盖层207上的辅助层(aux)206；设置在辅助层206与阴极区204之间的隔离柱205；填充在阵列基板201与阵列基板212之间的填充物(filer)213。

该有机发光二极管封装结构还包括设置在阵列基板201上的间隔层214所述盖板与所述阵列基板之间的封框胶211设置在该间隔层214上，该间隔层214表面为不平结构，图2中以间隔层214中有多个凹槽215为一种实施方式的示例，间隔层214的表面形状也可以为条状或网状图形，或者不连续的交叉条状图形。

在图2示出的示例中，封框胶211填充到阵列基板201上的间隔层214的凹槽215中，增加了封框胶与阵列基板201的粘结力，使得封装的致密性更强。

此外，在盖板212的与阵列基板201相对的表面也设置有间隔层214。间隔层214表面为不平结构，其俯视图如图4所示，封框胶211围绕在阴极区204的周围，而间隔层214围绕在封框胶211的周围，与封框胶211结合，增加封装的密封性。

图2中同样以盖板上的间隔层214中有多个凹槽215为一种实施方式的示例，间隔层214的表面形状也可以为条状或网状图形，或者不连续的交叉条状图形。盖板212上的间隔层表面上的图形可以与阵列基板上的间隔层表面上的图形相同也可以不相同。

封框胶211填充到盖板212上的间隔层214的凹槽215中，增加了封框胶211与盖板212的粘结力，使得封装的致密性更强。

所述间隔层214可以是氮氧化物层也可以是金属膜层。根据不同封框胶与不同材料的粘附能力来选择合适的封框胶，在间隔层214是氮氧化物层或者金属膜层时，所选择的封框胶211的材料不同。表1示出了不同封框胶与不同材料的粘附能力的测试结果。

表1不同封框胶与不同材料的粘附能力的测试结构

如表1所示，dam胶1与sinx&siox的附着力最好，因此在使用dam胶1作为封框胶时，选择sinx&siox作为间隔层214的材料，然后在间隔层214中形成上述的凹槽或者其他不平结构，进一步增大封框胶与间隔层的粘附力。

dam胶2与金属铜的附着力最好，因此在使用dam作为封框胶时，选择铜膜层作为间隔层214的材料，然后在间隔层214中形成上述的凹槽或者其他不平结构，进一步增大封框胶与间隔层的粘附力。

在选择间隔层214是氮氧化物的情况下，间隔层214可以与盖板212以及阵列基板201上本来就需要形成的氮氧化物层采用同一工艺一次形成。

在选择间隔层214是金属膜层的情况下，优选采用铜膜层作为间隔层。图3示出了在间隔层214是铜膜层时，根据实施例的发光二极管封装结构的示意图。

根据本实施例的有机发光二极管封装结构，能够提高封装的致密性，提高水氧进入的难度，并且不需要加大封框胶的宽度。

实施例二

本实施提供一种有机发光二极管封装结构的制备方法，该方法用在制备实施一中的有机发光二极管封装结构。

在实施一中的有机发光二极管封装结构采用氮氧化物做为间隔层的情况下，该方法包括以下步骤。

首先提供盖板，然后在盖板上形成有机发光二极管的常规结构，之后在盖板的表面上形成氮氧化物膜层；对该氮氧化物膜层进行曝光和刻蚀，在氮氧化物膜层的表面形成不平结构，例如图3中所示的凹槽。

接着提供阵列基板，在盖板上形成有机发光二极管的常规结构，之后盖板的表面上形成氮氧化物膜层；对该氮氧化物膜层进行曝光和刻蚀，在氮氧化物膜层的表面形成不平结构，例如图3中所示的凹槽。

最后将阵列基板与盖板对齐设置，在阵列基板与盖板之间设置封框胶，封框胶与氮氧化物接合，并且填充氮氧化物上的凹槽或不平结构，增加封装的致密性。这里的示例是在阵列基板与盖板上的氮氧化物层上都形成不平结构，但是仅在阵列基板与盖板中的一个所具有的氮氧化物层上形成不平结构也能实现本发明的目的。

在实施一中的有机发光二极管封装结构采用金属膜层做为间隔层的情况下，该方法包括以下步骤。

首先提供盖板，然后在盖板上形成有机发光二极管的常规结构，之后在盖板的表面上形成金属膜层；对该金属膜层进行曝光和刻蚀，在金属膜层的表面形成不平结构，例如图3中所示的凹槽215。

接着提供阵列基板，在盖板上形成有机发光二极管的常规结构，之后盖板的表面上形成金属膜层；对该金属膜层进行曝光和刻蚀，在金属膜层的表面形成不平结构，例如图3中所示的凹槽215。

最后将阵列基板与盖板对齐设置，在阵列基板与盖板之间设置封框胶，封框胶与金属膜层接合，并且填充金属膜层上的凹槽或不平结构，增加封装的致密性。这里的示例是在阵列基板与盖板上的金属膜层上都形成不平结构(例如图3中所示的凹槽215)，但是仅在其中一个上的金属膜层上形成不平结构也能实现本发明的目的。

本领域技术人员应当理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求决定。