一种OLED器件的制备方法与流程

本发明涉及oled技术领域，特别是涉及一种oled器件的制备方法。

背景技术：

oled器件(有机发光二极管器件)具有自发光，广视角，反应速度快，对比度高，超轻薄以及可弯曲折叠等优点。然而通常只有20％左右的光能出射到oled器件外。如何通过简单工艺并有效提升oled的光耦合输出效率，对oled技术的产业化至关重要。为此，人们利用在oled器件的出光面制备周期性分布阵列，利用周期分布阵列的散射和折射特性来提高oled器件的光耦合效率。

一般在oled器件的出光面制备周期性分布阵列有两种方法。一种是利用化学方法，结合光刻胶，然后经过曝光显影形成上述周期性阵列，但是这种方法需要反复使用化学溶液，容易腐蚀oled器件其他结构。另一种是通过金属光罩成膜来制备上述周期性分布阵列，但是此方法成本非常高，而且金属光罩使用过后清洗难度大，后越来越厚重，进而导致成膜不均匀，提高oled器件的光耦合效率效果差。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种oled器件的制备方法，能够在完成制备oled器件上的周期性分布阵列提高光耦合效率的同时避免化学腐蚀，并且降低生产成本。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种oled器件的制备方法，所述方法包括：提供一oled基础器件；以喷墨打印方式在所述oled基础器件的发光侧表面上形成选择性覆盖所述发光侧表面的疏水层；以选择性原子沉淀方式在所述发光侧表面的未被所述疏水层覆盖的区域上形成光耦合率提升层。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供一种oled器件的制备方法先通过喷墨打印的方式形成选择性覆盖在oled器件发光侧的疏水图案，然后再以选择性原子沉淀方式在未被疏水层覆盖的区域上形成光耦合率提升层，由于疏水图案对选择性原子沉淀方式生长的薄膜有抑制作用，因此在疏水层上不会制成光耦合率提升层，光耦合率提升层形成在相邻的疏水层之间，形成周期性分布阵列，从而提高oled器件的光耦合效率，同时以上制备方法所采用的喷墨打印方式及选择性原子沉淀方式均是制备olde器件其他部件过程中所采用的工艺，制作过程简单，成本低，且整个过程无需用到化学试剂，对oled器件没有任何损伤。

附图说明

图1是本发明oled器件的制备方法第一实施方式的流程示意图；

图2是本发明oled器件的制备方法一实施方式所制备的oled器件的结构示意图；

图3是oled器件的制备方法第二实施方式的流程示意图：

图4是oled器件的制备方法第三实施方式的流程示意图；

图5是oled器件的制备方法第四实施方式的流程示意图；

图6是本发明oled器件的制备方法另一实施方式所制备的oled器件的结构示意图。

具体实施方式

参阅图1和图2，本发明第一实施方式种oled器件的制备方法包括以下步骤：

s101：提供一oled基础器件10。

该oled基础器件10至少包括基层12、形成在基层12上的tft14(薄膜晶体管)，以及形成在tft14上的oled16，tft14和oled16构成发光部件，朝远离基层12方向发射光线。

s102：以喷墨打印方式在oled基础器件10的发光侧表面上形成选择性覆盖发光侧表面的疏水层20。

将oled基础器件10移动至喷墨打印腔体中，利用喷墨打印方式对上述发光侧表面进行疏水化处理，从而在oled基础器件的发光侧表面上间隔形成多个疏水层20。进一步，疏水层20的制作材料为高分子材料，例如聚四氟乙烯和四氧化三铁纳米材料等。在其他实施例中，制作疏水层20的材料也可以是其他具有疏水功能的材料，例如单晶硅。可选地，该疏水层20的厚度为1-2μm。

如图2所示，在步骤s102之前还可以在oled16的表面上形成其他膜层结构11、13和18。上述膜层结构将在下文进行详细描述。当然，如本领域技术人员所理解的，上述膜层结构也可以根据实际情况省略或改变。

s103：以选择性原子沉淀方式在发光侧表面的未被疏水层20覆盖的区域上形成光耦合率提升层30。

将经过步骤s102后的oled基础器件10移动至选择性原子沉淀腔室中，在上述发光侧表面上没有经过疏水化处理的，即未被疏水层20覆盖的区域上形成光耦合率提升层30。具体的，光耦合率提升层30的制作材料包括zno，tio2，zro2等高折射率金属氧化物中的至少一种，进而提高oled器件的光耦合效率。可选地，光耦合率提升层30的厚度小于疏水层20的厚度，这样能够保证光耦合率提升层30在形成过程中与疏水层接触的边缘不会溢出，整洁。在其他实施例中，光耦合率提升层30的厚度也可以大于疏水层的厚度20。进一步，光耦合率提升层30的厚度为10-60nm。

步骤s103是利用疏水层20对选择性原子沉淀方式生长的薄膜有抑制作用，因此在疏水层20上不会形成光耦合率提升层30，光耦合率提升层30仅形成在相邻的疏水层20之间。具体的，发光侧表面划分为周期性分布且间隔设置的发光区域以及位于发光区域之间的非发光区域，光耦合率提升层30覆盖发光区域，疏水层20覆盖非发光区域。光耦合率提升层30构成周期性分布阵列，从而提高oled器件100的光耦合效率。同时以上制备方法所采用的喷墨打印方式及选择性原子沉淀方式均是制备olde器件100其他部件过程中所采用的工艺，制作过程简单，成本低，且整个过程无需用到化学试剂，对oled器件100没有任何损伤。

进一步参见图2，为本发明第二实施方式的制备方法的部分流程示意图，第二实施方式与第一实施方式的区别在于，在第一实施方式的步骤s102之前还包括以下步骤：

s201：在发光侧表面上形成第一水氧阻挡层11。

通过选择性原子沉淀法、等离子体增强化学汽相沉积法、脉冲激光沉淀法，或者溅射中任一种方式形成第一水氧阻挡层11，第一水氧阻挡层11能够阻隔水分和空气进入oled16，保证oled16的发光性能。进一步第一水氧阻挡层11为无机层。可选地，其制作材料包括sinx、sicnx、al2o3,siox中的至少一种。

s202：在第一水氧阻挡层11上形成第一应力释放层18。

通过等离子体增强化学汽相沉积法或者喷墨打印的方式形成第一应力释放层18。如图2所示，oled16为凹凸周期性变化结构，第一应力释放层18主要是为了配合oled16的形状制作一个平坦的表面，进而能够在上述平坦的表面上制作上述疏水层20和光耦合率提升层30，保证oled器件100的光耦合效率。另一方面，第一应力释放层18能够使得该oled器件100在弯曲或者折叠的时候缓冲应力，实现柔性显示。进一步，第一应力释放层18为有机功能层。可选地，本实施例中，第一应力释放层18的制作材料包括丙烯醛基、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。

s203：在第一应力释放层18上形成第二水氧阻挡层13。

第二水氧阻挡层13的形成工艺及制作材料均与第一水氧阻挡层11一样，此不赘述。第二疏水氧阻挡层的作用是进一步防止水分和空气进入第一应力释放层18。其中疏水层20和光耦合率提升层30形成于第二水氧阻挡层13上。

进一步参见图4，本发明第三实施方式的制备方法的流程示意图，第三实施方式与第一实施方式的区别在于，在第一实施方式的步骤s103之后还包括s304步骤，s304步骤之前的s301、s302、s303分别与第一实施方式中的步骤s101、s102、s103一致，此不赘述。

具体的，步骤s304：在疏水层20和光耦合率提升层30上形成第三水氧阻挡层15和/或第二应力释放层(图未示)。第三水氧阻挡层15的制作工艺及材料与第一水氧阻挡层11一致；第二应力释放层的制作工艺及材料与第一应力释放层18一致，此不赘述。在疏水层20和光耦合率提升层30上形成第三水氧阻挡层15能够阻隔水分和空气进入光耦合率提升层30，对其起到保护作用，避免水分和空气腐蚀光耦合率提升层30，保证oled器件100的光耦合效率。在疏水层20和光耦合率提升层30上形成第二应力释放层能够进一步增强oled器件100的柔性。

进一步参见图5，本发明第四实施方式的制备方法的流程示意图，第四实施方式与第三实施方式的主要区别在于，在第三实施方式的步骤s304之前还包括s404，s404步骤之前的步骤s401、s402、s403分别与第三实施方式中的步骤s301、s302、s303一致，此不赘述。

其中，s404：去除疏水层20。具体的制备疏水层20的目的是疏水层20对选择性原子沉淀方式生长的薄膜(即光耦合率提升层30)有抑制作用，进而只在没有被疏水层20覆盖的区域形成周期性分布的光耦合率提升层30。然而，疏水层20上具有一些微孔，容易储存水汽，如果把疏水层20保留在oled器件100中，则极容易影响光耦合率提升层30的干燥度，时间一长容易腐蚀，影响oled器件100的光耦合效率。因此，去除疏水层20能够更好地提高oled器件100的光耦合效率。进一步，本实施例中，通过等离子清除的方式去除疏水层20，该方式操作简单，且能够避免使用化学试剂，进而更好地保护光耦合率提升层30及其他部件。在其他实施例中，也可以通过激光镭雕或者有机试剂去除疏水层20。

参见图6，另外，在去除疏水层的步骤之后，还可以包括s405：在光耦合率提升层300及经光耦合率提升层300外露的区域上形成第三水氧阻挡层150和/或第二应力释放层(图未示)。可以理解的，在其他实施例中，步骤s405也可省略。

s405与第三实施例中的s304类似，区别在于：第三水氧阻挡层150和/或第二应力释放层形成在光耦合率提升层30及经光耦合率提升层30外露的第二水氧阻挡层130的区域上。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。