技术特征：
技术总结
本发明提供了一种提高SEG生长高度均一性方法，所述方法包括以下步骤：沉积衬底堆叠结构并刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；对沟道和硅槽进行刻蚀后处理(Post Etch Treatment，PET)；清洗以去除硅槽界面处氧化物；采用大量HCl烘烤刻蚀以去除硅槽界面处非晶硅并刻蚀部分硅衬底后进行硅外延生长。由于HCl可以去除非晶硅和部分硅衬底；在裸露出的Si新生表面不存在其他介质，还可以使后续硅外延层生长速率趋于一致；从而提高硅外延生长高度的均一性，并且避免在界面处产生空位，进而提高3D NAND闪存的整体性能。
技术研发人员：吴林春;杨要华;何佳;刘藩东;张若芳;夏志良;霍宗亮
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.08.29
技术公布日：2018.02.23