技术特征：
技术总结
本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
技术研发人员：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2017.09.02
技术公布日：2018.02.23