显示设备的制作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年11月15日提交的韩国专利申请第10-2016-0152241号的优先权及其权益，在此将该韩国专利申请为所有目的通过引用并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
示例性实施例涉及显示设备。
背景技术：
有机发光显示设备是包括像素的显示设备，每个像素包括有机发光二极管。有机发光二极管可包括像素电极、面对像素电极的对电极以及在像素电极和对电极之间的发射层。“全彩色”有机发光显示设备可包括通过对应的发射层分别发射不同颜色的光的像素区域，并且包括在多个像素之上被提供为公共体(或层)的对电极。
本部分中公开的上述信息仅仅用于加深对本发明构思的背景的理解，因此其可能包含不构成对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现要素：
根据一些示例性实施例，显示设备包括基板、第一像素电极、第二像素电极、像素限定层、第一中间层、第二中间层、第一对电极、第二对电极和布线层。基板包括第一像素区域和第二像素区域。第一像素区域与第二像素区域通过非像素区域隔开。第一像素电极与第一像素区域重叠。第二像素电极与第二像素区域重叠。像素限定层包括与第一像素电极重叠的第一开口和与第二像素电极重叠的第二开口。第一中间层在第一像素电极上。第一中间层包括第一发射层。第二中间层在第二像素电极上。第二中间层包括与第一发射层隔开的第二发射层。第一对电极在第一中间层上。第二对电极在第二中间层上。第二对电极与第一对电极隔开。布线层与非像素区域重叠。布线层与第一对电极和第二对电极的相应部分接触。
根据一些示例性实施例，显示设备包括基板、像素电极、像素限定层、发射层、对电极和布线层。像素电极被布置在基板上。像素限定层被布置在基板上。像素限定层包括布置在像素电极之间的部分和分别与像素电极重叠的开口。发射层分别被布置在像素电极上。对电极分别被布置在发射层上。对电极彼此隔开。布线层与像素限定层的部分重叠。对电极的相应部分与布线层的对应部分重叠，以形成电连接。
根据一些示例性实施例，可通过以逐个像素为基础提供对电极并且使用布线层在对电极之间形成电连接来减少电压降。以这种方式，可减少亮度偏差的发生。此外，一些示例性实施例可防止(或减少)底层被沉积掩模切到和显示质量降低。
上面的概括描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供本发明构思的进一步理解并且被并入到本说明书中并构成本说明书的一部分，附图图示本发明构思的示例性实施例并且与说明书一起用来解释本发明构思的原理。
图1是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的平面图。
图2a和图2b是根据各种示例性实施例的像素的等效电路图。
图3是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
图4是根据一个或多个示例性实施例的图3的显示设备的部分iv的放大截面图。
图5是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图3的显示设备的平面图。
图6是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图3的显示设备的平面图。
图7a和图7b是根据各种示例性实施例的显示设备的电路元件层的截面图。
图8a、图8b、图8c、图8d、图8e、图8f、图8g和图8h是根据一个或多个示例性实施例的图3的显示设备在各个制造阶段的截面图。
图9是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
图10是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
图11是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图10的显示设备的平面图。
图12是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图10的显示设备的平面图。
图13a、图13b、图13c、图13d、图13e和图13f是根据一个或多个示例性实施例的图10的显示设备在各个制造阶段的截面图。
图14是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
图15a、图15b、图15c、图15d和图15e是根据一个或多个示例性实施例的图14的显示设备在各个制造阶段的截面图。
图16和图17是根据各种示例性实施例的显示设备的截面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了说明的目的，阐述许多具体细节，以便提供各个示例性实施例的全面理解。然而，要清楚，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或在一个或多个等价布置的条件下实践。在其他情况中，以框图的形式示出众所周知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各个示例性实施例。
除非另外指出，图示的示例性实施例应当被理解为提供各个示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指出，各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(以下，统称为“要素”)可被另行组合、分离、互换和/或重新排列，而不脱离所公开的示例性实施例。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻要素之间的边界变得清楚。因此，除非指定，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料的任何偏好或要求，图示要素之间的材料性质、尺寸、比例、共性，和/或要素的任何其他特性、属性、性质等。此外，在附图中，为了清楚和/或描述目的，可以夸大要素的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可被不同地实现时，不同于所描述的顺序的特定工艺顺序可被执行。例如，两个连续描述的工艺可基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，相同的附图标记表示相同的要素。
当一要素被称为“位于另一要素上”、“与另一要素连接”或“与另一要素耦接”时，该要素可以直接位于另一要素上、与另一要素直接连接或与另一要素直接耦接，或者可以存在中间的要素。然而，当一要素被称为“直接位于另一要素上”、“与另一要素直接连接”或“与另一要素直接耦接”时，不存在中间的要素。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以是相互垂直的，或者可代表不相互垂直的不同的方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或x、y和z中两个或更多个的任意组合，例如，举例来说，xyz、xyy、yz和zz。如本文中所使用的，术语“和/或”包括所列相关项目中的一个或多个项目的任意组合和所有组合。
虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。使用这些术语是为了将一个要素与另一个要素区别开来。因此，下面介绍的第一要素可以被称为第二要素，而不背离本公开的教导。
为了描述目的，本文中可以使用空间相关术语，如“在……下方”、“在……下面”、“之下”、“下面的”、“在……上面”、“上面的”、“之上”等，并且由此来描述附图中图示的一个要素与另一要素的关系。空间相关术语旨在涵盖装置在使用时、在操作时和/或在制造时除附图中描绘的朝向以外的不同朝向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于其他要素或特征“下面”或“下方”的要素将位于其他要素或特征“上面”。因此，示例性术语“下面”可包含上面和下面两种方位。而且，装置可以朝向别的方向(例如，旋转90度或朝其他方位)，并且因此相应地解释本文中使用的空间相关描述符。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，术语“包括”和/或“包含”，当其在本说明书中使用时，规定所述的特征、整体、步骤、操作、要素、部件和/或它们的组合的存在，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、要素、部件和/或它们的组合。还应注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”以及其他类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且因此用于考虑会被本领域技术人员所认识到的测量、计算和/或提供的值中的内在偏差。
在本文中参考剖面图示来描述各种示例性实施例，该剖面图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图示形状之间的变化。因此，本文所公开的示例性实施例不应被解释为限于特别图示的区域形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，在图中所示的区域实际上是示意性的，并且这些区域的形状可不示出设备的区域的实际形状，并且因此不旨在限制。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不要从理想化的或过于正式的意义上去解释，除非本文中明确如此限定。
图1是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的平面图。
参考图1，显示设备1包括显示(或有效)区域da和周围区域pa，周围区域pa是非显示(或非有效)区域。像素p位于显示区域da中并且显示图像，每个像素p包括诸如有机发光二极管的显示元件(未示出)。周围区域pa是不显示图像的区域，并且可包括提供要被施加到显示区域da中的像素p的电信号的扫描驱动器和数据驱动器，并且也可包括提供诸如驱动电压和公共电压的电力的电力(或传输)线。
图2a和图2b是根据各种示例性实施例的像素的等效电路图。
参考图2a，每个像素p包括连接到扫描线sl和数据线dl的像素电路pc以及连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
像素电路pc包括驱动薄膜晶体管(tft)t1、开关tftt2和存储电容器cst。开关tftt2连接到扫描线sl和数据线dl，并且响应于通过扫描线sl输入的扫描信号sn，将通过数据线dl输入的数据信号dm传输至驱动tftt1。
存储电容器cst连接到开关tftt2和驱动电压线pl，并存储与通过开关tftt2接收的电压和通过驱动电压线pl供给的驱动电压elvdd之差对应的电压。
连接到驱动电压线pl和存储电容器cst的驱动tftt1可响应于存储电容器cst中存储的电压，控制从驱动电压线pl流向有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled的对电极接收公共电压elvss。有机发光二极管oled可发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
尽管图2a图示了像素p包括两个tft和一个存储电容器的示例性实施例，但示例性实施例并不局限于此或者受此限制。
参考图2b，像素电路pc'可包括驱动tftt1和开关tftt2、补偿tftt3、第一初始化tftt4、第一发射控制tftt5、第二发射控制tftt6以及第二初始化tftt7。
驱动tftt1的漏电极可通过第二发射控制tftt6电连接到有机发光二极管oled。驱动tftt1响应于开关tftt2的开关操作，接收数据信号dm并且将驱动电流供给到有机发光二极管oled。
开关tftt2的栅电极连接到第一扫描线sln，并且开关tftt2的源电极连接到数据线dl。开关tftt2的漏电极可连接到驱动tftt1的源电极，并且通过第一发射控制tftt5连接到驱动电压线pl。
开关tftt2执行开关操作，其中开关tftt2响应于通过第一扫描线sln传输的第一扫描信号sn被导通，并且将通过数据线dl传输的数据信号dm传输到驱动tftt1的源电极。
补偿tftt3的栅电极可连接到第一扫描线sln。补偿tftt3的源电极可连接到驱动tftt1的漏电极，并且通过第二发射控制tftt6连接到有机发光二极管oled的像素电极。补偿tftt3的漏电极可连接到存储电容器cst、第一初始化tftt4的源电极以及驱动tftt1的栅电极。补偿tftt3可响应于通过第一扫描线sln传输的第一扫描信号sn被导通，使得驱动tftt1的栅电极和驱动tftt1的漏电极彼此连接，以使驱动tftt1成为二极管连接。
第一初始化tftt4的栅电极可连接到第二扫描线sln-1。第一初始化tftt4的漏电极可连接到初始化电压线vl。第一初始化tftt4的源电极可连接到存储电容器cst、补偿tftt3的漏电极以及驱动tftt1的栅电极。第一初始化tftt4可响应于通过第二扫描线sln-1传输的第二扫描信号sn-1被导通，并且可通过将初始化电压vint传输至驱动tftt1的栅电极，执行使驱动tftt1的栅电极的电压初始化的操作。
第一发射控制tftt5的栅电极可连接到发射控制线el。第一发射控制tftt5的源电极可连接到驱动电压线pl。第一发射控制tftt5的漏电极可连接到驱动tftt1的源电极和开关tftt2的漏电极。
第二发射控制tftt6的栅电极可连接到发射控制线el。第二发射控制tftt6的源电极可连接到驱动tftt1的漏电极和补偿tftt3的源电极。第二发射控制tftt6的漏电极可电连接到有机发光二极管oled的像素电极。当第一发射控制tftt5和第二发射控制tftt6响应于通过发射控制线el传输的发射控制信号en同时被导通，驱动电压elvdd可被传输到有机发光二极管oled，并且驱动电流可流过有机发光二极管oled。
第二初始化tftt7的栅电极可连接到第三扫描线sln+1。第二初始化tftt7的源电极可连接到有机发光二极管oled的像素电极。第二初始化tftt7的漏电极可连接到初始化电压线vl。第二初始化tftt7可响应于通过第三扫描线sln+1传输的第三扫描信号sn+1被导通，并且初始化有机发光二极管oled的像素电极。
存储电容器cst的电极中的一个电极可连接到驱动tftt1的栅电极、补偿tftt3的漏电极和第一初始化tftt4的源电极。存储电容器cst的另一电极可连接到驱动电压线pl。
有机发光二极管oled的对电极接收公共电压elvss。当驱动电流在有机发光二极管oled的像素电极和对电极之间流动时，有机发光二极管oled可发光。
像素电路pc和pc'并不限于参考图2a和图2b描述的电路设计以及tft和存储电容器的数量，也不受参考图2a和图2b描述的电路设计以及tft和存储电容器的数量的限制。可对电路设计以及tft和存储电容器的数量进行各种改变。
图3是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。图4是根据一个或多个示例性实施例的图3的显示设备的部分iv的放大截面图。
参考图3，显示区域da包括第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3以及相邻像素区域之间的非像素区域npa。像素，例如，第一至第三像素p1、p2和p3分别被布置在第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3中。在本说明书中，像素区域与发光的区域即发射区域对应。
第一至第三像素p1、p2和p3可分别发射不同的颜色的光。例如，第一像素p1可发射红光，第二像素p2可发射绿光，并且第三像素p3可发射蓝光。在一个或多个示例性实施例中，显示区域da可进一步包括可发射白光的第四像素(未示出)。然而，可以预见的是，任何合适的颜色或颜色组可以与示例性实施例相关联使用。
基板100可包括诸如玻璃材料或塑料材料的各种材料，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)和聚酰亚胺(pi)。当基板100包括塑料材料时，基板100可具有比基板100包括玻璃材料时更大的柔韧性。
包括像素电路pc的电路元件层110被布置在基板100上。在一个或多个示例性实施例中，像素电路pc可包括参考图2a和图2b中的至少一个描述的tft和存储电容器。形成tft和存储电容器的层，例如，半导体层和电极层，可在层之间布置有绝缘层。像素电路pc分别被设置，以与第一至第三像素p1、p2和p3对应。
像素限定层120被布置在电路元件层110上。像素限定层120可包括与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3重叠的开口op1。
第一至第三像素p1、p2和p3分别包括电连接到像素电路pc的第一有机发光二极管oled1至第三有机发光二极管oled3。第一有机发光二极管oled1至第三有机发光二极管oled3中的每个包括像素电极、包含发射层的中间层以及对电极。
第一有机发光二极管oled1包括第一像素电极211、第一中间层221和第一对电极231。第二有机发光二极管oled2包括第二像素电极212、第二中间层222和第二对电极232。第三有机发光二极管oled3包括第三像素电极213、第三中间层223和第三对电极233。
第一至第三像素电极211、212和213的端部被像素限定层120覆盖，这可通过增加第一至第三像素电极211、212和213的端部与第一至第三对电极231、232和233之间的距离防止电气短路。第一至第三像素电极211、212和213的上表面通过像素限定层120中的开口op1被暴露，并且可分别与第一至第三中间层221、222和223重叠。
第一至第三像素电极211、212和213是分别与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3对应的岛式电极。第一至第三像素电极211、212和213在电路元件层110上彼此隔开。第一至第三像素电极211、212和213可以是反射电极或透光电极。
在第一至第三像素电极211、212和213是反射电极的情况下，第一至第三像素电极211、212和213可包括反射层，反射层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir和cr中的至少一种，或它们的化合物。还可以预见的是，第一至第三像素电极211、212和213中的每个可包括反射层以及在反射层上面和/或下面的透明导电氧化物(tco)层。在一个或多个示例性实施例中，第一至第三像素电极211、212和213中的每个可具有包括ito/ag/ito的三层结构。
在第一至第三像素电极211、212和213是透光电极的情况下，第一至第三像素电极211、212和213可以是tco层。作为另一示例，第一至第三像素电极211、212和213中的每个可以是包括ag或ag合金的薄金属层，或可以是包括薄金属层和在薄金属层上面的tco层的多层结构。
第一至第三中间层221、222和223是分别与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3对应的岛式层。第一至第三中间层221、222和223彼此隔开。第一至第三中间层221、222和223通过像素限定层120的开口op1分别被布置在第一至第三像素电极211、212和213上。
参考图3和图4，第一中间层221包括发射层221b。发射层221b可以是发射例如红光的有机发射层。第一中间层221可进一步包括在发射层221b之上和/或之下的第一功能层221a和第二功能层221c。第一功能层221a可包括空穴注入层(hil)和/或空穴传输层(htl)。第二功能层221c可包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
再次参考图3，第二中间层222包括发射层，该发射层是发射例如绿光的有机发射层。第二中间层222可进一步包括在发射层之上和/或之下的功能层，例如，hil、htl、etl和/或eil。第三中间层223包括发射层，该发射层是发射例如蓝光的有机发射层。第三中间层223可进一步包括在发射层之上和/或之下的功能层，例如，hil、htl、etl和/或eil。
第一至第三中间层221、222和223可具有不同的厚度。由于第一至第三中间层221、222和223通过下面更具体描述的工艺单独和/或分别被图案化，因此，第一至第三中间层221、222和223的功能层可具有不同的材料和不同的厚度。
第一至第三对电极231、232和233是分别与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3对应的岛式电极。第一至第三对电极231、232和233彼此隔开。第一至第三对电极231、232和233分别被布置在第一至第三中间层221、222和223上。
第一至第三对电极231、232和233的宽度w21、w22和w23可大于第一至第三中间层221、222和223的宽度w11、w12和w13。第一至第三对电极231、232和233的端部可比第一至第三中间层221、222和223的端部朝向布线层130延伸得更远。第一至第三对电极231、232和233的端部可与布线层130接触，以将公共电压提供到第一至第三对电极231、232和233。
第一至第三对电极231、232和233可以是透光电极或反射电极。第一至第三对电极231、232和233可以是包括ag、mg、al、yb、ca、li和au中的至少一种的薄金属层或厚金属层。例如，第一至第三对电极231、232和233可以是包括ag、mg、al、yb、ca、lif/ca、lif/al和au中的至少一种的单层结构或多层结构。在一个或多个示例性实施例中，第一至第三对电极231、232和233可包括包含ag和mg的薄金属层，其中ag的含量可大于mg的含量。
在一个或多个示例性实施例中，第一至第三对电极231、232和233可以是具有薄的厚度的透光电极或可以是具有厚的厚度的反射电极。例如，包括ag和mg并且具有从大约
第一至第三对电极231、232和233可分别被覆盖有第一至第三钝化层241、242和243。第一至第三钝化层241、242和243可防止第一至第三对电极231、232和233(以及其下面的层)在制造工艺期间被损坏。第一至第三钝化层241、242和243的宽度w31、w32和w33大于第一至第三对电极231、232和233的宽度w21、w22和w23。例如，第一至第三钝化层241、242和243的端部比第一至第三对电极231、232和233的端部朝向布线层130延伸得更远。以这种方式，第一至第三钝化层241、242和243的端部可与布线层130接触。第一至第三钝化层241、242和243可包括诸如siox、sinx和/或sion的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
彼此隔开的岛式第一至第三对电极231、232和233可通过布线层130彼此电连接。以这种方式，第一至第三对电极231、232和233可连接到公共电力线并且接收公共电压elvss。
布线层130与非像素区域npa对应。布线层130被布置在像素限定层120上。布线层130可与像素限定层120直接接触。布线层130可包括导电材料，例如，金属或tco，并且可以是单层或多层。
参考图3的放大部分，第一对电极231可延伸到与第一像素区域pa1邻接的非像素区域npa，以与布线层130的上表面接触。第一对电极231的部分(例如，第一对电极231的端部)可与布线层130重叠。同样地，第二对电极232和第三对电极233中的每个可延伸到与对应的像素区域邻接的非像素区域npa，以与布线层130的上表面接触。第二对电极232和第三对电极233中的每个的部分(例如，第二对电极232和第三对电极233中的每个的端部)可与布线层130重叠。以这种方式，布线层130可直接接触第一至第三对电极231、232和233。
图5是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图3的显示设备的平面图。图6是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图3的显示设备的平面图。为了便于说明和描述，图5和图6仅示出了图3的显示设备的像素限定层120、布线层130以及第一至第三对电极231、232和233。
参考图5，在一个或多个示例性实施例中，布线层130可在非像素区域npa中具有网格形状。布线层130可被布置在非像素区域npa中的像素限定层120上，并且与第一至第三对电极231、232和233直接接触。布线层130可与第一至第三对电极231、232和233的部分重叠。
参考图6，在一个或多个示例性实施例中，多个布线层130'被布置在非像素区域npa中。布线层130'中的每个可在非像素区域npa中具有条形形状。具有条形形状的布线层130'可被布置在非像素区域npa中的像素限定层120上。布线层130'可与第一至第三对电极231、232和233直接接触，并且与第一至第三对电极231、232和233的部分重叠。
参考图5和图6，布线层130和130'可以以各种形状被图案化。布线层130和130'的形状不限于图5和图6中所示的网格形状或条形形状。还应注意，布线层130或130'可连接到第一至第三对电极231、232和233，使得第一至第三对电极231、232和233通过布线层130或130'彼此电连接(或耦接)。例如，在x方向彼此相邻的第一至第三对电极231、232和233可通过布线层130'的公共布线层彼此电连接。
图7a和图7b是根据各种示例性实施例的显示设备的电路元件层的截面图。
参考图7a，驱动tftt1可包括驱动半导体层a1、驱动栅电极g1、驱动源电极s1和驱动漏电极d1。开关tftt2可包括开关半导体层a2、开关栅电极g2、开关源电极s2和开关漏电极d2。存储电容器cst可包括第一存储电容器板ce1和第二存储电容器板ce2。
栅绝缘层103被布置在驱动和开关半导体层a1和a2与驱动和开关栅电极g1和g2之间。电介质层105被布置在第一存储电容器板ce1和第二存储电容器板ce2之间。层间绝缘层107被布置在驱动和开关栅电极g1和g2与驱动和开关源/漏电极s1、d1、s2和d2之间。平坦化绝缘层109被布置在驱动和开关源/漏电极s1、d1、s2和d2上。
栅绝缘层103可以是包括诸如sinx和/或siox的无机材料的单层或多层。电介质层105和层间绝缘层107可以是包括诸如siox、sinx和/或al2o3的无机材料的单层或多层。平坦化绝缘层109可包括有机材料，有机材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物，具有苯酚类基团的聚合物衍生物，丙烯酰基类聚合物，酰亚胺类聚合物，芳基醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物，乙烯醇类聚合物或它们的混合物。然而，示例性实施例并不局限于此或者受此限制。
尽管图7a图示了存储电容器cst与驱动tftt1重叠，并且驱动栅电极g1还用作第一存储电容器板ce1，但是示例性实施例并不局限于此或者受此限制。
参考图7b，存储电容器cst与驱动tftt1不重叠。例如，第一存储电容器板ce1和驱动栅电极g1包括相同的材料。第二存储电容器板ce2包括与驱动源电极s1和驱动漏电极d1的材料相同的材料。层间绝缘层107可被布置在第一存储电容器板ce1和第二存储电容器板ce2之间。
尽管参考图7a和图7b描述的示例性实施例包括驱动tftt1和开关tftt2的、分别被布置在驱动半导体层a1和开关半导体层a2之上的驱动栅电极g1和开关栅电极g2，但是示例性实施例并不局限于此或者受此限制。例如，驱动栅电极g1和开关栅电极g2可分别被布置在驱动半导体层a1和开关半导体层a2的下面。根据驱动栅电极g1和开关栅电极g2的位置，在一个或多个示例性实施例中驱动半导体层a1和开关半导体层a2可被直接布置在缓冲层101上，或者在其他示例性实施例中驱动栅电极g1和开关栅电极g2可被直接布置在缓冲层101上。还可以预见的是，双栅结构可与一个或多个示例性实施例相关联使用。
图8a至图8h是根据一个或多个示例性实施例的图3的显示设备在各个制造阶段的截面图。
参考图8a，包括像素电路pc的电路元件层110被形成在基板100上。第一至第三像素电极211、212和213被形成在电路元件层110上。第一至第三像素电极211、212和213分别与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3对应。例如，第一至第三像素电极211、212和213可通过在电路元件层110上形成预备像素电极层(未示出)并且然后图案化预备像素电极层而形成。由于上面已经参考图3描述了基板100的材料以及第一至第三像素电极211、212和213的材料，因此重复的描述被省略。
具有分别暴露第一至第三像素电极211、212和213的开口op1的像素限定层120通过在第一至第三像素电极211、212和213上形成绝缘层(未示出)并且然后图案化绝缘层而形成。像素限定层120的绝缘层可以是有机材料。在一个或多个示例性实施例中，像素限定层120的绝缘层可以是无机材料或可包括有机材料和无机材料。
参考图8b，布线层130被形成在非像素区域npa中。布线层130可包括导电材料，例如，金属或tco，并且可以是单层或多层。
布线层130可使用各种方法形成。在一个或多个示例性实施例中，布线层130可通过形成导电材料层(未示出)并且然后对导电材料层进行光刻以及湿刻或干刻来被形成在非像素区域npa中的像素限定层120上。对于刻蚀，干刻可用于精细图案化。在这种情况下，为了防止第一至第三像素电极211、212和213被损坏，布线层130的导电材料可包括具有与第一至第三像素电极211、212和213的材料的刻蚀选择性不同的刻蚀选择性的材料。
在一个或多个示例性实施例中，布线层130可通过在与布线层130对应的部分上形成包含正性或负性抗蚀材料的掩模层(未示出)并且然后通过诸如热蒸镀等方法沉积导电材料而形成。由于第一至第三像素电极211、212和213被掩模层覆盖，因此与上面描述的干刻不同，在形成布线层130的工艺期间，第一至第三像素电极211、212和213可不被损坏。在这种情况下，布线层130的导电材料可包括与第一至第三像素电极211、212和213的材料相同的材料。
参考图8c，包括与第一像素区域pa1对应的开口部分的第一掩模层1010被形成。第一掩模层1010可包括第一光敏图案层1210和第一辅助层1110，第一辅助层1110位于第一光敏图案层1210和像素限定层120之间。
在一个或多个示例性实施例中，第一掩模层1010可通过下面描述的工艺形成。
非光敏有机材料层(未示出)可被形成在布线层130已经形成在其上的基板100之上，并且光阻层(未示出)可被形成在非光敏有机材料层上。非光敏有机材料层可包括例如氟类材料，但示例性实施例并不局限于此或者受此限制。光阻层可包括正性光敏材料。
具有第一开口区域or1的第一光敏图案层1210可通过对与第一像素区域pa1对应的光阻层的部分进行曝光和显影而形成。第一辅助开口区域aor1可通过刻蚀通过第一开口区域or1暴露的非光敏有机材料层形成。通过刻蚀，第一辅助层1110的第一辅助开口区域aor1可比第一开口区域or1形成得更大(例如，更宽)。
第一辅助层1110被布置在布线层130上，不覆盖布线层130的端部，并且因此，暴露布线层130的端部(例如，邻近第一像素电极211的端部)。
参考图8d，第一中间层221、第一对电极231和第一钝化层241被顺序形成在第一掩模层1010已经形成在其上的基板100之上。由于上面已经参考图3描述了第一中间层221、第一对电极231和第一钝化层241的材料，因此重复的描述被省略，并且下面主要描述其工艺。
第一中间层221和第一对电极231可通过热蒸镀形成。用于形成第一中间层221和第一对电极231的沉积材料可在垂直于基板100的方向上以及相对于基板100倾斜的方向上朝向基板100移动。以这种方式，第一中间层221的端部和第一对电极231的端部可延伸到第一光敏图案层1210下面的空间而不接触第一辅助层1110。当沉积材料在倾斜的方向上沉积时，第一中间层221和第一对电极231的端部可具有向前的锥形。第一对电极231的端部可比第一中间层221的端部延伸得更远，使得第一对电极231具有比第一中间层221的宽度更大的宽度，并且可与布线层130接触。第一对电极231可与布线层130的上表面直接接触并且可直接电连接到布线层130。
在一个或多个示例性实施例中，第一钝化层241可通过化学气相沉积(cvd)形成。用于形成第一钝化层241的沉积材料可在垂直于基板100的方向上以及相对于基板100倾斜的方向上朝向基板100移动。以这种方式，第一钝化层241的端部可延伸到第一光敏图案层1210下面的空间而不接触第一辅助层1110。第一钝化层241的端部可具有向前的锥形。为了防止第一对电极231(以及布置在其下面的层)在后续工艺期间被损坏，第一钝化层241可具有比第一对电极231的宽度更大的宽度。
参考图8e，第一掩模层1010通过剥离工艺被去除。在一个或多个示例性实施例中，在第一辅助层1110是氟类材料的情况下，第一辅助层1110可使用氟类溶剂被去除。当第一辅助层1110被去除时，第一辅助层1110上的第一光敏图案层1210以及堆叠在第一光敏图案层1210上的第一中间层221、第一对电极231和第一钝化层241同时被去除。此外，第一中间层221、第一对电极231和第一钝化层241以岛式形状留在第一像素区域pa1中。
第一钝化层241可在剥离工艺期间保护第一有机发光二极管oled1。也就是说，第一钝化层241可防止在剥离工艺期间诸如氟类溶剂的用于去除第一掩模层1010的材料渗透到第一有机发光二极管oled1中并损坏第一有机发光二极管oled1。
参考图8f，包括与第二像素区域pa2对应的开口部分的第二掩模层1020被形成。第二掩模层1020可包括第二光敏图案层1220和第二辅助层1120，第二辅助层1120位于第二光敏图案层1220和像素限定层120之间。第二辅助层1120和第二光敏图案层1220可分别包括与第一辅助层1110和第一光敏图案层1210的材料相同的材料，并且可通过上面描述的相同的工艺被形成。
第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242可被顺序形成在第二掩模层1020已经形成在其上的基板100之上。由于上面已经参考图3描述了第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242的材料，因此重复的描述被省略。第二中间层222和第二对电极232可通过热蒸镀形成，并且第二钝化层242可通过cvd形成。
用于形成第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242的沉积材料可在垂直于基板100的方向上以及相对于基板100倾斜的方向上朝向基板100移动。以这种方式，第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242的端部可具有向前的锥形而不接触第二辅助层1120。
第二对电极232的端部可比第二中间层222的端部延伸得更远，使得第二对电极232具有比第二中间层222的宽度更大的宽度，并且可与布线层130接触。第二对电极232可与布线层130的上表面直接接触并且直接电连接到布线层130。第二钝化层242具有比第二对电极232的宽度更大的宽度，并且因此，可防止第二对电极232(以及布置在其下面的层)被损坏。
第二掩模层1020可通过剥离工艺被去除。例如，通过使用氟类溶剂去除第二辅助层1120，可同时去除第二辅助层1120上的第二光敏图案层1220、第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242。此外，第二中间层222、第二对电极232和第二钝化层242以岛式形状留在第二像素区域pa2中。
参考图8g，具有与第三像素区域pa3对应的开口部分的第三掩模层1030被形成。第三掩模层1030可包括第三光敏图案层1230和第三辅助层1130，第三辅助层1130位于第三光敏图案层1230和像素限定层120之间。第三辅助层1130和第三光敏图案层1230可分别包括与第一辅助层1110和第一光敏图案层1210的材料相同的材料，并且可通过与用于形成第一辅助层1110和第一光敏图案层1210的工艺相同的工艺被形成。
第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243被顺序形成在第三掩模层1030已经形成在其上的基板100之上。由于上面已经参考图3描述了第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243的材料，因此重复的描述被省略。第三中间层223和第三对电极233可通过热蒸镀形成，并且第三钝化层243可通过cvd形成。
用于形成第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243的沉积材料可在垂直于基板100的方向上以及相对于基板100倾斜的方向上朝向基板100移动。以这种方式，第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243可具有向前的锥形而不接触第三辅助层1130。
第三对电极233的端部可比第三中间层223的端部延伸得更远，使得第三对电极233具有比第三中间层223的宽度更大的宽度，并且可与布线层130接触。第三对电极233可与布线层130的上表面直接接触并且直接电连接到布线层130。第三钝化层243具有比第三对电极233的宽度更大的宽度，并且因此，可防止第三对电极233(以及布置在其下面的层)被损坏。
参考图8h，第三掩模层1030通过剥离工艺被去除。例如，通过使用氟类溶剂去除第三辅助层1130，可同时去除第三辅助层1130上的第三光敏图案层1230、第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243。此外，第三中间层223、第三对电极233和第三钝化层243以岛式形状留在第三像素区域pa3中。
图9是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
参考图9，由于除了布线层130a的构造之外显示设备2具有与参考图3描述的显示设备1的构造类似的构造，因此下面主要描述区别之处。
布线层130a可具有包括第一金属层131、第二金属层133以及在第一金属层131和第二金属层133之间的透光层132的多层结构。布线层130a可防止入射到显示设备2的光被布线层130a反射，并且因此，可防止反射的光从外部被观察到。例如，被第一金属层131反射的光l2可与被第二金属层133反射的光l1相消干涉，并且以这种方式，光l1和l2不会从外部被观察到。
尽管第一金属层131和第二金属层133可包括诸如mo和ti的金属，但示例性实施例并不局限于此或者受此限制。透光层132可包括诸如siox的透光无机材料，或透明氧化物。在透光层132包括诸如siox的绝缘材料的情况下，布线层130a的第二金属层133可基本用作将公共电压elvss供给到第一至第三对电极231、232和233的布线。
布线层130a可在如参考图8b描述的形成第一至第三像素电极211、212和213之后被形成。在这种情况下，布线层130a例如第一金属层131、第二金属层133和透光层132的材料可包括具有与第一至第三像素电极211、212和213的材料的刻蚀选择性不同的刻蚀选择性的材料。
图10是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。图11是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图10的显示设备的平面图。图12是根据一个或多个示例性实施例的沿方向k观察的图10的显示设备的平面图。为了便于描述，图11和图12仅图示了图10的显示设备的像素限定层120、布线层130b以及第一至第三对电极231'、232'和233'。图10至图12的显示设备与图3、图5和图6的显示设备类似，并且因此，下面描述主要的区别之处。
参考图10，显示设备3包括基板100、包括像素电路pc的电路元件层110、第一至第三有机发光二极管oled1'、oled2'和oled3'以及第一至第三钝化层241'、242'和243'。
第一至第三有机发光二极管oled1'、oled2'和oled3'分别包括第一至第三像素电极211、212和213、第一至第三中间层221'、222'和223'以及第一至第三对电极231'、232'和233'。第一至第三有机发光二极管oled1'、oled2'和oled3'分别被覆盖有第一至第三钝化层241'、242'和243'。第一至第三钝化层241'、242'和243'可以是包括诸如siox、sinx和/或sion的无机绝缘材料的单层或多层。
参考图3和图4已经描述了显示设备3的基板100以及第一至第三有机发光二极管oled1'、oled2'和oled3'，并且参考图7a和图7b已经描述了电路元件层110。因此，下面主要描述区别之处。
布线层130b被布置在非像素区域npa中的像素限定层120上。布线层130b的部分分别在第一至第三钝化层241'、242'和243'上延伸。分别与第一至第三对电极231'、232'和233'重叠的布线层130b的部分可通过接触孔240h与第一至第三对电极231'、232'和233'接触，接触孔240h被形成在第一至第三钝化层241'、242'和243'中。例如，布线层130b可通过接触孔240h与第一至第三对电极231'、232'和233'的上表面直接接触。
如图11和图12中所示，接触孔240h可分别与第一至第三对电极231'、232'和233'的边缘对应。例如，接触孔240h可分别暴露第一至第三对电极231'、232'和233'在非像素区域npa中的端部，像素限定层120分别被设置在非像素区域npa中。
布线层130b或130b'与第一至第三对电极231'、232'和233'的部分重叠，并且通过接触孔240h与第一至第三对电极231'、232'和233'的部分直接接触。以这种方式，具有岛式形状并且彼此隔开的第一至第三对电极231'、232'和233'可通过布线层130b或130b'被电连接，并且接收公共电压elvss。
尽管布线层130b和130b'可被图案化以具有如图11所示的网格形状或具有如图12所示的条形形状，但示例性实施例并不局限于此或者受此限制。
再次参考图10，布线层130b包括导电材料。
根据一个或多个示例性实施例，如图10的放大部分中所示，布线层130b可具有包括第一金属层131'、第二金属层133'以及布置在第一金属层131'和第二金属层133'之间的透光层132'的多层结构。由于被第一金属层131'反射的光l2(图9所示)可与被第二金属层133'反射的光l1(图9所示)相消干涉，使得光l1和l2不被外部用户观察到，因此可减少外部光的反射。尽管第一金属层131'和第二金属层133'可包括诸如mo和ti的金属，但示例性实施例并不局限于此或者受此限制。透光层132'可包括诸如siox或tco的透光无机材料。在透光层132'包括诸如siox的绝缘材料的情况下，布线层130b的第一金属层131'可基本用作将公共电压elvss供给到第一至第三对电极231'、232'和233'的布线。
在一个或多个示例性实施例中，布线层130b可以是包括金属的单层或多层，或者可以是包括透明氧化物的单层或多层。由于布线层130b在第一至第三钝化层241'、242'和243'形成之后被形成，因此布线层130b可包括与第一至第三像素电极211、212和213的材料相同或者不同的材料。
图13a至图13f是根据一个或多个示例性实施例的图10的显示设备在各个制造阶段的截面图。
参考图13a，在基板100之上顺序形成电路元件层110以及第一至第三像素电极211、212和213之后，形成包括暴露第一至第三像素电极211、212和213的开口op1的像素限定层120。由于上面已经参考图8a描述了用于形成电路元件层110、第一至第三像素电极211、212和213以及像素限定层120的工艺，因此重复的描述被省略。
参考图13b，在形成包括与第一像素区域pa1对应的开口部分的第一掩模层1010之后，顺序形成第一中间层221'、第一对电极231'和第一钝化层241'。此外，通过剥离工艺去除第一掩模层1010，在第一像素区域pa1中形成被布置成岛式的第一中间层221'、第一对电极231'和第一钝化层241'。
由于第一掩模层1010的材料和结构，形成第一中间层221'、第一对电极231'和第一钝化层241'的工艺，剥离工艺等与上面参考图8c和图8d描述的相同，因此重复的描述被省略。
参考图13c，在形成包括与第二像素区域pa2对应的开口部分的第二掩模层1020之后，顺序形成第二中间层222'、第二对电极232'和第二钝化层242'。此外，通过剥离工艺去除第二掩模层1020，在第二像素区域pa2中形成被布置成岛式的第二中间层222'、第二对电极232'和第二钝化层242'。
由于第二掩模层1020的材料和结构，形成第二中间层222'、第二对电极232'和第二钝化层242'的工艺，剥离工艺等与上面参考图8e和图8f描述的相同，因此重复的描述被省略。
参考图13d，在形成包括与第三像素区域pa3对应的开口部分的第三掩模层1030之后，顺序形成第三中间层223'、第三对电极233'和第三钝化层243'。此外，通过剥离工艺去除第三掩模层1030，在第三像素区域pa3中形成被布置成岛式的第三中间层223'、第三对电极233'和第三钝化层243'。
由于第三掩模层1030的材料和结构，形成第三中间层223'、第三对电极233'和第三钝化层243'的工艺，剥离工艺等与上面参考图8g描述的相同，因此重复的描述被省略。
参考图13e，接触孔240h被形成在第一至第三钝化层241'、242'和243'中。第一至第三对电极231'、232'和233'通过接触孔240h被暴露。例如，接触孔240h可暴露第一至第三对电极231'、232'和233'在非像素区域npa中的端部(例如，边缘)。
参考图13f，布线层130b通过形成导电材料层(未示出)并图案化该导电材料层而形成。布线层130b可通过光刻以及湿刻或干刻形成。布线层130b可通过接触孔240h与第一至第三对电极231'、232'和233'接触。
由于布线层130b在第一至第三钝化层241'、242'和243'形成之后被形成，因此不像上面参考图9描述的布线层130a，布线层130b可包括各种材料而没有限制。
图14是根据一个或多个示例性实施例的显示设备的截面图。
参考图14，显示设备4包括基板100、包括像素电路pc的电路元件层110、第一至第三有机发光二极管oled1”、oled2”和oled3”、第一至第三钝化层241”、242”和243”以及布线层130c。由于基板100和电路元件层110与上面描述的相同，因此下面主要描述区别之处。
布线层130c可被布置在非像素区域npa中的电路元件层110上。布线层130c可被布置在第一至第三像素电极211、212和213被布置在其中的同一层中。为了本公开的目的，元件被布置在同一层中意味着直接在元件下方的层彼此相同或直接在元件上的层彼此相同。例如，布线层130c以及第一至第三像素电极211、212和213可被布置在电路元件层110和像素限定层120之间，并且与电路元件层110和像素限定层120接触。布线层130c可包括与第一至第三像素电极211、212和213的材料相同的材料。
像素限定层120可覆盖第一至第三像素电极211、212和213的端部以及布线层130c的端部。像素限定层120可包括暴露第一至第三像素电极211、212和213的开口op1以及暴露布线层130c的附加开口op2。
第一至第三中间层221、222和223分别被布置在通过开口op1暴露的第一至第三像素电极211、212和213上。第一至第三对电极231”、232”和233”可具有比第一至第三中间层221、222和223的宽度更大的宽度。
第一至第三对电极231”、232”和233”朝向布线层130c的分别邻近于第一至第三像素电极211、212和213的部分延伸，以与通过附加开口op2暴露的布线层130c的至少部分重叠并且直接接触。例如，第一至第三对电极231”、232”和233”可覆盖像素限定层120的布置在像素区域pa1、pa2和pa3与布线层130c之间的部分，并且第一至第三对电极231”、232”和233”可延伸至与布线层130c接触。
尽管图14图示了第一至第三对电极231”、232”和233”与布线层130c的部分重叠且接触的结构，但是第一至第三对电极231”、232”和233”可与通过附加开口op2暴露的布线层130c完全重叠(或者完全覆盖布线层130c)并且与布线层130c直接接触。
第一至第三钝化层241”、242”和243”分别覆盖第一至第三对电极231”、232”和233”。第一至第三钝化层241”、242”和243”具有比第一至第三对电极231”、232”和233”的宽度更大的宽度。例如，第一至第三钝化层241”、242”和243”的端部可比第一至第三对电极231”、232”和233”的端部延伸得更远。
尽管未示出，如上所述，布线层130c可在平面图中具有各种图案，诸如，网格形状或条形形状。
图15a至图15e是根据一个或多个示例性实施例的图14的显示设备在各个制造阶段的截面图。
参考图15a，在电路元件层110被形成在基板100上之后，第一至第三像素电极211、212和213以及布线层130c被形成在电路元件层110上。第一至第三像素电极211、212和213分别与第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3对应。布线层130c与非像素区域npa对应。例如，第一至第三像素电极211、212和213以及布线层130c可通过在电路元件层110上形成预备像素电极层(未示出)并且图案化预备像素电极层而形成。第一至第三像素电极211、212和213的材料与上面参考图3描述的材料相同，并且布线层130c包括与第一至第三像素电极211、212和213的材料相同的材料。
包括开口op1和附加开口op2的像素限定层120通过形成绝缘材料层(未示出)并且图案化绝缘材料层而形成，各开口op1分别暴露第一至第三像素电极211、212和213的各部分，并且各附加开口op2分别暴露布线层130c的各部分。用于形成像素限定层120的绝缘材料层的绝缘材料可以是有机材料。在一个或多个示例性实施例中，绝缘材料可以是无机材料，或可包括有机材料和无机材料。
参考图15b，第一掩模层1010被形成，第一掩模层1010包括与第一像素区域pa1对应的开口部分和非像素区域npa的邻近第一像素区域pa1的部分。第一掩模层1010可包括第一光敏图案层1210和第一辅助层1110，第一辅助层1110被布置在第一光敏图案层1210和像素限定层120之间。第一像素电极211和布线层130c的邻近第一像素电极211的部分通过第一掩模层1010的开口部分被暴露，并且布线层130c的其余部分被第一掩模层1010覆盖。由于上面已经参考图8c描述了第一掩模层1010的结构和材料以及形成第一掩模层1010的工艺，因此重复的描述被省略。
第一中间层221、第一对电极231”和第一钝化层241”被顺序形成在第一掩模层1010已经形成在其上的基板100之上。
当第一中间层221、第一对电极231”的沉积材料在垂直于基板100的方向上以及在相对于基板100倾斜的方向上朝向基板100移动时，第一中间层221的端部和第一对电极231”的端部可延伸到第一光敏图案层1210下面的空间，而不接触第一辅助层1110。第一中间层221被形成在通过开口op1暴露的第一像素电极211上。第一对电极231”具有比第一中间层221的宽度更大的宽度。第一对电极231”的端部比第一中间层221的端部延伸得更远，至少与布线层130c的通过第一掩模层1010的开口部分暴露的部分重叠，并且与布线层130c直接接触。第一钝化层241”覆盖第一对电极231”并且具有比第一对电极231”的宽度更大的宽度。
第一掩模层1010通过剥离工艺被去除。第一中间层221、第一对电极231”和第一钝化层241”被布置在第一像素区域pa1中。第一对电极231”的与布线层130c的部分重叠的端部可与布线层130c直接接触。
参考图15c，第二掩模层1020被形成。第二掩模层1020包括与第二像素区域pa2对应的开口部分和非像素区域npa的邻近第二像素区域pa2的部分。第二像素电极212和布线层130c的邻近第二像素电极212的部分通过第二掩模层1020中的开口部分被暴露，布线层130c的其余部分被第二掩模层1020覆盖。由于已经参考图8f描述了第二掩模层1020的结构和材料以及形成第二掩模层1020的工艺，因此重复的描述被省略。
第二中间层222、第二对电极232”和第二钝化层242”被顺序形成在第二掩模层1020已经形成在其上的基板100之上。
第二中间层222被形成在通过开口op1暴露的第二像素电极212上。第二对电极232”具有比第二中间层222的宽度更大的宽度。第二对电极232”的端部比第二中间层222的端部延伸得更远，至少与布线层130c的通过第二掩模层1020的开口部分暴露的部分重叠，并且与布线层130c直接接触。第二钝化层242”覆盖第二对电极232”并且具有比第二对电极232”的宽度更大的宽度。
第二掩模层1020通过剥离工艺被去除。第二中间层222、第二对电极232”和第二钝化层242”被布置在第二像素区域pa2中。第二对电极232”的与布线层130c的部分重叠的端部可与布线层130c直接接触。
参考图15d，第三掩模层1030被形成。第三掩模层1030包括与第三像素区域pa3对应的开口部分和非像素区域npa的邻近第三像素区域pa3的部分。第三像素电极213和布线层130c的邻近第三像素电极213的部分通过第三掩模层1030的开口部分被暴露，并且布线层130c的其余部分被第三掩模层1030覆盖。由于上面已经参考图8g描述了第三掩模层1030的结构和材料以及形成第三掩模层1030的工艺，因此重复的描述被省略。
第三中间层223、第三对电极233”和第三钝化层243”被顺序形成在第三掩模层1030已经形成在其上的基板100之上。
第三中间层223被形成在通过开口op1暴露的第三像素电极213上。第三对电极233”具有比第三中间层223的宽度更大的宽度。第三对电极233”的端部比第三中间层223的端部延伸得更远，至少与布线层130c的通过第三掩模层1030的开口部分暴露的部分重叠，并且与布线层130c直接接触。第三钝化层243”覆盖第三对电极233”并且具有比第三对电极233”的宽度更大的宽度。
第三掩模层1030通过剥离工艺被去除。第三中间层223、第三对电极233”和第三钝化层243”被布置在第三像素区域pa3中。第三对电极233”的与布线层130c的部分重叠的端部可与布线层130c直接接触。
参考图15e，通过上述工艺，第一至第三像素区域pa1、pa2和pa3的第一至第三对电极231”、232”和233”分别与布线层130c的部分重叠，与布线层130c直接接触，彼此电连接，并且接收相同的公共电压elvss。
图16和图17是根据各种示例性实施例的显示设备的截面图。由于图16的显示设备5和图17的显示设备6关于布线层130d和130e的结构彼此不同，但是关于其他特征与显示设备1至4类似，因此下面主要描述区别之处。
布置在电路元件层110上的布线层130d或130e以及暴露布线层130d或130e的像素限定层120的附加开口op3可以以各种形式被提供。在一个或多个示例性实施例中，在截面图中，布线层130d或130e的一个或多个部分可被布置在彼此相邻的像素区域之间。
参考图16，布线层130d的一个部分可被布置在彼此相邻的像素区域(例如，第一像素区域pa1和第二像素区域pa2)之间，并且像素限定层120的附加开口op3中的一个可暴露布线层130d的该部分。
在一个或多个示例性实施例中，通过附加开口op3中的每个被暴露的布线层130d的上表面可与相邻像素的所有对电极接触。例如，布置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2之间的布线层130d的上表面可与第一对电极231”'和第二对电极232”'直接接触。布置在第二像素区域pa2和第三像素区域pa3之间的布线层130d的上表面可与第二对电极232”'和第三对电极233”'直接接触。
参考图17，在一个或多个示例性实施例中，通过附加开口op3中的一个被暴露的布线层130e的上表面可与一个相邻像素区域的对电极接触。例如，布置在第一像素区域pa1和第零像素区域(未示出)之间的布线层130e的上表面可与第一对电极231””直接接触，并且布置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2之间的布线层130e的上表面可与第二对电极232””直接接触，第零像素区域被布置在第一像素区域pa1的左侧上。此外，布置在第二像素区域pa2和第三像素区域pa3之间的布线层130e的上表面可与第三对电极233””直接接触。
尽管本文已经描述特定示例性实施例和实现，但是其他实施例和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不局限于这样的实施例，而是受限于所提供的权利要求的更广范围以及各种明显的修改和等同布置。
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