一种像素结构及其制作方法、显示面板与流程

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制作方法、显示面板。

背景技术：

目前常见的显示面板多采用红绿蓝(redgreenblue，rgb)三色发光像素结构，该结构在制作过程中会使用到精细掩膜板。随着显示面板的彩色化、高分辨率和大面积化，精细掩膜板直接影响着显示面板的画质，所以对精细掩膜板尺寸精度及定位精度提出了更加苛刻的要求。

然而，在所使用的精细掩膜板的开口率过大，像素每英寸(pixelsperinch，ppi)过高时，会使得各个子像素之间距离过近，致使所制作的各子像素之间出现有机膜层互相交叠的现象，其中，子像素的有机膜层包括构成子像素的层叠设置的传输层、发光层、注入层等。图1为一种现有的像素结构俯视图，如图1所示，各子像素之间的有机膜层互相交叠连成整张膜层，这种结构上的误差会使得显示面板在工作过程中，各子像素间产生横向串扰电流，进而造成低灰阶色偏。所谓的低灰阶色偏，即是单一点亮一个子像素时，另外两个颜色的子像素可能被串扰电流或tft漏电点亮，造成单色不纯，从而无法配出需要的颜色，在低灰阶下，子像素这种由于横向串扰电流造成的亮度偏差便会非常明显，使得在白画面色坐标中，无法将显示面板的白光调进规格内。

综上所述，现有的像素结构存在着低灰阶色偏的问题。

技术实现要素：

本发明提供一种像素结构及其制作方法、显示面板，用以解决现有的像素结构存在着低灰阶色偏的问题。

本发明实施例提供一种像素结构，包括：

相邻设置的第一子像素和第二子像素；

所述第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与所述第一电极电性相反的第二电极；所述第一传输层用于调节所述第一子像素的光学腔长；

所述第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与所述第三电极电性相反的第四电极；所述第二传输层用于调节所述第二子像素的光学腔长；

所述第一电极和所述第三电极电性相同；

所述第一传输层和所述第二传输层之间部分或全部隔离。

可选的，所述第一子像素还包括：位于所述第一传输层和所述第一电极之间的第一注入层；

所述第二子像素还包括：位于所述第二传输层和所述第三电极之间的第二注入层；

所述第一注入层和所述第二注入层之间相互隔离。

可选的，所述第一子像素还包括：位于所述第一传输层和所述第一发光层之间的第一阻挡层；

所述第二子像素还包括：位于所述第二传输层和所述第二发光层之间的第二阻挡层；

所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间相互隔离。

可选的，所述第一子像素还包括：位于所述第一发光层和所述第二电极之间的第三传输层；

所述第二子像素还包括：位于所述第二发光层和所述第四电极之间的第四传输层；

所述第三传输层和所述第四传输层之间相互隔离；且，所述第三传输层与所述第一传输层掺杂类型相反，所述第四传输层和所述第二传输层的掺杂类型相反。

可选的，所述第一子像素还包括：设置于所述第二电极表面的光取出层；

所述第二子像素还包括：设置于所述第四电极表面的光取出层；

所述光取出层用于增加所述第二电极和所述第四电极的透光率。

可选的，所述第一电极和所述第三电极电性相同。

可选的，所述第二传输层与所述第一传输层材料相同且厚度不同。

可选的，所述第二传输层与所述第一传输层材料不同。

本发明实施例提供一种像素结构制作方法，包括：

在基板上制作第一电极层；所述第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极；

在所述第一电极层上沉积传输层；

在所述传输层上与所述第一电极位置对应的区域沉积第一发光层，以及，在所述传输层上与所述第三电极位置对应的区域沉积第二发光层；

刻蚀所述第一发光层和所述第二发光层之间的区域直至部分或完全刻蚀所述传输层；

在所述第一发光层表面制作第二电极，以及，在所述第二发光层表面制作第四电极。

本发明实施例提供一种像素结构制作方法，包括：

在所述基板上制作第一电极层；所述第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极；

利用第一图案化掩膜，在所述第一电极层上与所述第一电极位置对应的区域依次生长第一传输层和第一发光层，以及，利用第二图案化掩膜，在所述第一电极层上与所述第三电极位置对应的区域依次生长第二传输层和第二发光层；所述第二传输层和所述第一传输层相互隔离；

在所述第一发光层表面制作第二电极，以及，在所述第二发光层表面制作第四电极。

本发明实施例提供一种显示面板，包含上述任一项所述的像素结构。

综上所述，本发明实施例提供一种像素结构及其制作方法、显示面板，包括：相邻设置的第一子像素和第二子像素；第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与第一电极电性相反的第二电极；第一传输层用于调节第一子像素的光学腔长；第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与第三电极电性相反的第四电极；第二传输层用于调节第二子像素的光学腔长；第一传输层和第二传输层之间部分或全部隔离。载流子在传输层中传输时，会发生横向串扰，由于像素结构中，传输层厚度较厚，使得在传输层中发生横向串扰的载流子成为导致横向串扰电流的最主要、最直接的因素，本发明实施例将第一传输层和第二传输层部分或全部隔离，能够减少在传输层中发生横向串扰的载流子数量，从而降低了横向串扰电流，进而降低了像素结构的低灰阶色偏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种现有的像素结构俯视图；

图2为一种现有的像素结构切面图；

图3为本发明实施例提供的一种像素结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种包含注入层的像素结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种包含阻挡层的像素结构示意图；

图6所示，为本发明实施例所提供的一种像素结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的一种可行的像素结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种像素结构制作方法流程示意图；

图9为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种可行的像素结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种像素结构制作方法流程示意图；

图14为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

图2为一种现有的像素结构切面图，如图2所示，像素结构中包含蓝发光层、绿发光层和红发光层，分别对应像素结构中的蓝子像素、绿子像素和红子像素。此外，图2所示的像素结构中，空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、电子传输层皆为三个子像素所共有。其中，空穴传输层被用来调节三个子像素的光学腔长，从而影响如色坐标、光谱位置等性能，因此，空穴传输层的厚度较其它层厚得多。在图2所示的像素结构工作时，如发蓝光时，空穴从空穴注入层进入空穴传输层并向蓝发光层运动，在空穴运动过程，有概率流向其它子像素下的空穴传输层，即横向串扰。由于空穴传输层较厚，使得空穴在运动过程中有相当大数量的空穴发生横向串扰，宏观上看便是产生了串扰电流，从而使像素结构的发光精度降低，产生了低灰阶色偏。

申请人经过大量的实验研究和理论推理发现了传输层与像素结构的低灰阶色偏之间的上述关系，从而提出了如图3所示的像素结构。图3为本发明实施例提供的一种像素结构示意图，如图3所示，像素结构包括：相邻设置的第一子像素1和第二子像素2；第一子像素包括依次层叠设置的第一电极11、第一传输层12、第一发光层13和与第一电极电性相反的第二电极14；第一传输层12用于调节第一子像素1的光学腔长；第二子像素2包括依次层叠设置的第三电极21、第二传输层22、第二发光层23和与第三电极21电性相反的第四电极24；第二传输层22用于调节第二子像素2的光学腔长；第一传输层11和第二传输层22之间全部隔离。具体实现结构中，可选的，第一电极11和第三电极21电性相同。像素结构中可以包含多个子像素，针对其中任意两个相邻的子像素，其中一个为第一子像素1，另一个为第二子像素2，例如，常见的三色像素结构，第一子像素1可以是三个子像素中的任一个，第二子像素2也可以是三个子像素中的任一个，一般对于绝大多数的三色像素结构，相邻的子像素之间并不会发相同颜色的光，所以一般情况下，第一子像素1和第二子像素2为不同颜色的子像素。应理解，本发明实施例以第一子像素1和第二子像素2描述像素结构中两个相邻子像素之间的结构关系，并不代表本发明实施例所公开的像素结构中只包含第一子像素1和第二子像素2这两个子像素。第一传输层12和第二传输层22之间相互隔离，隔离方式可以是如图3所示的在第一传输层12和第二传输层22之间设置隔离空间的形式，也可以在隔离空间中填充绝缘材料以增加像素结构的强度。一般情况下，第一传输层12和第二传输层22的属性类型相同，都为p型或n型层。在图3所示的子像素结构发光时，以单独点亮第一子像素1为例，电性相反的第一电极11和第二电极14为第一子像素1构成了一条通路，载流子从第一电极11注入第一传输层12，沿第一传输层12向第一发光层13运动，由于第一传输层12和第二传输层22之间相互隔离，第一传输层12中的载流子无法向第二传输层22横向运动，从而从根本上避免了横向串扰电流的产生，降低了像素结构的低灰阶色偏。应理解，在图3所示的第一传输层12和第二传输层22之间全部隔离的像素结构的基础上，部分隔离第一传输层12和第二传输层22的实现结构也应包含于本发明实施例中。应理解，图3中第一电极11和第三电极21之间通过绝缘介质隔离，而第二电极14和第四电极24之间通过空隙隔离，实际实现结构中，第一电极11和第三电极21、第二电极14和第四电极24中只需一组电极隔离即可，即电极的结构需以能够满足各子像素的单独控制为基础。一般，作为阳极的电极结构可以为氧化钛(ito)/银(ag)/ito的分层金属电极，其中，ito厚度为15nm，ag厚度为150nm。作为阴极的电极结构可以为镁银合金，合金比例为mg：ag(1:9)，厚度为18nm。

在图3所示的像素结构的基础上，本发明实施例还公开了如图4所示的像素结构。图4为本发明实施例提供的一种包含注入层的像素结构示意图，如图4所示，第一子像素1还包括：位于第一传输层12和第一电极11之间的第一注入层15；第二子像素2还包括：位于第二传输层22和第三电极21之间的第二注入层25。一般，第一注入层15和第一传输层12属性类型相同，第二注入层25和第二传输层22属性类型相同。通常，注入层的掺杂浓度较传输层高得多，可以降低注入势垒，提高载流子的注入效率，从而整体上提高像素结构的效率。如图4所示，第一注入层15和第二注入层25之间相互隔离，可以防止第一注入层15和第二注入层25之间产生横向串扰电流，进一步降低像素结构的低灰阶色偏。

为了进一步提高像素结构的性能，如图5所示，为本发明实施例所提供的一种包含阻挡层的像素结构示意图。如图5所示，在本发明实施例所提供的像素结构中，第一子像素1还包括：位于第一传输层12和第一发光层13之间的第一阻挡层16；第二子像素2还包括：位于第二传输层22和第二发光层23之间的第二阻挡层26。第一阻挡层16能够将来自于第二电极14的载流子限制在第一发光层13中，从而提高第一子像素1的发光效率，同理，第二阻挡层26能够将来自于第四电极24的载流子限制在第二发光层23中，从而提高第二子像素2的发光效率。图5中，第一阻挡层16和第二阻挡层26之间相互隔离，可以避免第一阻挡层16和第二阻挡层26之间产生横向串扰电流，从而进一步降低像素结构的低灰阶色偏。

具体实现结构中，本发明实施例所提供的像素结构可以为有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)像素结构，也可以为白光有机二极管(whiteorganiclightemttingdiode，woled)像素结构等有机发光的像素结构，第一发光层13和第二发光层23为有机材质。

由于第一发光层13和第二发光层23为有机材质，其可能无法如无机材料那般致密，因此，若第二电极14和第四电极24直接与第一发光层13和第二发光层23相接触，则第二电极14和第四电极24便有可能扩散进第一发光层13和第二发光层23中，影响像素结构的发光性能。为了避免上述问题，如图6所示，为本发明实施例所提供的一种像素结构示意图，图6所示的像素结构中，第一子像素1还包括：位于第一发光层13和第二电极14之间的第三传输层17；第二子像素2还包括：位于第二发光层23和第四电极之间24的第四传输层27，第三传输层17与第一传输层12属性类型相反，第四传输层27和第二传输层22的属性类型相反。第三传输层17能够传输第二电极14注入的载流子，同时，防止第二电极14的金属原子扩散进第一发光层13，同理，第四传输层27能够传输第四电极24注入的载流子，同时，防止第四电极24的金属原子扩散进第二发光层23。图6中，第三传输层17和第四传输层27之间相互隔离，可以避免第三传输层17和第四传输层27之间产生横向串扰电流，从而进一步降低了像素结构的低灰阶色偏。

在图6所示的像素结构中，第一子像素1还包括设置于第二电极14表面的光取出层3；第二子像素2还包括设置于第四电极24表面的光取出层3。由图6中可见，第一子像素1和第二子像素2共用同一个光取出层3，当然，二者也可以分别使用各自的光取出层，本发明实施例对此不作限定。光取出层3能够减少第二电极14和第四电极24对光的吸收，用于增加第二电极14和第四电极24的透光率，从而提高像素结构的出光率。一般，光取出层3可以为厚度为60nm的npb层。

在本发明实施例所提供的像素结构中，由于第一传输层12和第二传输层22相互隔离，二者可以分别由不同的材料构成，使得每一个子像素的传输层都更具有针对性，能够更好地调节该子像素的各项性能。当然，第一传输层12和第二传输层22也可由相同的材料构成，但是，不同颜色的子像素需要调节的光学腔长不同，因此第一传输层12和第二传输层22具有不同的厚度，例如，若第一子像素为蓝子像素，第二子像素为绿子像素，则当第二传输层22和第一传输层12材料相同时，第二传输层22厚度高于第一传输层11。同理，其它层，如第三传输层17和第四传输层27的材料也可以不同，根据各自的子像素发光特性而有针对的设计第三传输层17和第四传输层27的材料。

为了更具体地说明本发明实施例所提供的像素结构，本发明实施例提供一种可行的实现结构，应理解，该可行的实现结构仅为说明本发明实施例所提供的像素结构，并不代表本发明实施例仅包括或仅适用于该可行的实现结构。

一种可行的实现结构

图7为本发明实施例所提供的一种可行的像素结构示意图，如图7所述，像素结构包括依次设置的蓝子像素、绿子像素和红子像素。应理解，蓝子像素和绿子像素之间满足本发明实施例所描述的第一子像素和第二子像素的关系，绿子像素和红子像素中间也满足本发明实施例所描述的第一子像素和第二子像素的关系，为了简化表述，本发明实施例直接以第一子像素代表蓝子像素，第二子像素代表绿子像素，第三子像素代表红子像素，其中第三子像素中各层结构的命名规则与第一子像素和第二子像素相同。

在图7所示的像素结构中，蓝子像素包括依次层叠设置的第一电极11、第一注入层15、第一传输层12、第一阻挡层16、第一发光层13、第三传输层17、第二电极14和光取出层3，以常规正置发光的像素结构为例，第一电极11为阳极，可以由氧化铟锡(ito)/银(ag)/ito的分层金属电极构成，其中，ito厚度为15nm，ag厚度为150nm；第一注入层15为空穴注入层，可以由经p型氧化剂四氟四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)掺杂npb层构成，掺杂浓度为3％，厚度为5nm，也可以由5nm厚的hat-cn层构成；第一传输层12为空穴传输层，可以由npb构成，厚度为120nm，也可以由tpte构成，厚度为125nm；第一阻挡层16为电子阻挡层，可以由tpd构成，厚度为10nm，也可以由tcta构成，厚度为10nm；第一发光层13为蓝发光层，可以由经dsa-ph掺杂madn构成，掺杂浓度为5％，厚度为20nm；第三传输层17为电子传输层，可以由alq3构成，厚度为30nm，也可以由tpbi构成，厚度为30nm；第二电极14为阴极，可以由镁银合金构成，合金中镁银比例为1:9，厚度为8-20nm；光取出层3可以为60nm厚的npb层。

绿子像素包括依次层叠设置的第三电极21、第二注入层25、第二传输层22、第二阻挡层26、第二发光层23、第四传输层27、第四电极24和光取出层3，其中，第三电极21为阳极，可以由与第一电极11相同的材料构成；第二注入层25为空穴注入层，可以由经p型掺杂剂f4-tcnq掺杂npb层构成，掺杂浓度为3％，厚度为5nm；第二传输层22为空穴传输层，可以由npb构成，厚度为150nm，也可以由tdab构成，厚度为150nm；第二阻挡层26为电子阻挡层，可以由tpd构成，厚度为10nm，也可以由tcta构成，厚度为10nm；第二发光层23为绿发光层，可以由经ir(ppy)3掺杂cbp构成，掺杂浓度为10％，厚度为40nm；第四传输层27为电子传输层，可以由alq3构成，厚度为30nm，也可以由pbd构成，厚度为30nm；第四电极24为阴极，可以由镁银合金构成，合金中镁银比例为1:9，厚度为8-20nm；光取出层3可以为60nm厚的npb层。

红子像素包括依次层叠设置的第五电极31、第三注入层35、第五传输层32、第三阻挡层36、第三发光层33、第六传输层37、第六电极34和光取出层3，其中，第五电极31为阳极，可以由与第一电极11相同的材料构成；第三注入层35为空穴注入层，可以由经p型掺杂剂f4-tcnq掺杂npb层构成，掺杂浓度为3％，厚度为5nm，也可由经ndp-9掺杂npb构成，掺杂浓度为3％，厚度为5nm；第五传输层32为空穴传输层，可以由npb构成，厚度为200nm；第三阻挡层36为电子阻挡层，可以由tpd构成，厚度为10nm，也可以由tcta构成，厚度为10nm；第三发光层33为红发光层，可以由经ir(mdq)2(acac)掺杂bebq2构成，掺杂浓度为5％，厚度为40nm；第六传输层37为电子传输层，可以由alq3构成，厚度为30nm，也可以由trz构成，厚度为30nm；第六电极34为阴极，可以由镁银合金构成，合金中镁银比例为1:9，厚度为8-20nm；光取出层3可以为60nm厚的npb层。

综上所述，本发明实施例提供一种像素结构，包括：相邻设置的第一子像素和第二子像素；第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与第一电极电性相反的第二电极；第一传输层用于调节第一子像素的光学腔长；第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与第三电极电性相反的第四电极；第二传输层用于调节第二子像素的光学腔长；第一传输层和第二传输层之间部分或全部隔离。载流子在传输层中传输时，会发生横向串扰，由于像素结构中，传输层厚度较厚，使得在传输层中发生横向串扰的载流子成为导致横向串扰电流的最主要、最直接的因素，本发明实施例将第一传输层和第二传输层部分或全部隔离，能够减少在传输层中发生横向串扰的载流子数量，从而降低了横向串扰电流，进而降低了像素结构的低灰阶色偏。

基于相同的技术构思，本发明实施例还提供一种像素结构制作方法，该方法可以用于制作上述实施例所提供的像素结构。图8为本发明实施例提供的一种像素结构制作方法流程示意图，如图8所示，包括以下步骤：

s801：在基板上制作第一电极层；第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极。

s802：在第一电极层上沉积传输层。

s803：在传输层上与第一电极位置对应的区域沉积第一发光层，以及，在传输层上与第三电极位置对应的区域沉积第二发光层。

s804：刻蚀第一发光层和第二发光层之间的区域直至部分或完全刻蚀传输层。

s805：在第一发光层表面制作第二电极，以及，在第二发光层表面制作第四电极。

可选的，在s801之后，s802之前，还可以先生长一层注入层，注入层的材料需同时适用于第一子像素和第二子像素，例如，经f4-tcnq掺杂的npb层，掺杂浓度为3％，厚度为5nm，注入层可以降低传输层的注入势垒，提高载流子注入效率。

在s802中，传输层覆盖第一电极层或第一电极层上的注入层，其材料应同时适用于第一子像素和第二子像素，例如npb层。然而，传输层负责调整子像素的光学腔长，而第一子像素和第二子像素所需调节的光学腔长并不相同，因此，可选的，在s802之后，s803之前，继续生长第一电极或第三电极对应区域的传输层，也可以，回刻一部分第一电极或第三电极对应区域的传输层，具体来说，以第一子像素为蓝子像素，第二子像素为绿子像素为例，第二子像素需要更厚的第二传输层以调节光学腔长，则在s802中，可以按照第一传输层所需厚度生长传输层，之后，继续生长第三电极对应区域的传输层，使第三电极对应区域的传输层厚度满足第二传输层的要求，也可以在s802中，按照第二传输层所需厚度生长传输层，之后，回刻第一电极对应区域的传输层，使第一电极对应区域的传输层厚度满足第一传输层的要求，最后获得如图9所示的结构，图9为本发明实施例所提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图，图9中，传输层上表面并不是一个平坦的平面，其是经过了继续生长或回刻后得到的传输层，应理解，图9是一个理想化的结构，实际制作过程中是无法获得这种垂直的传输层结构的，这也是造成横向串扰电流的一个重要因素。

可选的，在s803之前，在传输层表面生长一层阻挡层，阻挡层可以将载流子阻挡在第一发光层和第二发光层中，从而提高像素结构的发光效率。

在s803之后，s804之前，可选的，在生长的第一发光层和第二发光层上继续生长一层传输层，该后续生长的传输层能够传输与第一电极和第三电极电性相反的第二电极和第四电极所注入的载流子，该后续生长的传输层既可以在后续s804的刻蚀工艺中保护第一发光层和第二发光层，还可以在后续使用过程中，阻挡电极金属向第一发光层和第二发光层的扩散，最后获得如图10所示的结构，图10为本发明实施例所提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图，应理解，图10也是一种理想化的结构，在实际结构中，由于传输层较高的部分并不是一个完全垂直的结构，因此实际的阻挡层、后续生长的传输层等结构并不会是图10中完全断开的两部分，而会是一层连续的结构，因此其中也会产生一定的串扰电流。

在s804中，对生长了发光层的制作结构进行刻蚀，刻蚀第一发光层和第二发光层之间的区域，可选的，通过合理设计掩膜板以控制刻蚀区域的位置和大小，刻蚀时，需部分或完全刻蚀传输层，一种较佳的实现方式是完全刻蚀传输层，从而将传输层分为第一传输层和第二传输层，获得如图11所示的结构，图11为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图。

在s805中，第二电极和第四电极之间可以填充绝缘介质，构成第二电极层。可选的，在s805之后，继续在第二电极和第四电极表面制造光取出层，最后获得如图12所示的像素结构，图12为本发明实施例提供的一种可行的像素结构示意图。

应理解，本发明实施例以像素结构中的第一子像素和第二子像素为例介绍像素结构的制作方法，并不代表本方法仅适用于具有两个子像素的像素结构，对于具有三个或三个以上子像素的像素结构，本发明实施例所提供的像素结构制作方法同样适用。

上述像素结构制作方法的实施例适用于第一传输层和第二传输层具有相同材料的情况，基于相同的技术构思，本发明实施例还提供另一种像素结构制作方法，该方法可以用于制作上述任一实施例所提供的像素结构。图13为本发明实施例提供的一种像素结构制作方法流程示意图，如图13所示，包括以下步骤：

s1301：在基板上制作第一电极层；第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极。

s1302：利用第一图案化掩膜，在第一电极层上与第一电极位置对应的区域依次生长第一传输层和第一发光层，以及，利用第二图案化掩膜，在第一电极层上与第三电极位置对应的区域依次生长第二传输层和第二发光层；第二传输层和第一传输层相互隔离。

s1303：在第一发光层表面制作第二电极，以及，在第二发光层表面制作第四电极。

在s1302中，分别独立生长第一子像素的主要结构和第二子像素的主要结构。以第一子像素的生长为例，首先在第一电极层生形成第一图案化掩膜。本发明实施例提供一种可行的形成第一图案化掩膜的方式，包括：在第一电极层表面涂覆光刻胶，通过预先设计的第一光罩进行光刻后，在第一电极层表面形成第一图案化掩膜，第一图案化掩膜覆盖第二子像素及第一子像素和第二子像素之间的间隔区域，仅暴露出第一电极所对应的第一子像素的区域。利用第一图案化掩膜依次生长第一子像素的第一传输层和第一发光层。可选的，为了减少第一电极的接触电阻，提高第一电极注入载流子的效率，在生长第一传输层之前，还可以先生长第一注入层。可选的，为了将与第一电极电性相反的第二电极所注入的载流子限制在第一发光层，在生长第一发光层之前，还可以先生长一层第一限制层。可选的，为了防止第二电极的金属扩散至第一发光层，还可以在生长完第一发光层之后，再生长一层第三传输层，最后获得如图14所示的结构，图14为本发明实施例提供的一种像素结构制作过程中间结构示意图。

去除第一图案化掩膜，采用与第一子像素类似的方法，制作第二子像素，其中，第二图案化掩膜利用第二光罩获得，第二图案化掩膜覆盖第一子像素及第一子像素和第二子像素之间的间隔区域，仅暴露出第二电极所对应的第二子像素的区域，其余步骤本发明实施例不再一一赘述。最后，可获得如图11所述的结构。

在s1303中，若在制作完发光层之后，又制作了第三传输层和第四传输层，则应在第三传输层表面制作第二电极，以及，在第四传输层表面制作第四电极。应理解，s1303也可以和s1302交叉进行，比如，在制作完第一子像素的第三传输层后，直接在第三传输层上制作第二电极，之后，再制作第二子像素。应理解，本发明实施例并不限制制作第一子像素和第二子像素的顺序，先制作第二子像素，再制作第一子像素的方式也包含于本发明实施例中。第二电极和第四电极之间可以填充绝缘介质，构成第二电极层。

在s1303后，还可以继续制作光取出层，以提高第二电极和第四电极的透光率，最后获得如图12所示的像素结构。

基于相同的技术构思，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板含有上述任一实施例所提供的像素结构，在显示面板工作时，通过驱动电路控制本发明实施例所提供的像素结构发光从而实现图像显示。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。