本发明涉及存储装置，更详细地，涉及整个基板由透明树脂注塑而能够通过内部的发光来确认存储器的寿命的变色存储装置。
背景技术：
作为在存储器模块安装各种部件的技术，代表性的有表面安装技术(SMT：Surface Mounting Technology)。表面安装技术为在印刷电路板(PCB：Printed Circuit Board)的表面上直接安装表面安装用部件来与电子电路相连接的技术。
最近，因开发出晶片级封装技术，而对存储器模块的小型化带来了巨大的发展。晶片级封装技术为在晶片状态下执行一次性封装工序后，对芯片进行切割，并制作完成品的技术。该技术利用于以晶片状态内置的板上芯片(COB：Chip On Board)式的存储器模块的制造。
表面安装技术虽然具有可在印刷电路板的表面直接安装部件的便捷性，但仍因表面安装用部件的尺寸大，而难以实现存储器模块的小型化。
对此，应用晶片级封装技术的板上芯片式的存储器模块有助于实现小型化。但是，由于以晶片状态实现的存储器和控制器等由绝缘物质一次性封装，因此存在如下的问题，即，快闪存储器(NAND flash)为不良品，或在发生故障时不能进行修理，并且不能为扩张存储器容量而更换存储器。
另一方面，存在如下的不便，即，由于板上芯片式的存储器模块由黑色注塑树脂封装，当在产品的生产步骤中，在产品内部发生问题时，仅可以利用透视装置进行分析。
并且，存在如下的问题，即，由于现有的黑色板上芯片式的存储器模块无法获知寿命，因而只能使用到故障发生为止，在故障期间的使用导致重要数据丢失。
并且，黑色板上芯片式的存储器模块进行用于产品识别的标记(marking)，利用激光在后部面的印刷电路板进行标记(雕刻)，利用油墨在前部面进行标记。此时，存在如下的问题，即，为油墨标记的固化而进行高温热处理，在高温热处理步骤中产生存储器模块的不良。
现有技术文献
专利文献：日本公开专利第2001-009863号
技术实现要素：
本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的在于，提供能够肉眼确认在板上芯片式的存储器模块发生的内部电路问题的存储装置。
本发明的另一目的在于，提供能够在视觉上确认板上芯片式的存储器模块的寿命的存储装置。
本发明的另一目的在于，提供对板上芯片式的存储器模块仅以激光方式进行雕刻也能明确识别产品的存储装置。
为此，本发明的半导体封装件的特征在于，在装载有晶片状态的芯片的基板的整个表面上注塑有透明树脂。
并且，本发明的变色存储装置的特征在于，在基板上装载有晶片状态的存储器控制器、快闪存储器及发光二极管；上述发光二极管根据由上述存储器控制器执行的与上述快闪存储器相关的数据删除次数来发出不同颜色的光，由于在上述基板的整个表面上注塑有透明树脂，因而能够肉眼看见上述存储器控制器、快闪存储器及发光二极管，从上述发光二极管发出的光通过上述透明树脂向外部漏出。
并且，在本发明的存储装置的存储器寿命标记方法中，上述存储装置在装载有晶片状态的存储器控制器、快闪存储器及发光二极管的基板的整个表面上，注塑有透明树脂，包括：从主计算机接收写入指令及写入数据的步骤；当在上述快闪存储器的目标存储区域存在有效数据时，在上述快闪存储器的空区域记录写入数据及有效数据的步骤；删除存储在上述快闪存储器的目标存储区域的有效数据的步骤；根据上述有效数据的删除，增加删除计数的步骤；以及当上述删除计数为阈值计数以上时，变更上述发光二极管的颜色的步骤。
如上所述，本发明具有如下的效果，即，整个基板由透明树脂注塑而能够肉眼看见内部芯片，因而可以肉眼确认发生在板上芯片式的存储装置的内部电路问题。
并且，具有如下的效果，即，在基板上装载按照存储器的寿命发出不同颜色的发光二极管，可通过观察透过透明树脂漏出的发光二极管的光，来视觉上确认板上芯片式的存储装置的寿命。
并且，具有如下的效果，即，以激光方式对注塑在整个基板上的透明树脂进行雕刻，因透明部分变成不透明，而可使用于产品识别的标记变得明确，从而可解决现有技术中为油墨标记而执行的热处理所导致的存储器不良问题。
并且，具有如下的效果，即，发光二极管的光通过透明树脂扩散并漏出，因此与现有的由黑色树脂注塑的存储器相比，可以提高审美感。
附图说明
图1为本发明的变色存储装置的简要结构图。
图2为本发明的变色存储装置的框图。
图3为用于运算本发明的存储装置的存储器寿命的处理流程图。
图4为用于标记本发明的存储装置的存储器寿命的处理流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。可根据以下的详细说明，明确理解本发明的结构及其作用效果。
在对本发明进行详细说明之前，应当注意，对于相同的结构要素，即使在不同的附图中表示也尽可能使用相同的符号，并且对于公知结构，在判断为可混淆本发明的主旨的情况下，将省略其具体说明。
图1示出本发明的变色存储装置的内部结构。
在本发明的实施例中虽然以板上芯片形态的存储装置为例来进行说明，但并不局限于此，可适用于多种种类的半导体封装件。
参照图1，存储装置以印刷电路板10为基底，呈在基板10上安装有多个芯片或元件的结构。
在基板10上形成有电路图案，在电路图案上以引线键合的方式装载有芯片或元件。
具体地，为制作本发明的存储装置，在基板10装载有存储器控制器2、快闪存储器3、发光二极管驱动芯片4、发光二极管元件5等。
在晶片状态的芯片和元件设有键合用垫，各芯片和元件通过引线键合来与基板10电连接。借助这种引线键合步骤，使晶片状态的存储器控制器2、快闪存储器3、发光二极管驱动芯片4等装载于基板10。
安装在电路图案上的存储器控制器2或快闪存储器3等是由晶片级封装技术制作的。晶片级封装技术作为在晶片状态下执行一次性封装工序后，对芯片进行切割，并制作完成品的技术，利用于以晶片状态内置的板上芯片(COB：Chip On Board)式的存储器模块的制造。
在图1中，为说明的方便仅示出多个芯片和元件，以一条线单纯示出芯片和元件之间的电路图案，但可以在基板10上安装多个芯片，电路图案也可以由多种形态形成。
像这样，在基板10上安装多个芯片和元件后，执行作为绝缘性物质使用透明材质的树脂6来覆盖基板10的整个表面的注塑步骤。
注塑透明树脂的方法有传递成型(transfer mold)和压缩成型(compression mold)。
传递成型中，将附着有颗粒(pellet)的引线框架设置在模具上，使流动性树脂流动来成型，其具有优秀的批量生产性。
压缩成型中，将树脂放入模具后，当处于流动状态时，对模具施压来成型，虽然需要一些制作时间，但可以解决传递成型的不稳定性问题。
在本发明中，并非在基板10的一部分，而是在整个表面成型透明树脂，因此使用不存在在广面积上发生的成型不稳定的问题的压缩成型方式。
由于并非在基板10的一部分，而是在整个表面注塑透明材质的树脂6，因而可以用肉眼从外部确认存储装置的内部的所有芯片和元件及电路图案。
在本发明中，由于基板10上安装有发光二极管5，从发光二极管5发出的光可通过透明树脂6向外部漏出。
本发明的发光二极管5可按照快闪存储器4的寿命发出不同颜色的光，因而使用人员可以通过透明树脂6观察从存储装置发出的光来确认存储器的寿命。
并且，在本发明中，对整个基板10涂敷透明树脂6，因此可以易于通过激光雕刻来对透明树脂6制作用于产品识别的标记。
即，以往为了对黑色树脂进行产品识别标记(marking)而需要使用油墨，但在透明树脂中可以使用激光制作不透明部分，因此能够以激光的方式易于制作不透明的识别标记。
图2为本发明的变色存储装置的框图，图3及图4示出在存储装置运算存储器寿命，并将其以视觉性方式标记的方法的处理步骤。
参照图2及图3，对在变色存储装置的存储器寿命运算及标记处理步骤进行具体说明。
存储装置借助连接器7与主计算机(未图示)相连接，根据主计算机的指令对存储装置执行写入及读取工作。
存储装置的存储器控制器2从主计算机接收写入指令及写入数据(步骤S10)。
存储器控制器2确认在写入指令所包括的目标存储区域(block)中是否存在有效数据(步骤S12)，若在目标存储区域中不存在有效数据，则在目标存储区域中记录写入数据(步骤14)。快闪存储器3的存储区域由块(block)单元形成。
当在目标存储区域中存在有效数据时，存储器控制器2在快闪存储器3的空区域(free block)记录写入数据(步骤S16)，之后，在其空区域还记录存储在目标存储区域中的有效数据(步骤S18)。在空区域中同时记录写入数据和有效数据，称其为合并(merge)工作。
像这样，结束合并工作后，存储器控制器2将删除目标存储区域的有效数据(步骤S20)。
删除有效数据后，存储器控制器2增加删除计数(erase count)1(步骤S22)。删除计数是指数据的删除次数，当进行当前删除工作时，将增加到之前的删除次数，从而使删除计数增加。
在快闪存储器中，删除次数与存储器寿命成比例，因此可通过确认删除计数来预测存储器的寿命。
之后，存储器控制器2确认删除计数是否为所设定的阈值计数以上。当删除计数小于阈值计数时，维持当前发光二极管5的颜色，当删除计数为阈值计数以上时，变更当前发光二极管5的颜色(S26)。
参照图4说明变更发光二极管5的颜色的步骤。
在本发明中，发光二极管5可以为双色或三色发光二极管。在发光二极管5为双色的情况下，从初始颜色到另一种颜色只能变更一次颜色，但在三色的情况下，可以从初始颜色到第一颜色、第二颜色，变更两次颜色。
存储器控制器2确认删除计数是否为第一阈值计数以上(步骤S30)，当小于第一阈值计数时，使发光二极管5维持初始颜色(步骤S32)，当删除计数为第一阈值计数以上时，使发光二极管5发出从初始颜色变更为第一颜色的颜色(步骤S34)。
之后，存储器控制器2确认删除计数是否为第二阈值计数以上(步骤S36)。其中，第二阈值计数为大于第一阈值计数的数。
当删除计数小于第二阈值计数时，使发光二极管5维持第一颜色(步骤S34)，当删除计数为第二阈值计数以上时，使发光二极管5发出从第一颜色变更为第二颜色的颜色(步骤S38)。
像这样，存储器用户可通过观察从存储装置发出的发光二极管的光来预测存储器的寿命。
上述说明仅仅为对本发明的例示性说明，只要是本发明所属技术领域的普通技术人员就可以在不脱离本发明的技术思想的范围内对本发明进行多种变更。
因此，本发明中所公开的实施例并非要限定本发明的技术思想。本发明的保护范围需要根据发明要求保护范围来解释，与其等同范围内的所有技术思想均以包括在本发明的要求保护范围来解释。