技术特征：
技术总结
本发明提供了一种CMOS器件及其形成方法，包括：提供一基底，在所述基底上定义有一PMOS有源区和一NMOS有源区；在所述基底中形成多个隔离沟槽，所述多个隔离沟槽位于所述NMOS有源区和所述PMOS有源区的外围；在所述PMOS有源区外围的所述隔离沟槽中靠近所述PMOS有源区一侧的侧壁上形成一压应力层；在所述NMOS有源区外围的所述隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区一侧的侧壁上形成一张应力层，以及，在所述隔离沟槽中填充一隔离介质层。本发明所提供的CMOS器件的形成方法，与CMOS工艺兼容性好，可以同时提高PMOS中的空穴迁移率和NMOS中的电子迁移率，从而具有提升CMOS的器件性能的效果。
技术研发人员：刘张李
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.11.30
技术公布日：2018.05.04