1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一传导型的一第一井；
位于该第一井的该第一传导型的一第一区且耦接至一第一参考电压端子；
位于该第一井的一第二传导型的多个第二区，其中该多个第二区的一区耦接至该第一参考电压端子，以及该多个第二区与该第一井包含在一结构内其操作为一第一晶体管；
位于该第一井的该第二传导型的一第三区；以及
一第一阻抗负载其耦接在该第三区与一第二参考电压端子之间。