排气系统的制作方法

本发明实施例系关于一种排气系统，且特别关于一种有u形管线的排气系统。

背景技术：

集成电路制造工具及其支援设施为了各种目的使用不同的气体或其混合物，并且经由在制造工艺中发生的化学反应产生大量种类的气体。所有来自集成电路制造工具或设施的这些气体皆重新使用、回收或排出。一些气体是有毒的或有害的，且需要采取预防措施，以确保安全和适当的释放到大气中。一种常见的做法是将阀、制动器(actuator)、安全释放装置以及有毒或有害气体的管线包围在封闭容器或气箱中。因此，如果任何包围的设备发生泄漏，有毒的/有害的气体不会释放到大气中并且会污染无尘室，在最坏的情况下会穿透到员工所在的区域。封闭容器(enclosure)，有时称为气箱，包括连接到总排气管(也称为主排气管)的排气管。因此，任何泄漏到气箱内的有毒或有害气体不会积聚在气箱内或泄漏到周围的区域。

为了检测气箱内的泄漏，因此在连接到总排气管的排气管中安装检测器。如果检测器检测到气体泄漏，则会发出警报。根据有毒或有害气体的类型，警告信号可能会触发各种程序，包括紧急停机和撤离晶片厂作业楼层。虽然这种程序是破坏性的和昂贵的，但是它们是防止伤害、死亡和巨额金钱损失的必要手段。

如果一些有毒或有害气体被气体混合物中的无害气体充分稀释，则它们可以直接释放到大气中。因此，可将这种气体混合物释放到一般的排气管中以直接排放。然而，有时安全释放气体混合物中的有毒或有害气体可能逸入与气箱相连的排气管中，触发探测器并导致不必要的停机。

尽管现有的排气系统对于一般目的来说是足够的，但是它们并非在所有方面都令人满意。因此，需要能够防止错误触发排气管中的检测器的排气系统。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种排气系统，用于从半导体制造设备排出有害气体，包括：主排气管，具有顶表面及底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有害气体，下游端通过顶表面连接到主排气管；第二支管，包括下游端，下游端通过底表面连接到主排气管；以及检测器，配置以检测第二支管中的有害气体的存在。

本发明实施例亦提供一种排气系统，用于自半导体制造设备排出密度比空气低的有害气体，包括：主排气管，具有底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有害气体，下游端连接到主排气管；以及第二支管，具有第一部分及第二部分，第一部分包括检测器，检测器用于检测有害气体的存在，其中第二支管的整个第一部分系位在主排气管的底表面上，且第二支管的第二部分通过底表面连接到主排气管。

此外，本发明实施例又提供一种排气系统，用于自半导体制造设备排出密度比空气低的有害气体，包括：主排气管，具有底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有稀释浓度的有害气体，下游端连接到主排气管；以及第二支管，具有第一部分及第二部分，其中第一部分包括检测器，检测器用于检测有害气体的存在且耦接到有害气体的气体收容箱，其中第二支管的整个第一部分系位在主排气管的底表面上，以及其中第二支管的第二部分通过底表面连接到主排气管。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1是具有位于晶片厂下的主排气管的排气系统的示意图。

图2是具有位于晶片厂下的主排气管的另一排气系统的示意图。

图3是根据本发明实施例绘示的排气系统的示意图，上述排气系统具有位在晶片厂下的主排气管。

图4是根据本发明实施例绘示的排气系统的示意图，上述排气系统具有位在晶片厂上的主排气管。

图5是根据本发明实施例绘示的排气系统的示意图，上述排气系统具有位在晶片厂上的主排气管。

图6是根据本发明实施例绘示的具有多个支管的排气系统的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300、400、500～排气系统

110、210、310、410、510～主排气管

120～支管

121、122、123、125、126、221、224、225、226、320、330、420、430；521、541、551～排气管

130、230、340、440、570、580～检测器

141、241～增压箱

142～压力控制器

143～氩气箱

145、245、540～惰性气体箱

146、246、550～氢气箱

147～增压排气罐

148～液滴产生器

149、349、449、549、气体混合物

241、350、450～气体源

312、412、512～底表面

314、414、514～顶表面

332、422、432、542、552～u形部分

360、460～气体箱

具体实施方式

以下公开许多不同的实施方法或是例子来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本发明的范围。举例来说，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。

此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词系为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及图式中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。

半导体制造设施，通常称为晶片厂(fab)，采用了各种各样的气体，其包括许多有害及/或有毒气体，例如胂(arsine)、膦(phosphine)、硅烷(silane)、乙硼烷(diborane)、氢(hydrogen)、氯化氢(hydrogenchloride)和氧化亚氮(nitrousoxide)。这些示例性气体由于不同的原因是危险的及/或有毒的。胂、膦和乙硼烷由于易燃和会自燃，因而具有毒性和危险性。硅烷是易自燃的。氢易燃和有窒息性，因而是有害的。氯化氢因具有腐蚀性，因此是有毒且有害的。氧化亚氮因为是强氧化剂，所以是有害的。在半导体制造工艺中，当这些有害/有毒气体被储存、分配、使用或排放时，可能存在如火灾、爆炸、污染、不在计划内的停机、产品损失以及在最坏情况下人员受伤和死亡等危害。

为了确保安全并符合适用的规定，气体检测是必要的。为了增加安全性，容器、制动器、管线、阀、安全释放装置以及有时携带或使用有害/有毒气体的处理工具常常通过二级封闭容器或气箱与周围环境隔离。由于有害/有毒气体会容纳在封闭容器内，所以检测封闭容器中存在的有害/有毒气体变得重要。气箱通过排气管通入主排气管，以防止任何泄漏的有害/有毒气体积聚。即使有害/有毒气体已被容纳及通入，仍须检测和处理任何泄漏。现今的气体感应器可以检测低百万分率(ppm)范围内的气体，且通常安装在气体箱或排气管内以连续采样通过气体箱或排气管的气体。通常当检测到泄漏时会发出警报，以通知人员进行必要的程序，例如撤离、关闭工具、关闭气瓶以及紧急维护等。所有这些程序都会导致生产线中断，并造成受影响的未完成产品的报废。检查系统是否泄漏并启动备份生产线可为非常耗时的。

不可直接排放危险及/或有毒气体到大气中。它们必须用燃烧器或湿式洗涤器处理，以将其转换成适合排放的形式。在某些情况下，若稀释特定有毒及/或有害气体，使其在气体混合物中的浓度稀释到低于不再有毒或有害的阈值以下，则其可排入气体混合物中。举例来说，虽然空气中的氢气在很大的浓度范围内是高度可燃的，但其可燃性下限为4.0％体积浓度。也就是说，如果氢气在气体混合物中的体积浓度是4.0％或更低的体积浓度，只要气体混合物中的其它气体没有其他危险或毒性，并且在晶片厂所在的司法管辖区内的做法是合法的，则上述气体混合物可以排放到大气中。

当各种废气在主排气管中流动时，相对较轻的气体倾向于在主排气管的顶部流动，而相对较重的气体倾向于在主排气管的底部流动。氢和氦是地球上最轻的两种气体。因此氢气在空气中迅速升高，并倾向于在主排气管的最顶部流动。事实上，即使工厂内的主排气管受到压力差的驱使排出废气，氢气仍然可以向上移动到与主排气管顶部相邻的任何空间。在某些情况下，主排气管中的微量氢气会进入与气箱相连的排气管触发氢气探测器，进而造成误报声。在这种情况下，疏散和生产线停工是浪费和不必要的。

在半导体制造工艺中使用和产生如氢之类的轻气体。举例来说，使用硅烷的氧化硅的化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)会产生氢气。举另一例来说，极紫外光(extremeultraviolet，euv)微影系统需要氢气作为缓冲气体以填充极紫外光生成腔室，在上述生成腔室中使用激光辐射例如以氙、锂或锡作为靶材的电浆。如上所述，因为氢气是有害气体，所以化学气相沉积和极紫外光制程工具以及任何管线、阀和安全释放装置都包围在一个或多个用于容纳的气体箱中。每个气箱都通过与主排气管相连的排气管进行通风。

氧化硅是在半导体装置中所使用最常见的介电材料之一。氧化硅可以用作金属前介电层、绝缘层和间隙填充物。形成氧化硅特征的方法之一是化学气相沉积。根据应用的不同，有时可以使用不同形式的化学气相沉积来沉积氧化硅。举例来说，可以使用电浆辅助化学气相沉积(plasma-enhancedcvd，pecvd)和高密度电浆化学气相沉积(highdensityplasmacvd，hdp-cvd)以提高所得氧化硅层的填隙能力。在上述任一形式中，将含硅的反应气体和含氧的反应气体供给到化学气相沉积腔室中。在使用硅烷作为含硅的反应气体的情况下，氢气将会是副产物。有时也将如膦和乙硼烷之类的含氢的反应气体供给到化学气相沉积腔室中，并且视情况而定，所得氧化硅膜将包括硼或磷。在一些情况下，由含有氩的电浆清洁化学气相沉积腔室。

当集成电路的功能密度(即每单位晶片面积上的内连装置的数量)增加，临界尺寸(即可使用制造工艺产生的最小部件(或线))随之减小。这种微缩化工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。为了改进上述微缩化工艺，需要在高解析度成长下执行微影工艺。一种微影技术是极紫外光微影。极紫外光微影采用使用在极紫外光区(其具有约1-100nm的波长)中的光的扫描仪。极紫外光微影系统需要极紫外光辐射源。在极紫外光生成腔室中，液滴产生器从如惰性气体或含有惰性气体的混合物之类的推进气体中抽取压力，以产生如锡和锂的靶材的微小液滴。靶材液滴的产生与如脉冲二氧化碳激光之类的脉冲激光同步，以通过与极紫外光辐射收集器整合的输出窗口发射激光光束。一般通常在氢气环境中产生极紫外光，以保护收集器免受锡或锂颗粒的污染。

有时使用称为成形气体(forminggas)的气体混合物从液滴发生器中推出熔融的靶材(例如熔融锡或锂)。在一些情况下，成形气体包括约2％的氢气和约98％的氩气。由于离开极紫外光腔室的成形气体的氢气体积百分比低于可燃性下限，所以它可以直接释放到主排气管中以排放到大气中。进入和离开极紫外光室的成形气体的氢气浓度因此保持约2％体积浓度。有时主排气管中的成形气体中的微量氢气可能会从顶表面回流到与主排气管相连的排气管中。当发生这种情况时，安装在气箱或其排气管中的气体检测器将被触发，并发出警报声。

图1中绘示出排气系统100的示意图，排气系统100具有位在晶片厂楼层的半导体制造工具下的主排气管110。为了说明的目的，这里的半导体工具是极紫外光微影系统的一部分。增压箱141接收含有有害气体的气体混合物149并通过泵对气体混合物149加压。在极紫外光微影系统的例子中，上述气体混合物149是含有约2％的氢气和约98％的氩气的成形气体。由于氢气和氩气的分子量分别为2和39.95，因此其平均分子量约为39.2，高于空气的28.6。压力控制器142从增压箱141供给加压的成形气体，并调整供给到氩气箱143的成形气体的压力。从氩气箱143出来的成形气体输送到液滴产生器148，上述成形气体作为用于产生液滴的推进气体。当靶材液滴排入极紫外光生成腔室(有时称为源电浆容器，在图1中未示出)时，成形气体也进入极紫外光生成腔室。在一些情况下，离开极紫外光生成腔室的成形气体含有大于4％体积浓度的氢，并且不能直接排放到主排气管110中。在一些操作中，当成形气体不输送到液滴产生器148时，成形气体暂时重新定向到从压力控制器142出来的排气管121或从氩气箱143出来的排气管122，以释放到支管120中。支管120连接到主排气管110。换句话说，压力控制器142和氩气箱143通过排气管122和123通入支管120。由于增压箱141、压力控制器142和氩气箱143不含有危险浓度的气体，所以排气管121、122和123没有安装气体感测器。如图1所示(虚线所示的路径)，有时来自增压箱141、压力控制器142和氩气箱143的加压成形气体首先在晶片厂下楼层的快速排气罐(rapidventtank，rvt)147中减压后直接进入主排气管110。值得注意的是，由于每个气箱都是二次围阻(secondarycontainment)，所以任何与气箱的连接指的是与气箱内的部件的连接。此外，就排气系统而言，有时增压箱141、压力控制器142和氩气箱143可认为是成形气体的气体源。

惰性气体箱145包围工具、管线和阀，其用于从流过极紫外光光学部件表面上的氩接收氩和氢的混合物，以防止锡或锂颗粒的污染。惰性气体箱145通过排气管125通入支管120。氢气箱146是用于向极紫外光生成腔室提供氢气的工具、管线和阀的封闭容器。氢气箱146通过排气管126通入支管120。在一些情况下，因为惰性气体箱145和氢气箱146是体积浓度4％或更高的氢气的二次围阻，所以它们的排气管125和126有装上氢气检测器130。在一些其他情况下，氢气检测器130安装在惰性气体箱145和氢气箱146内。

由于所有的排气管121、122、123、125和126都连接到支管120，有时来自排气管121的成形气体中的微量氢气可回流到排气管125及126中，并且被氢气检测器130检测到，从而导致误报。

图2是排气系统200的示意图，排气系统200具有在晶片厂楼层上的半导体制造工具下的主排气管210。气体源241承载含有约2％的氢气和98％的氩气的成形气体，并通过排气管221通入主排气管210。在一些情况下，气体源241代表多个气体箱。举例来说，气体源241可包括增压箱、压力控制器和高压氩气箱。惰性气体箱245和氢气箱246包围用于传送体积浓度4％或更高的氢气的工具、管线和阀。惰性气体箱245和氢气箱246通过排气管225和226通入主排气管210。由于惰性气体箱245和氢气箱246是有害浓度的氢气的二次围阻，排气管225和氢气检测器226安装有氢气检测器230。在一些情况下，氢气检测器230安装在惰性气体箱245和氢气箱246内。

所有的排气管221、225和226都连接到主排气管210上。由于氢气是最轻的气体，它很快浮到顶部并倾向于流入主排气管的顶部。由于排气管225和226全部通过其顶表面与主排气管连接，有时来自排气管221的成形气体中的微量氢气可浮起并渗入排气管225和226中，并被氢气检测器230检测到，进而引起误报。

图3是根据本发明一些实施例绘示的排气系统300的简化示意图。排气系统300包括位于晶片厂楼层上的半导体制造工具下的主排气管310。在一些实施例中，气体源350是含有惰性气体稀释的轻度危害及/或有毒气体的气体混合物349的来源。在某些情况下，轻的有害气体及/或有毒气体比空气密度小。在一些实施例中，气体源350是含有小于4％体积浓度的氢气和大于96％体积浓度惰性气体的气体混合物349的来源。在一些情况下，气体源350是含有约2％体积浓度的氢气和约98％体积浓度的氩气的气体混合物349的来源。气体源350通过排气管320通入主排气管310。气体箱360包围输送有害气体的管线、阀、工具、致动器和安全释放阀，上述有害气体是纯的有害气体或是浓度仍然有害的混合物。在某些情况下，有害气体密度比空气小。在一些例子中，上述有害气体是氢气。气体箱360通过排气管330通入主排气管310。在排气管330中安装检测器340以检测在排气管330中移动的气体。在有害气体是氢气的例子中，检测器340配置为用以检测低百万分率含量级的氢气的存在。在正常操作期间，氢气不会从气体箱360流出，并且不应触发检测器340。然而，如果气体箱360中有泄漏，则检测器340应该检测到泄漏的微量氢气并发出警报。在这种情况下，通常需要紧急程序，如撤离和停机。

在一些实施例中，排气管330通过底表面312而非顶表面314连接到主排气管310。因为氢气是最轻的气体并倾向于流动到主排气管310的最顶部，如果氢气通过底表面312连接，则氢气不会回流到排气管330中。在一些情况下，排气管330包括u形部分332。如字面上所述，u形部分332允许来自上方的排气管330进入u弯以通过底表面312连接到主排气管310。如果排气管330通过顶表面314连接到主排气管310，则排气管320携入主排气管的气体混合物349可能向上进入排气管330并误触警报，导致不必要的和昂贵的停机和撤离。这种误报尤其倾向发生在当排气管320连接到主排气管310的位置比排气管330连接到主排气管310的位置更上游时。

取决于晶片厂的设计，有时主排气管位于半导体制造工具所在的晶片厂楼层上。图4是根据本发明一些实施例绘示的排气系统400的示意图，上述排气系统400具有位于晶片厂上的主排气管410。在一些实施例中，气体源450是含有由惰性气体稀释的轻度有害及/或有毒气体的气体混合物449的来源。在某些情况下，轻有害气体及/或有毒气体密度比空气小。在一些实施例中，气体源450是含有体积浓度小于4％的氢气和大于96％的惰性气体的气体混合物449的来源。在一些情况下，气体源450是含有约2％体积浓度的氢气和约98％体积浓度的氩气的气体混合物449的来源。通过排气管420，气体源450通入主排气管410。气体箱460包围输送有害气体的管线、阀、工具、致动器和安全释放阀，上述有害气体是纯的有害气体或是浓度仍然有害的混合物。在某些情况下，有害气体比空气密度小。在一些例子中，上述有害气体是氢气。气体箱460通过排气管430通入主排气管410。在排气管430中安装有检测器440，以检测排气管430中移动的气体。在有害气体是氢的例子中，配置检测器440以检测低百万分率含量级的氢的存在。在正常操作期间，氢气不会从气体箱460流出，并且不应触发检测器440。然而，如果气体箱460中有泄漏，则检测器440应该检测到泄漏的微量氢气并发出警报。在这种情况下，通常需要紧急程序，如撤离和停机。

在一些实施例中，排气管420通过顶表面414而非底表面412连接到主排气管410。在一些情况下，来自气体源450的气体混合物449含有约2％的氢气和约98％的氩气，上述气体混合物449密度比空气大。通过顶表面414进入的比空气密度更高的气体混合物449促进主排气管410中的气体混合。然而排气管430通过底表面412连接到主排气管410。因为氢气是最轻的气体并倾向于在主排气管410的最顶部流动，如果氢气通过底表面412连接，则氢气不会回流到排气管430中。在一些情况下，排气管420包括u形部分422。如字面上所述，u形部分422允许来自下方的排气管420进入u弯以通过顶表面414连接到主排气管410。如果排气管430通过顶表面414连接到主排气管410，则排气管420携入主排气管的气体混合物449可能向上进入排气管430并误触警报，导致不必要的和昂贵的停机和撤离。这种误报尤其倾向发生在当排气管420连接到主排气管410的位置比排气管430连接到主排气管410的位置更上游时。

虽然针对如氢之类轻于空气的有害/有毒气体描述了几个范例，但是本发明实施例可适用于比空气密度更高的有害/有毒气体。以图4中的排气系统400为例，如果有害气体比空气密度更大，则其倾向于下沉到主排气管410的底部。在排气管430通过底表面412连接到主排气管410的实施例中，来自流过连接到主排气管410的连接部的气体混合物449中的比空气密度更高的有害/有毒气体可以进入排气管430中并误触警报。为了预防误报，如图5所示，排气管430经由u形部432通过其顶表面414，而非底表面412连接到主排气管410。

在图6中示出了根据本发明实施例的排气系统500的简化示意图。排气系统500包括位于晶片厂楼层上的半导体制造工具下的主排气管510。在一些实施例中，气体源520是含有被惰性气体稀释的轻有害及/或有毒气体的气体混合物549的来源。在某些情况下，轻有害及/或有毒气体密度比空气小。在一些实施例中，气体源520是含有小于4％体积浓度的氢气和大于96％的惰性气体的气体混合物549的来源。在一些情况下，气体源520是含有约2％体积浓度的氢气和约98％体积浓度的氩气的气体混合物549的来源。气体源520通过排气管521通入主排气管510。

惰性气体箱540封住输送有害气体的管线、阀、工具、致动器和安全释放阀，上述有害气体是纯的有害气体或是浓度仍然有害的混合物。在一些情况下，惰性气体箱540是在惰性气体流吹过极紫外光微影系统的收集器的表面后，离开极紫外光室的惰性气体和氢的气体混合物549的二次围阻。在一些情况下，惰性气体是氩气。惰性气体箱540通过排气管541通入主排气管510。在排气管541中安装有检测器570，以检测排气管541内移动的气体。当有害气体是氢时，检测器570配置成检测低百万分率级的氢的存在。在正常操作期间，氢气不会从气体箱540流出，并且不应触发检测器570。然而，如果气体箱540中有泄漏，则检测器570应该检测到泄漏的微量氢气并发出警报。在这种情况下，通常需要紧急程序，如撤离和停机。

在一些实施例中，排气管541通过底表面512而非顶表面514连接到主排气管510。因为氢气是最轻的气体并倾向于在主排气管510的最顶部流动，如果氢气通过底表面512连接，则氢气不会回流到排气管541中。在一些情况下，排气管541包括u形部分542。如字面上所述，u形部分542允许来自上方的排气管541进入u弯以通过底表面512连接到主排气管510。如果排气管541通过顶表面514连接到主排气管510，则排气管521携入主排气管的气体混合物549可能向上进入排气管541并误触警报，导致不必要的和昂贵的停机和撤离。这种误报尤其倾向发生在当排气管521连接到主排气管510的位置比排气管541连接到主排气管510的位置更上游时。

氢气箱550封住输送氢气的管线、阀、工具、致动器和安全释放阀，上述有氢气是纯的氢气或是浓度比氢气最低可燃度高的氢气。在一些情况下，氢气箱550是氢气的二次围阻，以使氢气供应到极紫外光腔室中以建立氢气环境。氢气箱550通过排气管551通入主排气管510。排气管551中安装有检测器580，以检测排气管551中移动的气体。当有害气体是氢时，检测器580配置成检测低百万分率级的氢的存在。在正常操作期间，氢气不会从惰性气体箱550流出，并且不应触发检测器580。然而，如果惰性气体箱550中有泄漏，则检测器580应该检测到泄漏的微量氢气并发出警报。在这种情况下，通常需要紧急程序，如撤离和停机。

在一些实施例中，排气管551通过底表面512而非顶表面514连接到主排气管510。因为氢气是最轻的气体并倾向于流动到主排气管510的最顶部，如果排气管551通过底表面512连接，则氢不会回流到排气管551中。在一些情况下，排气管551包括u形部分552。如字面上所述，u形部分552允许来自上方的排气管551进入u弯以通过底表面512连接到主排气管510。如果排气管551通过顶表面514连接到主排气管510，则排气管521携入主排气管510的气体混合物549可能向上进入排气管551并误触警报，导致不必要的和昂贵的停机和撤离。这种误报尤其倾向发生在当排气管521连接到主排气管510的位置比排气管551连接到主排气管510的位置更上游时。

因此，本发明实施例提供一种排气系统，用于从半导体制造设备排出有害气体，包括：主排气管，具有顶表面及底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有害气体，下游端通过顶表面连接到主排气管；第二支管，包括下游端，下游端通过底表面连接到主排气管；以及检测器，配置以检测第二支管中的有害气体的存在。

本发明实施例亦提供一种排气系统，用于自半导体制造设备排出密度比空气低的有害气体，包括：主排气管，具有底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有害气体，下游端连接到主排气管；以及第二支管，具有第一部分及第二部分，第一部分包括检测器，检测器用于检测有害气体的存在，其中第二支管的整个第一部分系位在主排气管的底表面上，且第二支管的第二部分通过底表面连接到主排气管。

此外，本发明实施例又提供一种排气系统，用于自半导体制造设备排出密度比空气低的有害气体，包括：主排气管，具有底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有稀释浓度的有害气体，下游端连接到主排气管；以及第二支管，具有第一部分及第二部分，其中第一部分包括检测器，检测器用于检测有害气体的存在且耦接到有害气体的气体收容箱，其中第二支管的整个第一部分系位在主排气管的底表面上，以及其中第二支管的第二部分通过底表面连接到主排气管。

上述内容概述许多实施例的特征，因此任何所属技术领域中具有通常知识者，可更加理解本发明的各面向。任何所属技术领域中具有通常知识者，可能无困难地以本发明为基础，设计或修改其他工艺及结构，以达到与本发明实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何所属技术领域中具有通常知识者也应了解，在不脱离本发明的精神和范围内做不同改变、代替及修改，如此等效的创造并没有超出本发明的精神及范围。