1.一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，包括烧结钕铁硼磁体和经磁控溅射法沉积在所述烧结钕铁硼磁体外表面的复合薄膜；
所述复合薄膜的元素组成包括必要元素Tb和/或Dy，与可选元素Cu，所述复合薄膜为共溅射混合薄膜，或者为交替混合薄膜。
2.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述共溅射混合薄膜的元素组成包括Tbx1Cu1-x1、Dyx2Cu1-x2、Tbx3Dy1-x3或Tbx4Dyy1Cu1-(x4+y1)；
所述交替混合薄膜由必要元素与可选元素经交替溅射后沉积得到，元素组成包括Tbx5Cu1-x5、Dyx6Cu1-x6或Tbx7Dyy2Cu1-(x7+y2)；
所述x1～x7、y1、y2代表原子的百分含量，x1～x7均独立地选自0～1。
3.根据权利要求2所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述交替混合薄膜，将溅射一次必要元素薄膜与一次可选元素薄膜记为一个交替周期，所述交替周期至少为一个。
4.根据权利要求3所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述交替混合薄膜，先溅射必要元素薄膜，再溅射可选元素薄膜。
5.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述复合薄膜的厚度为1～12μm。
6.一种根据权利要求1～5任一所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括：
1)将烧结钕铁硼磁体样品进行预处理；
2)将预处理后的烧结钕铁硼磁体样品进行离子活化处理；
3)经磁控溅射法，在所述离子活化处理后的烧结钕铁硼磁体样品外表面沉积复合薄膜；
4)将步骤3)处理后的烧结钕铁硼磁体样品进行热扩散及回火处理。
7.根据权利要求6所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述预处理包括除油、酸洗、酒精超声和吹干。
8.根据权利要求6所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤2)中，将预处理后的烧结钕铁硼磁体样品放入磁控溅射真空室内，抽真空至5×10-3～5×10-4Pa，再充入高纯氩气，进行离子活化处理。
9.根据权利要求6所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述磁控溅射的靶材包括Dy靶材、Tb靶材、Cu靶材、TbCu合金靶材、DyCu合金靶材和TbDyCu合金靶材；
工作气压为0.1～3Pa，靶材功率密度为1～7W/cm2。
10.根据权利要求6所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热扩散的温度为800～1000℃，回火处理的温度为400～600℃。