技术特征：
技术总结
本公开涉及用于制造半导体装置的方法。防止由于电子和Fe(铁)从在半导体基板的顶表面中形成的元件隔离沟槽的表面扩散到形成图像感测元件的像素的光电二极管中而引起像素特性退化。另外，防止氧从在元件隔离沟槽的表面处形成的氧化硼膜扩散到光电二极管中。在半导体基板的顶表面中，形成用于嵌入围绕光电二极管形成区域的元件隔离区域的沟槽。然后，将B(硼)掺杂到沟槽的表面中，以形成半导体层。随后，通过APM清洗去除由表面处沉积的硼与氧之间的反应所产生的氧化硼膜。然后，执行热处理，以在半导体层中扩散硼。
技术研发人员：山口直
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.07.06