技术总结
本发明提供了一种SONOS存储器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包含第一区域与第二区域，所述第一区域用于形成SONOS存储器；在所述衬底上依次形成第一氧化物层、中间氮化物层和第二氧化物层，组成ONO膜层；在所述ONO膜层以及部分所述衬底上形成STI；去除所述第二区域内的所述ONO膜层。本发明提供的SONOS存储器的制造方法，在形成所述ONO膜层之后，再形成STI，避免ONO膜层形成过程中，氮化物在STI侧壁的残留，同时避免了在所述ONO层中第一氧化物层湿法刻蚀时在所述STI上形成底切，进而防止后续多晶硅在所述STI的沉积。另一方面，本发明提供的SONOS存储器的制造方法，省去了衬垫氧化层和预氧层，简化了生产工艺。 1
技术研发人员：吴亚贞;刘宪周
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.06.15