硅交流避雷器专用集成电路的制作方法

文档序号:14716832发布日期:2018-06-16 01:34阅读:153来源:国知局

本发明涉及一种集成电路,具体的说是一种硅交流避雷器专用集成电路。



背景技术:

目前,市面上现有的避雷器大都是由多片氧化锌压敏电阻片构成的,氧化锌压敏电阻片是一种具有非线性电压特性的陶瓷产品,但体积较大,烧结工艺复杂,安装使用不方便。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种硅交流避雷器专用集成电路,利用硅芯片制成体积很小的交流避雷器专用集成电路,代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器,可以减小交流避雷器的体积,简化生产工艺,方便安装和使用。

本发明包括硅芯片、双向瞬态抑制二极管、引出电极、测试电极和绝缘外壳,所采用的技术方案是:在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管,使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路,两端接出引出电极,中间接出测试电极,最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。

本发明的有益效果在于:通过上述技术方案的配置,构成了一种硅交流避雷器专用集成电路,可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小,生产方法简单,安装和使用方便等优点。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详述。

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

图1所示:在硅芯片1中制作多个双向瞬态抑制二极管2,使多个双向瞬态抑制二极管2采用先串联再并联的方式组成电路,两端接出引出电极3,中间接出测试电极4,最后用绝缘外壳5进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。

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