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硅交流避雷器专用集成电路的制作方法
文档序号:14716832
发布日期:2018-06-16 01:34
阅读:
来源:国知局
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硅交流避雷器专用集成电路的制作方法
技术总结
本发明提供一种硅交流避雷器专用集成电路,所采用的技术方案是:在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管,使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路,两端接出引出电极,中间接出测试电极,最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小,生产方法简单,安装和使用方便等优点。 1
技术研发人员:
李文联;李杨
受保护的技术使用者:
湖北文理学院
技术研发日:
2016.12.07
技术公布日:
2018.06.15
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