硅交流避雷器专用集成电路的制作方法

文档序号:14716832发布日期:2018-06-16 01:34阅读:来源:国知局
硅交流避雷器专用集成电路的制作方法

技术特征:

1.一种硅交流避雷器专用集成电路,包括硅芯片(1)、双向瞬态抑制二极管(2)、引出电极(3)、测试电极(4)和绝缘外壳(5),其特征在于:所述硅交流避雷器专用集成电路是在硅芯片(1)中制作多个双向瞬态抑制二极管(2),使多个双向瞬态抑制二极管(2)采用先串联再并联的方式组成电路,两端接出引出电极(3),中间接出测试电极(4),最后用绝缘外壳(5)进行封装。

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