一种显示器件结构的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件结构。

背景技术：

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

经研究发现，现有的显示器件由于薄膜封装层中的无机层质地较脆，在进行边缘切割时其无机层容易产生裂缝，并延伸至屏体内部，从而造成器件的良率降低。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题在于现有的显示器件在进行边缘切割时其薄膜封装层中无机层容易产生裂缝并延伸至屏体内部，从而提供一种显示器件结构。

本实用新型实施例提供了一种显示器件结构，包括：基板；器件层，设置在所述基板上，其中，所述器件层包括显示区域和边界区域，所述边界区域刻蚀有凹槽图案；薄膜封装层，覆盖所述器件层的显示区域，并覆盖所述边界区域的所述凹槽图案靠近所述显示区域的一部分。

可选地，所述凹槽图案刻蚀至所述基板。

可选地，所述薄膜封装层包括：无机层，覆盖所述器件层的显示区域，并覆盖所述凹槽图案靠近所述显示区域的一部分；有机层，覆盖所述无机层。

可选地，所述有机层仅覆盖所述器件层的显示区域上的无机层。

可选地，所述无机层为氮化硅无机层、氧化铝无机层、氧化硅无机层、氧化钛无机层中至少一种。

可选地，所述器件层包括：TFT器件层，设置在所述基板上；有机发光层，设置在所述显示区域的所述TFT器件层上。

可选地，所述基板与所述TFT器件层之间还设置有缓冲层。

可选地，所述边界区域为距离边界80-120μm的区域。

可选地，所述凹槽图案由凹槽阵列组成，所述凹槽阵列中各凹槽的横截面的形状包括以下至少之一：矩形、正方形、圆形、椭圆形、菱形。

根据本实用新型实施例，通过在器件层的边界区域形成凹槽图案，薄膜封装层覆盖该凹槽图案的一部分，其无机层与Array基板无机层搭接，有利于提高封装效果。同时由于该边界区域上刻蚀有凹槽图案，当从所述凹槽图案处进行切割时，受到凹槽的作用减少裂缝的产生，并且在产生裂缝之后由于受到凹槽阻拦，其裂缝不会向显示区域延伸。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中显示器件结构的侧视截面图；

图2为本实用新型实施例中显示器件结构的俯视图；

图3为本实用新型实施例中一种可选的显示器件结构的侧视截面图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

本实施例提供一种显示器件结构，如图1和图2所示，该显示器件结构包括：基板10、器件层20和薄膜封装层30，其中，器件层20设置在基板10上，其中，器件层20包括显示区域21和边界区域22，边界区域22刻蚀有凹槽图案221；薄膜封装层30覆盖器件层20的显示区域21，并覆盖边界区域22的凹槽图案221靠近显示区域21的一部分。凹槽图案221由凹槽阵列组成，凹槽阵列中各凹槽的横截面的形状包括以下至少之一：矩形、正方形、圆形、椭圆形、菱形。

本实施例中，基板10可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT)基板，显示区域21包括有源区(Active Area，简称为AA)。凹槽图案221可以刻蚀至基板10，也即是穿过器件层20；也可以刻蚀至器件层20的一部分，即不穿过器件层20。图1仅示出了其中凹槽图案穿过层20。

在对该显示器件进行切割时，以边界区域22作为待切割区，不接触薄膜封装层30。薄膜封装无机层覆盖该凹槽图案，与Array基板无机层搭接，有利于提高封装效果。同时由于该边界区域22上刻蚀有凹槽图案221，当从所述凹槽图案221处进行切割时，受到凹槽的作用减少裂缝的产生，并且在产生裂缝之后由于受到凹槽阻拦，其裂缝不会向显示区域21延伸。

本实施例中，当凹槽图案221刻蚀至基板10时，由于薄膜封装层30覆盖所述凹槽图案221的一部分时与基板10接触，从而增加了薄膜封装层30与基板10的粘结性，增强封装效果，这样即使多次弯折，也不会导致薄膜封装层30与基板10分离。

作为上述实施例的一种改进方案，如图3所示，本实施例中薄膜封装层30包括：无机层31，覆盖器件层20的显示区域21，并覆盖凹槽图案221靠近显示区域21的一部分；有机层32，覆盖无机层31。进一步地，有机层32仅覆盖器件层20的显示区域21上的无机层31。显然，本实施例中，有机层也可以是覆盖整个无机层，图2所示的仅是本实施例的一种可选的实施方式，并不造成任何限定。

作为一种可选的实施方式，如图3所示，有机层32上还可以再覆盖另一层无机层33，当有机层32仅覆盖器件层20的显示区域21上的无机层31时，该另一层无机层33则覆盖所有有机层32但比无机层31更靠近显示区域，这样，可以有效避免水分和氧气进入器件内部。

作为上述实施例的进一步改进方案，如图3所示，器件层20包括：TFT器件层23和有机发光层25。

TFT器件层23设置在基板10上；TFT器件层23用于TFT驱动。

对于TFT器件层23，其形成过程包括：在基板上依次沉积缓冲层、多晶硅层(PSi)、栅极绝缘层(GI)、金属电极层M1、电容绝缘层(CI)、金属电极层M2，需要说明的是，上述中PSi层、M1层、M2层在沉积完后均需要进行图案化，并在图案化之后再沉积下一层；接着，在上述TFT器件层的M2层上沉积层间绝缘层(ILD)，并进行图案化；另外，在其边界处，通过ILD层形成一定凹槽图案，凹槽图案横截面可以是矩形、圆形、正方形、椭圆形、菱形孔等等，且不限于这些图案，图案刻蚀至缓冲层；然后，在ILD层上依次沉积金属电极层M3、平坦化层(PLA)、阳极层、像素界定层、支撑柱，需要说明的是，上述金属电极层M3、平坦化层(PLA)、阳极层、像素界定层、支撑柱每一层沉积完之后，均需要进行图案化，并在图案化之后才能沉积下一层。

在TFT器件层23形成之后，在其上蒸镀OLED有机发光层25。

进一步地，基板10与TFT器件层23之间还设置有缓冲(buffer layer)层(buffer layer)40。凹槽图案221刻蚀至缓冲层40。

作为上述实施例的一种改进方案，本实施例中，无机层为氮化硅无机层、氧化铝无机层、氧化硅无机层、氧化钛无机层中至少一种。层间绝缘层也可以为氮化硅层，这样，薄膜封装层的无机层与层间绝缘层采用相同的材料，粘结性好，切割时裂缝产生的概率小。

本实用新型实施例中，边界区域为距离边界80-120μm的区域，以距离100μm的区域最优。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之中。