一种IC封装用载板的制作方法

本实用新型涉及封装用电路板领域技术，尤其是涉及一种IC封装用载板。

背景技术：

集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业，集成电路封装测试是整个产业链中的重要一环，表面贴装技术 (ＳＭＴ)是目前广泛采用的中高端封装技术，也是许多先进封装技术的基础。

方形扁平无引脚封装（Quad Flat No-lead Package，QFN）技术是一种重要的集成电路封装工艺，具有表面贴装式封装，焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感，可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上，使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线，线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极，增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题，限制了芯片和PCB板的设计自由度。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型提出了一种IC封装用载板，解决线宽设计，布线设计以及孤岛电极设计自由性的缺点，可显著增加集成电路封装I/0数，另外，通过顶电极和底电极之间的铜表面黑氧化或棕氧化，大大增强了与封装树脂材料的结合，提升封装散热能力与封装电路可靠性

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：包括有一合金铝基片，所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极，所述电镀铜层修饰有有机金属转化膜。

作为一种优选方案，所述合金铝基片优选2系铝片、3系铝片、5系铝片、6系铝片、7系铝片。

作为一种优选方案，所述种子铜层，其厚度大于5纳米，可由真空镀铜层或真空镀铜层和电镀加厚层组成。

作为一种优选方案，所述底电极优选金、镍、银、钯或其合金。

作为一种优选方案，所述电镀铜层，其厚度大于25微米。

作为一种优选方案，所述顶电极优选金、银、钯或其合金。

作为一种优选方案，所述有机金属转化膜优选棕色氧化膜或黑色氧化膜。

方案可知：

本实用新型相比于目前的QFN封装工艺，保留了原有QFN的优势，同时解决线宽设计，布线设计以及孤岛电极设计自由性的缺点，可显著增加集成电路封装I/0数，另外，通过顶电极和底电极之间的电镀铜表面黑色氧化或棕色氧化，大大增强了与封装树脂材料的结合，提升封装散热能力与封装电路可靠性。

附图说明

图1是本实用新型金属镀层结构示意图。1-合金铝基片；2-种子铜层；3-底电极；4-电镀铜层；5-顶电极。

图2 是本实用新型工艺流程图。

具体实施方式

为使本实用新型采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。

实施例1：

在3系合金铝基片1 上真空溅镀铜，得到其铜厚大于5纳米的种子铜层；在种子铜层2 上贴覆聚丙烯酸酯干膜，通过曝光图形转移，形成所需线路图形；在未覆盖聚丙烯酸酯干膜的种子铜层2 上镀3μm厚的银作为底电极3 ，在银底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ；在电镀铜层上4 再镀3μm银作为顶电极5 ，金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯干膜，将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜，按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料，最后，将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。

实施例2：

在3系合金铝基片1 上真空溅镀铜，再通过硫酸铜镀铜得到其铜厚大于5微米的种子铜层2 ；在种子铜层2 上涂覆聚丙烯酸酯湿膜，通过曝光图形转移，形成所需线路图形；在未覆盖聚丙烯酸酯湿膜的种子铜层2 上镀0.1μm厚的金，金上丙电镀15um的镍，形成底电极3 ，在底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ；在电镀铜层上4 再镀0.1μm金作为顶电极5 ，金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯湿膜，将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜，按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料，最后，将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。

实施例3：

在6系合金铝基片1 上真空溅镀铜，得到其铜厚大于5纳米的种子铜层；在种子铜层2 上贴覆聚丙烯酸酯干膜，通过曝光图形转移，形成所需线路图形；在未覆盖聚丙烯酸酯干膜的种子铜层2 上镀3μm厚的银作为底电极3 ，在银底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ；在电镀铜层上4 再镀3μm银作为顶电极5 ，金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯干膜，将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜，按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料，最后，将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。

上述内容仅为本实用新型的较佳实施例。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其它等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。