1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工作台，其进行对基板的研磨工艺；
夹紧单元，其对所述基板进行夹紧；
倾斜部，其使得所述夹紧单元相对于所述工作台选择性倾转地倾斜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述倾斜部包括：
基架；
第一伸缩部，其设置为对所述基架和所述夹紧单元进行连接，并可选择性地伸缩；
第二伸缩部，其以与所述第一伸缩部相面对的形式配置，并设置为对所述基架和所述夹紧单元进行连接且可选择性地伸缩，
将所述第一伸缩部和所述第二伸缩部的伸缩长度调节为互不相同，从而使得所述夹紧单元倾斜。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一伸缩部和所述第二伸缩部中任意一个以上在以垂直线为基准倾斜地配置的状态下得到伸缩。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，第一伸缩部包括：
多个第一电动缸，其沿着所述基架的一个边隔开地配置，并且可选择性地伸缩。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第一电动缸以同步化的形式得到操作。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二伸缩部包括：
多个第二电动缸，其沿着所述基架的另一个边隔开地配置，并且可选择性伸缩。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第二电动缸以同步化的形式得到操作。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述夹紧单元包括：
支撑架，其可通过所述倾斜部进行角度调节；
夹具，其安装于所述支撑架并对所述基板进行夹紧。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板吸附于所述夹具。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
为了能够独立地吸附所述基板，设置多个所述夹具。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述夹具对所述基板的非活动区域进行夹紧。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板从装载区域被移送至所述工作台，
在所述倾斜部使得所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，将所述基板装载于所述工作台。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，所述基板的一个边以比所述基板的其余的边更邻近于所述工作台的形式配置。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板的所述一个边沿着朝向与所述一个边相面对的所述基板的另一个边的方向依次解除因所述多个夹具而产生的对所述基板的夹紧，
随着依次解除因所述多个夹具而产生的夹紧，所述基板从所述一个边沿着朝向所述另一个边的方向逐渐装载于所述工作台。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述倾斜部在所述基板逐渐装载于所述工作台期间，逐渐减少相对于所述工作台的所述夹紧单元的倾斜角度。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个夹具设置为可相对于所述支撑架进行弹性移动。
17.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
引导部，其对相对于所述基架的所述支撑架的上下方向移动进行引导。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，所述引导部包括：
引导衬套，其安装于所述基架；
导杆，其配置为一端以可旋转的形式连接于所述支撑架，并且可沿着所述引导衬套进行直线移动。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，
所述引导部配置于所述第一伸缩部和所述第二伸缩部之间的中间位置。
20.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板从所述工作台被移送至卸载区域，
在所述倾斜部逐渐使得所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，将所述基板从所述工作台卸载。
21.根据权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
悬浮部，其使得所述基板在所述工作台悬浮。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，
所述悬浮部将流体喷射至所述基板的底面从而使得所述基板悬浮。
23.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述工作台的上面凸出形成有止动件，
所述基板配置于所述止动件的内侧。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，
所述止动件的凸出高度形成为与所述基板的厚度相同。
25.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
相对于所述工作台的所述夹紧单元的倾斜角度是0.1°～3°。
26.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板是至少一个侧边的长度大于1m的四边形基板。
27.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述工作台进行对所述基板的化学机械研磨工艺。
28.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
非接触吸附部，其对所述基板进行非接触吸附。
29.根据权利要求28所述的基板处理装置，其特征在于，
所述非接触吸附部利用因流体而产生的表面张力来对所述基板进行非接触吸附。
30.根据权利要求29所述的基板处理装置，其特征在于，所述非接触吸附部包括：
吸附板，其以隔开的形式配置于所述基板的上面；
喷嘴，其形成于所述吸附板，并且选择性地将流体喷射至所述基板和所述吸附板之间。
31.根据权利要求30所述的基板处理装置，其特征在于，
沿着所述吸附板的长度方向和宽度方向中至少任意一个以上的方向以隔开的形式形成有多个所述喷嘴。
32.根据权利要求30所述的基板处理装置，其特征在于，
所述吸附板由PVC材质形成。
33.根据权利要求32所述的基板处理装置，其特征在于，
所述吸附板形成为3～30㎜的厚度。
34.根据权利要求33所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述吸附板的上面形成有加强筋。
35.根据权利要求30所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
气缸，其使得所述吸附板沿着上下方向移动。
36.根据权利要求35所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
调节部，其对所述吸附板的水平度进行调节。
37.根据权利要求36所述的基板处理装置，其特征在于，所述调节部包括：
校平板，其固定于所述气缸并且所述吸附板安装于所述校平板；
调节部件，其对所述校平板和所述吸附板之间的间距进行调节。
38.根据权利要求28所述的基板处理装置，其特征在于，
所述非接触吸附部对所述基板的活动区域进行吸附。
39.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
通过研磨带来进行对所述基板的研磨工艺，所述研磨带通过辊子而沿着规定的路径进行旋转。
40.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
通过以接触于所述基板的状态进行自转的研磨垫来进行对所述基板的研磨工艺。
41.根据权利要求1至22中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
导轨，其沿着所述基板的移送路径配置；
导向架，其安装有所述倾斜部，并且沿着所述导轨移动。
42.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工作台，其进行对基板的研磨工艺；
夹紧单元，其对所述基板进行夹紧；
基架，其配置于所述夹紧单元的上部；
固定伸缩部，其一端固定于所述基架，其他端连接于所述夹紧单元，并且可选择性地进行伸缩；
旋转伸缩部，其以与所述固定伸缩部相面对的形式配置，并且一端以可旋转的形式安装于所述基架，其他端连接于所述夹紧单元，并可选择性地进行伸缩，
将所述固定伸缩部和所述旋转伸缩部的伸缩长度调节为互不相同，从而使得所述夹紧单元选择性地倾斜。
43.根据权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，
所述固定伸缩部以可沿着上下方向伸缩的形式固定于所述基架。
44.根据权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，
若所述固定伸缩部的伸缩长度变化，则所述旋转伸缩部得到联动，并相对于所述基架进行旋转。
45.根据权利要求43所述的基板处理装置，其特征在于，固定伸缩部包括：
多个第一电动缸，其沿着所述基架的一个边隔开地配置，并且可选择性地伸缩。
46.根据权利要求45所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第一电动缸以同步化的形式得到操作。
47.根据权利要求43所述的基板处理装置，其特征在于，所述旋转伸缩部包括：
多个第二电动缸，其沿着所述基架的另一个边隔开地配置，并且可选择性伸缩。
48.根据权利要求47所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第二电动缸以同步化的形式得到操作。
49.根据权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，所述夹紧单元包括：
支撑架，其可通过所述固定伸缩部和所述旋转伸缩部进行角度调节；
夹具，其安装于所述支撑架并对所述基板进行夹紧。
50.根据权利要求49所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板吸附于所述夹具。
51.根据权利要求50所述的基板处理装置，其特征在于，
为了能够独立地吸附所述基板，设置有多个所述夹具。
52.根据权利要求51所述的基板处理装置，其特征在于，
所述夹具对所述基板的非活动区域进行夹紧。
53.根据权利要求52所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板从装载区域被移送至所述工作台，
在所述倾斜部使得所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，将所述基板装载于所述工作台。
54.根据权利要求53所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，所述基板的一个边以比所述基板的其余的边更邻近于所述工作台的形式配置。
55.根据权利要求54所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板的所述一个边沿着朝向与所述一个边相面对的所述基板的另一个边的方向依次解除因所述多个夹具而产生的对所述基板的夹紧，
随着依次解除因所述多个夹具而产生的夹紧，所述基板从所述一个边沿着朝向所述另一个边的方向逐渐装载于所述工作台。
56.根据权利要求55所述的基板处理装置，其特征在于，
所述倾斜部在所述基板逐渐装载于所述工作台期间，逐渐减少相对于所述工作台的所述夹紧单元的倾斜角度。
57.根据权利要求55所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个夹具设置为可相对于所述支撑架进行弹性移动。
58.根据权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板从所述工作台被移送至卸载区域，
在所述倾斜部逐渐使得所述夹紧单元相对于所述工作台倾转地倾斜的状态下，将所述基板从所述工作台卸载。
59.根据权利要求58所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
悬浮部，其使得所述基板在所述工作台悬浮。
60.根据权利要求59所述的基板处理装置，其特征在于，
所述悬浮部将流体喷射至所述基板的底面从而使得所述基板悬浮。
61.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述工作台的上面凸出形成有止动件，
所述基板配置于所述止动件的内侧。
62.根据权利要求61所述的基板处理装置，其特征在于，
所述止动件的凸出高度形成为与所述基板的厚度相同。
63.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
相对于所述工作台的所述夹紧单元的倾斜角度是0.1°～3°。
64.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板是至少一个侧边的长度大于1m的四边形基板。
65.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述工作台进行对所述基板的化学机械研磨工艺。
66.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
非接触吸附部，其对所述基板进行非接触吸附。
67.根据权利要求66所述的基板处理装置，其特征在于，
所述非接触吸附部利用因流体而产生的表面张力来对所述基板进行非接触吸附。
68.根据权利要求67所述的基板处理装置，其特征在于，所述非接触吸附部包括：
吸附板，其以隔开的形式配置于所述基板的上面；
喷嘴，其形成于所述吸附板，并且选择性地将流体喷射至所述基板和所述吸附板之间。
69.根据权利要求68所述的基板处理装置，其特征在于，
沿着所述吸附板的长度方向和宽度方向中至少任意一个以上的方向以隔开的形式形成有多个所述喷嘴。
70.根据权利要求68所述的基板处理装置，其特征在于，
所述吸附板由PVC材质形成。
71.根据权利要求70所述的基板处理装置，其特征在于，
所述吸附板形成为3～30㎜的厚度。
72.根据权利要求71所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述吸附板的上面形成有加强筋。
73.根据权利要求68所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
气缸，其使得所述吸附板沿着上下方向移动。
74.根据权利要求73所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
调节部，其对所述吸附板的水平度进行调节。
75.根据权利要求74所述的基板处理装置，其特征在于，所述调节部包括：
校平板，其固定于所述气缸并且所述吸附板安装于所述校平板；
调节部件，其对所述校平板和所述吸附板之间的间距进行调节。
76.根据权利要求66所述的基板处理装置，其特征在于，
所述非接触吸附部对所述基板的活动区域进行吸附。
77.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
导轨，其沿着所述基板的移送路径配置；
导向架，其安装有所述基架，并且沿着所述导轨移动。
78.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
通过研磨带来进行对所述基板的研磨工艺，所述研磨带通过辊子而沿着规定的路径进行旋转。
79.根据权利要求42至60中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
通过以接触于所述基板的状态进行自转的研磨垫来进行对所述基板的研磨工艺。