碳碳载板圆弧面的定位硅片的制作方法

本实用新型涉及的是工业产品设计技术领域，具体涉及一种碳碳载板圆弧面的定位硅片。

背景技术：

随着光伏行业对每片电池片发电功率最大化的要求，PECVD工艺对硅片镀膜的质量要求是必须改善反镀膜的情况。

综上所述，本实用新型设计了一种碳碳载板圆弧面的定位硅片。

技术实现要素：

针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种碳碳载板圆弧面的定位硅片，对光伏行业的板式PECVD的工艺装备载板定位硅片的特征结构进行设计，使镀膜对背面的不利影响降到最低。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：碳碳载板圆弧面的定位硅片，包括载板粗限位方框、载板精限位圆弧面和载板内框，载板粗限位方框内部设置有多个载板内框，载板内框之间还设置有载板精限位圆弧面。

作为优选，所述的载板粗限位方框是在硅片外形尺寸上单边保留1mm的间隙，深度1mm±0.5；生产工程考虑多晶硅片镀膜公用载板时，载板粗限位方框会做成直角；

作为优选，所述的载板精限位圆弧面是与载板内框面重合、垂直于载板大面、载板上表面向上延伸2.5mm+2.5的直线端点为圆心，载板粗限位根部点为起点形成的圆弧面；

作为优选，所述的载板内框与同比例缩小的硅片外形尺寸吻合，在不影响载板精限位圆弧面定位硅片，可以做成直角。

本实用新型的有益效果是：利用弧面特征，实现硅片棱边与载板接触；由弧面特征和镀膜气流的作用，镀膜材料不会在硅片背面沿面扩散；提高了硅片作为电池片组件的发电功率。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型；

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的B部放大结构示意图；

图3为图1的C-C向剖视图；

图4为图3的E部放大示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

参照图1-4，本具体实施方式采用以下技术方案：碳碳载板圆弧面的定位硅片，包括载板粗限位方框1、载板精限位圆弧面2和载板内框3，载板粗限位方框1内部设置有多个载板内框3，载板内框3之间还设置有载板精限位圆弧面2。

值得注意的是，所述的载板粗限位方框1是在硅片外形尺寸上单边保留1mm的间隙，深度1mm±0.5；生产工程考虑多晶硅片镀膜公用载板时，载板粗限位方框会做成直角；

值得注意的是，所述的载板精限位圆弧面2是与载板内框面重合、垂直于载板大面、载板上表面向上延伸2.5mm+2.5的直线端点为圆心，载板粗限位根部点为起点形成的圆弧面；

此外，所述的载板内框3与同比例缩小的硅片外形尺寸吻合，在不影响载板精限位圆弧面定位硅片，可以做成直角。

本具体实施方式是对光伏行业的板式PECVD的工艺装备_载板 定位硅片的特征结构进行设计，使镀膜对背面的不利影响降到最低。利用弧面特征，实现硅片棱边与载板接触；由弧面特征和镀膜气流的作用，镀膜材料不会在硅片背面沿面扩散；提高了硅片作为电池片组件的发电功率。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。