基板处理装置的制作方法

本公开涉及基板处理装置。

背景技术：

在专利文献1中公开了如下一种液体涂布方法：在基板的旋转过程中，一边使喷出喷嘴在旋转轴与基板的周缘之间移动一边从喷出喷嘴喷出涂布液，由此在基板的表面螺旋状地涂布涂布液。

专利文献1：日本特开2016-10796号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的问题

本公开的目的在于提供有效提高涂布膜的膜厚的均匀性的基板处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：喷嘴，其向基板喷出处理液；压送部，其向所述喷嘴侧加压输送所述处理液；送液管路，其具有从所述压送部侧向所述喷嘴侧排列的第一阀和第二阀，该送液管路用于从所述压送部向所述喷嘴引导所述处理液；以及控制器，其中，所述控制器构成为执行以下动作：在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀；控制所述压送部，以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升；以及在由于所述第一阀打开而所述第一阀与所述第二阀之间的压力降低之后打开所述第二阀。

根据该基板处理装置，在第一阀与第二阀之间的压力比压送部与第一阀之间的压力高的状态下打开第一阀，因此从第一阀向压送部侧发生处理液的逆流，从而第一阀与第二阀之间的压力降低。在压送部使第一阀与第二阀之间的压力上升时，利用上述处理液的逆流来抑制处理液向第一阀与第二阀之间的急剧的流入。因此，抑制第一阀与第二阀之间的压力的急速上升。由此，在打开第二阀时抑制处理液的喷出量的过冲。因而，能够抑制由上述过冲引起的处理液的膜厚的不均，因此对提高膜厚的均匀性是有效的。

根据所述的基板处理装置，所述控制器构成为还执行以下动作：在所述第一阀和所述第二阀关闭的状态下控制所述压送部，以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低。

在该情况下能够容易地执行以下动作：每当开始喷出来自喷嘴的处理液时都在第一阀与第二阀之间的压力比压送部与第一阀之间的压力高的状态下打开第一阀。

根据所述的基板处理装置，所述压送部具有：罐，其用于收容所述处理液；加压部，其用于对所述罐内的所述处理液向所述喷嘴侧进行加压；以及第三阀，其用于释放所述罐内的压力，控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括打开所述第三阀的动作。

在该情况下，通过打开第三阀能够使压送部与第一阀之间的压力迅速地降低。由此，能够缩短压力的调整所需要的时间，来提高生产率。

根据所述的基板处理装置，控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括以下动作：控制所述加压部，使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压，所述控制器在所述压送部与所述第一阀之间的压力成为所述第一压力的状态下执行以下动作：在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀。

在该情况下，通过使打开第一阀时的压力稳定，能够提高从打开第一阀之后直到打开第二阀为止的处理液的压力推移的再现性。因而，能够稳定地发挥对于提高膜厚的均匀性的有效性。

根据所述的基板处理装置，控制所述压送部以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升的动作包括以下动作：控制所述加压部，使得在所述第二阀打开之后作用于所述处理液的压力比在所述第二阀打开之前作用于所述处理液的压力高。

在该情况下，通过利用加压部调整使第一阀与第二阀之间的压力上升的定时，能够更加可靠地抑制第一阀与第二阀之间的压力的急速上升。

根据所述的基板处理装置，所述控制器构成为还执行以下动作：在所述第一阀打开且所述第二阀关闭的状态下控制所述加压部，使得以比所述第一压力高的第二压力来对所述罐内的所述处理液进行加压；以及在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下关闭所述第一阀，在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下执行以下动作：控制所述加压部，使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压。

在该情况下，使打开第一阀时的压力在压送部与第一阀之间以及第一阀与第二阀之间稳定，由此能够进一步提高从打开第一阀之后直到打开第二阀为止的处理液的压力推移的再现性。

根据所述的基板处理装置，所述控制器构成为还执行以下动作：在所述第一阀和所述第二阀打开的状态下控制所述加压部，使得以第三压力来对所述罐内的所述处理液进行加压，所述第二压力比所述第三压力低。

在该情况下，通过抑制打开第一阀时的压力的剧变，能够进一步提高从打开第一阀之后直到打开第二阀为止的处理液的压力推移的再现性。

根据所述的基板处理装置，所述压送部还具有第四阀，该第四阀用于阻断由所述加压部施加的压力，打开所述第三阀的动作包括以下动作：将所述第三阀关闭且所述第四阀打开的状态切换为所述第四阀关闭且所述第三阀打开的状态。

在该情况下，在阻断了由加压部向罐内加压的状态下释放罐内的压力，由此能够使压送部与第一阀之间的压力进一步迅速地降低。

根据所述的基板处理装置，所述压送部具有多个压送系统，该多个压送系统各自具有所述罐、所述第三阀以及所述第四阀，所述送液管路具有与所述多个压送系统分别对应的多个所述第一阀，所述控制器构成为还执行以下动作：利用所述第一阀和所述第四阀对所述多个压送系统中的向所述喷嘴供给所述处理液的压送系统进行切换。

在该情况下，将第一阀和第四阀兼用于活动状态的压送系统的切换和处理液的喷出开始时的压力的调整，由此能够实现装置结构的简化。

根据所述的基板处理装置，还具备：旋转保持机构，其保持所述基板并使该基板进行旋转；以及喷嘴移动机构，其使所述喷嘴移动，所述控制器构成为还执行以下动作：控制所述旋转保持机构和所述喷嘴移动机构，使得通过一边使所述基板旋转一边使所述喷嘴移动来向所述基板螺旋状地涂布从所述喷嘴喷出的所述处理液。

在该情况下，执行以下动作：以向基板螺旋状地涂布处理液的方式(以下，称为“螺旋涂布方式”)来形成液膜。在螺旋涂布方式的情况下，与以利用离心力将供给到基板的旋转中心的处理液分散涂布到外周侧的方式来形成液膜的情况相比，处理液的供给量的不均易于影响膜厚的均匀性。因此，在控制器执行螺旋涂布方式的控制的情况下，能够抑制处理液的喷出量的过冲会更加有益。

根据所述的基板处理装置，控制所述旋转保持机构和所述喷嘴移动机构使得螺旋状地涂布从所述喷嘴喷出的所述处理液的动作包括以下动作：控制所述喷嘴移动机构，以使已开始喷出所述处理液的所述喷嘴从所述基板的旋转中心向外周侧移动。

在使喷嘴从基板的旋转中心侧向外周侧移动的情况下，从喷嘴开始喷出时的处理液被涂布到基板的旋转中心。因此，能够抑制处理液的喷出量的过冲会更加有益。

此外，在以螺旋方式涂布处理液的情况下，为了使膜厚的均匀性提高，期望使以基板为基准的喷嘴的移动速度固定。因此，与向基板的旋转中心供给处理液时相比，需要提高向基板的外周侧供给处理液时的基板的旋转速度。在以这种控制为前提的情况下，当为了螺旋状地涂布处理液而使喷嘴从基板的外周侧向旋转中心侧移动时，对被供给到基板的外周侧的处理液作用的离心力随着喷嘴靠近基板的旋转中心而变大。因此，已经涂布的处理液易于发生流动。与此相对地，当使喷嘴从基板的旋转中心侧向外周侧移动时，对被供给到基板的旋转中心侧的处理液作用的离心力随着喷嘴向基板的外周侧移动而变小。因此，已经涂布的处理液不易发生流动。基于这种观点，使喷嘴从基板的旋转中心侧向外周侧移动对于提高膜厚的均匀性也是有效的。

根据所述的基板处理装置，还具备液体接触检测机构，该液体接触检测机构检测从所述喷嘴喷出的所述处理液到达所述基板的情况，控制所述旋转保持机构和所述喷嘴移动机构使得螺旋状地涂布从所述喷嘴喷出的所述处理液的动作包括以下动作：控制所述喷嘴移动机构，使得在由所述液体接触检测机构检测到所述处理液的到达之后使所述喷嘴开始移动。

在该情况下，抑制由于在处理液到达基板之前喷嘴进行了移动或处理液到达基板之后喷嘴的移动延迟而发生基板的旋转中心附近的膜厚的不均。因而，能够进一步提高膜厚的均匀性。

根据所述的基板处理装置，所述压送部构成为加压输送粘度为500cP～7000cP的所述处理液。

在使用粘度为500cP～7000cP的处理液的情况下，与使用粘度比该处理液的粘度低的处理液的情况相比，对来自喷嘴的处理液的喷出量的控制易于发生响应延迟，因此喷出量易于变得不稳定。因此，能够抑制处理液的喷出量的过冲，会更加有益。

本公开的一个方面所涉及的基板处理方法，使用基板处理装置，该基板处理装置具备：喷嘴，其向基板喷出处理液；压送部，其向所述喷嘴侧加压输送所述处理液；以及送液管路，其具有从所述压送部侧向所述喷嘴侧排列的第一阀和第二阀，该送液管路用于从所述压送部向所述喷嘴引导所述处理液，该基板处理方法包括以下动作：在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀；控制所述压送部，以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升；以及在由于所述第一阀打开而所述第一阀与所述第二阀之间的压力降低之后打开所述第二阀。

根据所述的基板处理方法，还包括以下动作：在所述第一阀和所述第二阀关闭的状态下控制所述压送部，以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低。

根据所述的基板处理方法，所述压送部具有：罐，其用于收容所述处理液；加压部，其用于对所述罐内的所述处理液向所述喷嘴侧进行加压；以及第三阀，其用于释放所述罐内的压力，控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括打开所述第三阀的动作。

根据所述的基板处理方法，控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括以下动作：控制所述加压部，使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压，在所述压送部与所述第一阀之间的压力成为所述第一压力的状态下执行以下动作：在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀。

根据所述的基板处理方法，控制所述压送部以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升的动作包括以下动作：控制所述加压部，使得在所述第二阀打开之后作用于所述处理液的压力比在所述第二阀打开之前作用于所述处理液的压力高。

根据所述的基板处理方法，还包括以下动作：在所述第一阀打开且所述第二阀关闭的状态下控制所述加压部，使得以比所述第一压力高的第二压力来对所述罐内的所述处理液进行加压；以及在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下关闭所述第一阀，在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下执行以下动作：控制所述加压部，使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压。

根据所述的基板处理方法，还包括以下动作：在所述第一阀和所述第二阀打开的状态下控制所述加压部，使得以第三压力来对所述罐内的所述处理液进行加压，所述第二压力比所述第三压力低。

根据所述的基板处理方法，使用粘度为500cP～7000cP的所述处理液。

本公开的一个方面所涉及的记录介质是计算机可读记录介质，该计算机可读记录介质记录有用于使装置执行所述的基板处理方法的程序。

实用新型的效果

根据本公开，能够提供有效提高涂布膜的膜厚的均匀性的基板处理装置。

附图说明

图1是基板处理系统的立体图。

图2是沿图1中的II-II线的截面图。

图3是沿图2中的III-III线的截面图。

图4是涂布单元的示意图。

图5是处理液供给部的示意图。

图6(a)和图6(b)是液体接触检测机构的示意图。

图7是表示控制器的硬件结构的框图。

图8是表示涂布控制过程的流程图。

图9是表示正在基板上涂布处理液的状态的立体图。

图10是表示处理液的供给开始过程的流程图。

图11是表示处理液的供给停止过程的流程图。

图12是表示控制器的变形例的示意图。

图13是表示供液控制部的变形例的示意图。

图14是表示处理液的供给开始过程的变形例的流程图。

图15是表示处理液的供给停止过程的变形例的流程图。

图16是表示处理液的供给停止过程的变形例的流程图。

附图标记说明

2：涂布和显影装置(基板处理装置)；100、100A：控制器；21：旋转保持机构；22：喷嘴；23：喷嘴移动机构；40：压送部；50：送液管路；60：加压部；70：压送系统；71：罐；61：调压阀；74：阀(第三阀)；75：阀(第四阀)；53：阀(第一阀)；54：阀(第二阀)；90：液体接触检测机构。

具体实施方式

以下，参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对同一要素或具有同一功能的要素附加同一附图标记，并省略重复的说明。

〔基板处理系统〕

基板处理系统1是对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基板例如是半导体的晶圆W。感光性覆膜例如是抗蚀膜。

基板处理系统1具备涂布和显影装置2及曝光装置3。曝光装置3对晶圆W上形成的抗蚀膜进行曝光处理。具体地说，通过浸液曝光等方法向抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布和显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理之前进行在晶圆W的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。

(涂布和显影装置)

以下，作为基板处理装置的一例，说明涂布和显影装置2的结构。如图1～图3所示，涂布和显影装置2具备载置模块4、处理模块5、接口模块6以及控制器100。

载置模块4用于向涂布和显影装置2内导入晶圆W以及从涂布和显影装置2内导出晶圆W。载置模块4例如能够支承晶圆W用的多个载体11，且内置有交接臂A1。载体11例如收容圆形的多片晶圆W。交接臂A1从载体11取出晶圆W并将晶圆W传送到处理模块5，从处理模块5取得晶圆W并将晶圆W送回到载体11内。

处理模块5具有多个处理组件14、15、16、17。如图2和图3所示，处理组件14、15、16、17内置有多个液体处理单元U1、多个热处理单元U2以及用于向这些单元输送晶圆W的输送臂A3。处理组件17还内置有不经由液体处理单元U1和热处理单元U2地输送晶圆W的直接输送臂A6。液体处理单元U1将处理液涂布到晶圆W的表面。热处理单元U2例如内置有热板和冷却板，利用热板对晶圆W进行加热，利用冷却板对加热后的晶圆W进行冷却，从而进行热处理。

处理组件14利用液体处理单元U1和热处理单元U2在晶圆W的表面上形成下层膜。处理组件14的液体处理单元U1将下层膜形成用的处理液涂布到晶圆W上。处理组件14的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。

处理组件15利用液体处理单元U1和热处理单元U2来在下层膜上形成抗蚀膜。处理组件15的液体处理单元U1将抗蚀膜形成用的处理液涂布到下层膜上。处理组件15的热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成的各种热处理。

处理组件16利用液体处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。处理组件16的液体处理单元U1将上层膜形成用的处理液涂布到抗蚀膜上。处理组件16的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。

处理组件17利用液体处理单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀膜的显影处理。处理组件17的液体处理单元U1在向曝光结束的晶圆W的表面上涂布了显影液之后利用冲洗液冲洗该显影液，由此进行抗蚀膜的显影处理。处理组件17的热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例，能够列举显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘烤)等。

在处理模块5内的载置模块4侧设置有棚架单元U10。棚架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个小室。在棚架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7使晶圆W在棚架单元U10的小室之间进行升降。在处理模块5内的接口模块6侧设置有棚架单元U11。棚架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个小室。

接口模块6与曝光装置3之间进行晶圆W的交接。例如接口模块6内置有交接臂A8，来与曝光装置3连接。交接臂A8将配置于棚架单元U11的晶圆W传送到曝光装置3，从曝光装置3取得晶圆W并将晶圆W送回到棚架单元U11。

控制器100控制涂布和显影装置2，使得例如按以下过程执行涂布和显影处理。

首先，控制器100控制交接臂A1使得将载体11内的晶圆W输送到棚架单元U10，控制升降臂A7使得将该晶圆W配置于处理组件14用的小室。

接着，控制器100控制输送臂A3使得将棚架单元U10的晶圆W输送到处理组件14内的液体处理单元U1和热处理单元U2，控制液体处理单元U1和热处理单元U2使得在该晶圆W的表面上形成下层膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将形成有下层膜的晶圆W送回到棚架单元U10，控制升降臂A7使得将该晶圆W配置于处理组件15用的小室。

接着，控制器100控制输送臂A3使得将棚架单元U10的晶圆W输送到处理组件15内的液体处理单元U1和热处理单元U2，控制液体处理单元U1和热处理单元U2使得在该晶圆W的下层膜上形成抗蚀膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W送回到棚架单元U10，控制升降臂A7使得将该晶圆W配置于处理组件16用的小室。

接着，控制器100控制输送臂A3使得将棚架单元U10的晶圆W输送到处理组件16内的各单元，控制液体处理单元U1和热处理单元U2使得在该晶圆W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W送回到棚架单元U10，控制升降臂A7使得将该晶圆W配置于处理组件17用的小室。

接着，控制器100控制直接输送臂A6使得将棚架单元U10的晶圆W输送到棚架单元U11，控制交接臂A8使得将该晶圆W输送到曝光装置3。之后，控制器100控制交接臂A8使得在从曝光装置3取得被实施了曝光处理的晶圆W后将该晶圆W送回到棚架单元U11。

接着，控制器100控制输送臂A3使得将棚架单元U11的晶圆W输送到处理组件17内的各单元，控制液体处理单元U1和热处理单元U2使得对该晶圆W的抗蚀膜实施显影处理。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W送回到棚架单元U10，控制升降臂A7和交接臂A1以将该晶圆W送回到载体11内。通过以上动作，涂布和显影处理完成。

此外，基板处理装置的具体结构并不限于以上例示的涂布和显影装置2的结构。基板处理装置只要具备覆膜形成用的液体处理单元U1(处理组件14、15、16的液体处理单元U1)和能够控制该液体处理单元U1的控制器100即可。

(涂布单元)

接着，详细地说明处理组件15的液体处理单元U1。处理组件15的液体处理单元U1包括涂布单元20。如图4所示，涂布单元20具备旋转保持机构21、喷嘴22、喷嘴移动机构23以及处理液供给部30。

作为基板的一例，旋转保持机构21保持半导体的晶圆W并使其旋转。旋转保持机构21例如具有保持部24和旋转驱动部25。保持部24对以表面Wa朝上的方式水平地配置的晶圆W的中心部进行支承，例如通过真空吸附等方式来保持该晶圆W。

旋转驱动部25例如是将电动机等作为动力源的致动器，使保持部24围绕铅垂的旋转中心RC进行旋转。由此，晶圆W围绕旋转中心RC进行旋转。

喷嘴22向晶圆W喷出处理液。处理液例如是含有感光性的抗蚀剂的抗蚀液。喷嘴22配置在晶圆W的上方，朝向下方喷出处理液。

喷嘴移动机构23使喷嘴22移动。例如，喷嘴移动机构23将电动机等作为动力源，用于使喷嘴22沿着穿过旋转中心RC的水平的直线进行移动。

处理液供给部30向喷嘴22供给处理液。如图5所示，处理液供给部30具有压送部40和送液管路50。压送部40向喷嘴22侧加压输送处理液。作为一例，压送部40具有加压部60、多个压送系统70以及液体补给部80。

加压部60用于对罐71(后述)内的处理液向喷嘴22侧进行加压。例如，加压部60具有经由加压管62连接于加压源GS的调压阀61。加压源GS送出加压用的惰性气体(例如氮气)。调压阀61例如是电子阀，通过调节从加压源GS向罐71(后述)内送出的惰性气体的流量来调节罐71内的压力。

多个压送系统70各自具有罐71、阀74、75。罐71用于收容处理液。此外，罐71中收容的处理液的粘度例如可以是500cP～7000cP。即，压送部40可以构成为加压输送粘度为500cP～7000cP的处理液。罐71的上部经由加压管72连接于调压阀61。由此，能够使用加压部60对罐71内进行加压。另外，罐71的上部连接于排气管73。排气管73的端部向罐71的外部开放。

阀74(第三阀)设置于排气管73。阀74例如是空气操作阀，用于将排气管73内的流路打开和关闭。通过打开阀74，能够将罐71内的压力释放到罐71外。

阀75(第四阀)设置于加压管72。阀75例如是空气操作阀，用于将加压管72内的流路打开和关闭。通过关闭阀75，能够阻断由加压部60施加的压力。

液体补给部80向罐71供给处理液。液体补给部80具有罐81、调压阀83、过滤器87、阀88以及多个阀89。罐81收容补给用的处理液。罐81的上部经由加压管82连接于加压源GS。通过来自加压源GS的压力将罐81内的处理液经由补给管84加压输送到罐71中。补给管84具有从罐81内的底部附近延伸到罐81外的第一部分85和从第一部分85分支并与多个压送系统70的罐71分别连接的多个第二部分86。

调压阀83设置于加压管82来调节罐81内的压力。例如，调压阀83是电子阀，通过调节从加压源GS向罐81内送出的惰性气体的流量来调节罐81内的压力。

过滤器87设置于补给管84的第一部分85，用于捕集处理液中的杂质。

阀88在第一部分85被设置在罐81与过滤器87之间。阀88例如是空气操作阀，用于将第一部分85内的流路打开和关闭。通过关闭阀88，能够阻断来自罐81的处理液的送出。

多个阀89分别设置于补给管84的多个第二部分86。阀89例如是空气操作阀，用于将第二部分86内的流路打开和关闭。通过关闭阀89，能够阻断处理液向罐71内的流动。

送液管路50具有从压送部40侧向喷嘴22侧排列的阀53、54，用于从压送部40向喷嘴22引导处理液。例如，送液管路50具有多个送液管51、送液管52、多个阀53以及阀54。

多个送液管51分别引导来自多个压送系统70的罐71的处理液。多个送液管51各自从罐71的底部附近向罐71外延伸。多个送液管51在喷嘴22侧合流。送液管52从多个送液管51的合流部向喷嘴22引导处理液。

多个阀53(第一阀)分别设置于多个送液管51。即，多个阀53与多个压送系统70分别对应。阀53例如是空气操作阀，用于将送液管51内的流路打开和关闭。阀54(第二阀)设置于送液管52。阀54例如是空气操作阀，用于将送液管52内的流路打开和关闭。

如图6(a)和图6(b)所示，涂布单元20也可以还具备液体接触检测机构90。液体接触检测机构90检测从喷嘴22喷出的处理液到达晶圆W的情况。作为液体接触检测机构90的具体例，能够如图6(a)所示那样列举以下例子：具有拍摄表面Wa的表面的摄像机91，基于由摄像机91获取到的图像来检测处理液的到达。另外，还能够如图6(b)所示那样列举以下例子：具有被设置为检测晶圆W的背面的温度的温度传感器92，基于晶圆W的温度降低来检测处理液的到达。

(控制器)

涂布单元20由上述控制器100控制。以下，对用于控制涂布单元20的控制器100的结构进行说明。控制器100构成为执行以下动作：在阀54关闭且阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下，打开阀53；控制压送部40，以使由于阀53打开而降低的阀53与阀54之间的压力上升；以及在阀53与阀54之间的压力由于阀53打开而降低之后打开阀54。

控制器100也可以构成为还执行以下动作：在阀53、54关闭的状态下控制压送部40，以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低，控制器100也可以构成为还执行以下动作：利用阀53和阀75对多个压送系统70中的向喷嘴22供给处理液的压送系统70进行切换，控制器100也可以构成为还执行以下动作：控制旋转保持机构21和喷嘴移动机构23，使得通过一边使晶圆W旋转一边使喷嘴22移动来向晶圆W上螺旋状地涂布从喷嘴22喷出的处理液。

如图4所例示的那样，控制器100具有供液控制部111、旋转控制部112以及喷嘴移动控制部113来作为功能上的组件(以下，称为“功能组件”)。

供液控制部111控制处理液供给部30使得向喷嘴22供给处理液。如图5所例示的那样，供液控制部111具有喷出控制部115、加压控制部116、降压控制部117以及系统切换控制部118来作为功能组件。

喷出控制部115使阀53和阀54打开和关闭，使得切换来自喷嘴22的处理液的喷出状态。例如，喷出控制部115执行以下动作：在阀54关闭且阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53；以及在阀53与阀54之间的压力由于阀53打开而降低之后打开阀54。

加压控制部116控制压送部40使得调节罐71内的加压状态。例如，加压控制部116控制压送部40，使得压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。更为具体地说，加压控制部116控制加压部60，使得利用比阀53与阀54之间的压力低的压力对罐71内的处理液进行加压。另外，加压控制部116控制压送部40，使得由于阀53打开而降低的阀53与阀54之间的压力上升。更为具体地说，加压控制部116控制加压部60，使得在阀54打开之后作用于处理液的压力比在阀54打开之前作用于处理液的压力高。

降压控制部117将阀74、75打开和关闭，以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。例如，降压控制部117打开阀74以使罐71内的压力降低。更为具体地说，降压控制部117通过将阀74关闭且阀75打开的状态切换为阀75关闭且阀74打开的状态来使罐71内的压力降低。

系统切换控制部118利用阀53和阀75对多个压送系统70中的向喷嘴22供给处理液的压送系统70进行切换。例如，系统切换控制部118将各个压送系统70的状态切换为能够向喷嘴22供给处理液的状态(以下称为“活动状态”)或不能向喷嘴22供给处理液的状态(以下称为“非活动状态”)。在使压送系统70为非活动状态时，系统切换控制部118将该压送系统70的阀75关闭，将与该压送系统70对应的阀53关闭，在该压送系统70再次成为活动状态之前将该阀75、53设为不能开闭。在使压送系统70成为活动状态时，系统切换控制部118将该压送系统70的阀75设为能够开闭、将与该压送系统70对应的阀53设为能够开闭，使得向喷嘴22供给处理液。并且，系统切换控制部118控制液体补给部80，使得向非活动状态的压送系统70的罐71供给处理液。

返回到图4，旋转控制部112控制旋转保持机构21以使晶圆W进行旋转。

喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23以使正在喷出处理液的喷嘴22移动。例如，喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23，以使开始喷出处理液的喷嘴22从晶圆W的旋转中心RC向外周侧移动。在涂布单元20具备上述液体接触检测机构90的情况下，喷嘴移动控制部113也可以控制喷嘴移动机构23，使得在由液体接触检测机构90检测到处理液的到达之后使喷嘴22开始移动。

控制器100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制器100具有图7所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、存储器122、存储单元123、输入输出端口124以及计时器125。

输入输出端口124用于与调压阀61及阀53、54、74、75、89等之间进行电信号的输入输出。计时器125例如通过对固定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。存储单元123例如具有硬盘等能够由计算机读取的记录介质。记录介质记录有用于使涂布单元20执行后述的基板处理过程的程序。记录介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘以及光盘等能够取出的介质。存储器122暂时存储从存储单元123的记录介质下载的程序以及处理器121的运算结果。处理器121通过与存储器122协作地执行上述程序来构成上述各功能组件。

此外，控制器100的硬件结构未必限于利用程序构成各功能组件的结构。例如控制器100的各功能组件也可以由专用的逻辑电路或将该逻辑电路集成得到的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。

〔基板处理过程〕

接着，作为基板处理方法的一例，对涂布单元20与控制器100的控制相应地执行的处理液涂布过程进行说明。

(处理液涂布过程)

如图8所示，控制器100首先执行步骤S01。在步骤S01中，旋转控制部112控制旋转保持机构21，使得利用保持部24从下方保持晶圆W的中央部，该晶圆W被输送臂A3搬入涂布单元20内并以表面Wa朝上的方式水平地配置。

接着，控制器100执行步骤S02。在步骤S02中，旋转控制部112控制旋转保持机构21，使得开始利用旋转驱动部25使保持部24和晶圆W旋转。

接着，控制器100执行步骤S03。在步骤S03中，喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23，使得将喷嘴22配置在初始位置(开始供给处理液的位置)。例如，初始位置是晶圆W的旋转中心RC的铅垂上方。此外，控制器100也可以在执行步骤S02之前执行步骤S03。

接着，控制器100执行步骤S04。在步骤S04中，供液控制部111控制处理液供给部30，使得开始从喷嘴22向晶圆W的表面Wa供给处理液。对步骤S04中的具体的处理内容后文叙述。

接着，控制器100执行步骤S05。在步骤S05中，喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23，以使喷嘴22开始向外周侧移动。在涂布单元20具备上述液体接触检测机构90的情况下，喷嘴移动控制部113也可以控制喷嘴移动机构23，使得在由液体接触检测机构90检测到处理液的到达之后使喷嘴22开始移动。

如图9所示，从喷嘴22喷出的处理液随着晶圆W的旋转和喷嘴22的移动而被螺旋状地涂布到晶圆W的表面Wa。之后，旋转控制部112和喷嘴移动控制部113也可以分别控制由旋转保持机构21保持的晶圆W的旋转速度和利用喷嘴移动机构23移动的喷嘴22的移动速度，使得以晶圆W为基准的、喷嘴22相对的移动速度固定。此外，此处的固定是指实质上的固定，是指处于由构造上的原因和控制上的原因等导致的误差的范围内。

返回到图8，控制器100接着执行步骤S06。在步骤S06中，供液控制部111等待完成向表面Wa涂布处理液。例如，供液控制部111等待喷嘴22在表面Wa到达要涂布处理液的范围的最外周。

接着，控制器100执行步骤S07。在步骤S07中，供液控制部111控制处理液供给部30，使得停止从喷嘴22向晶圆W的表面Wa供给处理液。后文叙述步骤S07中的具体的处理内容。

接着，控制器100执行步骤S08。在步骤S08中，喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23以使喷嘴22停止移动。例如，喷嘴移动控制部113控制喷嘴移动机构23，以使喷嘴22移动到从晶圆W的表面Wa上退避的位置处停止。

接着，控制器100执行步骤S09。在步骤S09中，旋转控制部112控制旋转保持机构21，以使由旋转驱动部25带动的保持部24和晶圆W的旋转停止。

接着，控制器100执行步骤S10。在步骤S10中，旋转控制部112解除由保持部24对晶圆W进行的保持，以变为能够利用输送臂A3搬出晶圆W的状态。之后，输送臂A3从涂布单元20内搬出晶圆W。通过以上步骤，处理液涂布过程完成。

此外，上述的过程是一例，只要是能够在晶圆W的表面Wa上涂布处理液的过程，就能够适当地变更。例如，在步骤S03中，也可以将晶圆W的周缘的铅垂上方设为初始位置，在步骤S05～S07中，也可以控制喷嘴移动机构23以使喷嘴22向晶圆W的旋转中心RC侧移动。另外，也可以在步骤S05～S07中不使喷嘴22移动，而是控制旋转保持机构21使得利用离心力将被供给到晶圆W的旋转中心RC的处理液分散涂布到晶圆W的外周侧。

(处理液供给开始过程)

以下，详述步骤S04中的处理液的供给开始过程。此外，在紧挨着执行步骤S04之前，将多个压送系统中的任一个压送系统设为上述活动状态，将其它压送系统70设为非活动状态。以下，将活动状态的压送系统70的罐71和阀74、75简称为“罐71”和“阀74、75”，将与活动状态的压送系统70对应的阀53简称为“阀53”。

在紧挨着执行步骤S04之前，阀53、54、74、75均关闭，从而阀53与阀54之间的压力(以下，将其称为“待机压力”)比压送部40与阀53之间的压力高。待机压力与从喷嘴22喷出处理液时的罐71内的压力(以下，将其称为“喷出压力”)相等或为该喷出压力以下。

如图10所示，控制器100首先执行步骤S21、S22。在步骤S21中，喷出控制部115打开阀75。在步骤S22中，加压控制部116控制调压阀61，以使罐71内的压力为比阀53与阀54之间的压力(上述待机压力)低的压力(以下，将该压力称为“制定压力”)。制定压力(第一压力)例如为上述喷出压力的80％以下，也可以为上述喷出压力的60％以下。

接着，控制器100执行步骤S23。在步骤S23中，喷出控制部115打开阀53。在紧挨着步骤S23之前，压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。因此，当阀53打开时，阀53与阀54之间的处理液向压送部40侧流动(以下，将该情况称为“处理液的逆流”)，从而阀53与阀54之间的压力降低。

接着，控制器100执行步骤S24。在步骤S24中，喷出控制部115等待经过规定时间。将规定时间优化，使得抑制来自喷嘴22的处理液的喷出开始时的喷出量的过冲。能够通过事先的条件限定或模拟等来适当设定该规定时间。

接着，控制器100执行步骤S25。在步骤S25中，加压控制部116控制调压阀61，以使罐71内的压力从上述制定压力上升至上述喷出压力(第三压力)。

随着罐71内的压力的上升，发生从罐71向阀54侧的处理液的流动。该流动由于上述的处理液的逆流而减弱，因此抑制处理液向阀53与阀54之间急剧地流入。因而，阀53与阀54之间的压力平缓地上升。

接着，控制器100执行步骤S26。在步骤S26中，喷出控制部115打开阀54。由此，开始喷出来自喷嘴22的处理液。

此外，上述的过程是一例，只要包括以下过程就能够适当地进行变更，这些过程是指：在阀54关闭且阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53；控制压送部40以使由于阀53打开而降低的阀53与阀54之间的压力上升；以及在阀53与阀54之间的压力由于阀53打开而降低之后打开阀54。

例如，控制器100也可以在执行步骤S25之前执行步骤S26。即，也可以在加压控制部116控制调压阀61以将罐71内的压力从制定压力变更为喷出压力之前，喷出控制部115打开阀54。

另外，控制器100也可以在执行步骤S21、S22之前执行步骤S23、S24。即，喷出控制部115也可以在打开阀53并经过了规定时间之后打开阀75。在该情况下，通过打开阀75，能够使阀53与阀54之间的压力上升，因此控制器100也可以不执行步骤S22、S25。

(处理液供给停止过程)

以下，详述步骤S07中的处理液的供给停止过程。如图11所示，控制器100首先执行步骤S31。在步骤S31中，喷出控制部115关闭阀53、54、75。由此，停止来自喷嘴22的处理液的喷出，停止向晶圆W的表面Wa供给处理液。以下的过程相当于对下次的处理液的供给进行准备的准备过程。

接着，控制器100执行步骤S32。在步骤S32中，降压控制部117打开阀74。由此，罐71内的压力被释放，压送部40与阀53之间的压力变得比阀53与阀54之间的压力低。

接着，控制器100执行步骤S33。在步骤S33中，降压控制部117等待经过规定时间。优化规定时间以使压送部40与阀53之间的压力充分地降低。能够通过事先的条件限定或模拟等来适当设定该规定时间。

接着，控制器100执行步骤S34。在步骤S34中，降压控制部117关闭阀74。之后，保持为压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。

接着，控制器100执行步骤S35。在步骤S35中，系统切换控制部118确认是否需要向当前为活动状态的压送系统70(以下，称为“活动系统”)的罐71补给处理液。例如系统切换控制部118确认罐71中的处理液的剩余量是否低于下次的处理液的供给中的需要量。

在步骤S35中判定为需要向活动系统的罐71补给处理液的情况下，控制器100执行步骤S36。在步骤S36中，系统切换控制部118对活动系统进行切换。即，系统切换控制部118对多个压送系统70中的活动状态的压送系统70进行切换。例如，系统切换控制部118将活动状态的压送系统70的阀75及与该压送系统70对应的阀53设为不能开闭。由此，该压送系统70成为非活动状态。另外，系统切换控制部118将非活动状态的压送系统70的阀75及与该压送系统70对应的阀53设为能够开闭。由此，该压送系统70成为活动状态。

接着，控制器100执行步骤S37。在步骤S37中，系统切换控制部118控制液体补给部80，使得向在步骤S36中为非活动状态的压送系统70的罐71补给处理液。例如，系统切换控制部118打开与在步骤S36中为非活动状态的压送系统70的罐71对应的阀89和阀88。由此，从罐81向罐71补给处理液。通过以上步骤，处理液的供给停止过程完成。

在步骤S35中判定为不需要向活动系统的罐71补给处理液的情况下，控制器100不执行步骤S36、S37就完成处理液的供给停止过程。

〔变形例〕

以下，说明控制器的变形例。图12是表示控制器的变形例的示意图。图12所示的控制器100A在以下方面与控制器100不同。

i)控制器100A在控制压送部40以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低时，控制加压部60使得以比阀53与阀54之间的压力低的第一压力来对罐71内的处理液进行加压。

ii)控制器100A构成为还执行以下动作：在阀53打开、阀54关闭的状态下控制加压部60，使得以比第一压力高的第二压力来对罐71内的处理液进行加压；以及在阀53与阀54之间的压力成为第二压力的状态下关闭阀53，在阀53与阀54之间的压力成为第二压力的状态下执行以下动作：控制加压部60，使得以比阀53与阀54之间的压力低的第一压力来对罐71内的处理液进行加压。

iii)控制器100A构成为还执行以下动作：在阀53和阀54打开的状态下控制加压部60，使得以第三压力来对罐71内的处理液进行加压。上述第二压力比第三压力低。

如图12所例示的那样，控制器100A具有供液控制部111A、旋转控制部112以及喷嘴移动控制部113来作为功能组件。旋转控制部112和喷嘴移动控制部113与控制器100相同。

供液控制部111A控制处理液供给部30使得向喷嘴22供给处理液。如图13所例示的那样，供液控制部111A具有喷出控制部115、加压控制部116A、系统切换控制部118、第一调压控制部119A以及第二调压控制部119B来作为功能组件。喷出控制部115和系统切换控制部118与供液控制部111相同。

第一调压控制部119A在阀53和阀54关闭的状态下控制压送部40，以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。例如第一调压控制部119A打开阀74以使罐71内的压力降低。更为具体地说，第一调压控制部119A通过将阀74关闭且阀75打开的状态切换为阀75关闭且阀74打开的状态来使罐71内的压力降低。之后，第一调压控制部119A控制加压部60，使得以上述第一压力来对罐71内的处理液进行加压。

第二调压控制部119B执行以下动作：在阀53打开而阀54关闭的状态下控制加压部60，使得以上述第二压力来对罐71内的处理液进行加压；以及在阀53与阀54之间的压力成为第二压力的状态下关闭阀53。

加压控制部116A控制压送部40，以使由于喷出控制部115打开阀53而降低的阀53与阀54之间的压力上升。例如，加压控制部116A控制加压部60，使得在阀54打开之后作用于处理液的压力比在阀54打开之前作用于处理液的压力高。另外，加压控制部116A在阀53和阀54打开的状态下控制加压部60，使得以上述第三压力来对罐71内的处理液进行加压。

(处理液供给开始过程)

接着，作为处理液供给开始过程的变形例，说明由控制器100A执行的处理液供给开始过程。

如图14所示，控制器100A首先执行步骤S41、S42。在步骤S41中，与步骤S21同样地，喷出控制部115打开阀75。在步骤S42中，第一调压控制部119A控制调压阀61，以使罐71内的压力为比阀53与阀54之间的压力(上述待机压力)低的第一压力(上述制定压力)。

接着，控制器100A执行步骤S43。在步骤S43中，与步骤S23同样地，喷出控制部115打开阀53。

接着，控制器100A执行步骤S44。在步骤S44中，与步骤S24同样地，喷出控制部115等待经过规定时间。

接着，控制器100A执行步骤S45。在步骤S45中，加压控制部116A控制调压阀61，以使罐71内的压力从上述第一压力上升至上述第三压力(上述喷出压力)。

接着，控制器100A执行步骤S46。在步骤S46中，与步骤S26同样地，喷出控制部115打开阀54。由此，开始喷出来自喷嘴22的处理液。之后，加压控制部116A控制调压阀61，以使罐71内的压力维持为第三压力。即，加压控制部116A在阀53和阀54打开的状态下控制加压部60，使得以第三压力来对罐71内的处理液进行加压。

(处理液供给停止过程)

接着，作为处理液供给停止过程的变形例，说明由控制器100A执行的处理液供给停止过程。

如图15和图16所示，控制器100A首先执行步骤S51。在步骤S51中，与步骤S31同样地，喷出控制部115关闭阀53、54、75。

接着，控制器100A执行步骤S52。在步骤S52中，第二调压控制部119B打开阀74。由此，罐71内的压力被释放，压送部40与阀53之间的压力变得比阀53与阀54之间的压力低。

接着，控制器100A执行步骤S53。在步骤S53中，第二调压控制部119B等待经过规定时间。将规定时间优化，以使压送部40与阀53之间的压力充分地降低。能够通过事先的条件限定或模拟等来适当设定该规定时间。

接着，控制器100A执行步骤S54。在步骤S54中，第二调压控制部119B关闭阀74。

接着，控制器100A执行步骤S55。在步骤S55中，第二调压控制部119B打开阀53和阀75。

接着，控制器100A执行步骤S56。在步骤S56中，第二调压控制部119B控制调压阀61，以使罐71内的压力为比上述第一压力高的上述第二压力。此外，控制器100A也可以在步骤S55之前开始进行步骤S56中的调压控制。

接着，控制器100A执行步骤S57。在步骤S57中，第二调压控制部119B关闭阀53和阀75。

接着，控制器100A执行步骤S58。在步骤S58中，第一调压控制部119A打开阀74。由此，罐71内的压力再次被释放，压送部40与阀53之间的压力变得比阀53与阀54之间的压力低。

接着，控制器100A执行步骤S59。在步骤S59中，第一调压控制部119A等待经过规定时间。将规定时间优化，以使压送部40与阀53之间的压力充分地降低。能够通过事先的条件限定或模拟等来适当设定该规定时间。

接着，控制器100A执行步骤S60。在步骤S60中，第一调压控制部119A关闭阀74。

接着，控制器100A执行步骤S61、S62、S63。步骤S61、S62、S63与步骤S35、S36、S37相同。通过以上步骤，处理液的供给停止过程完成。

〔本实施方式的效果〕

如以上所说明的那样，涂布和显影装置2具备：喷嘴22，其向晶圆W喷出处理液；压送部40，其向喷嘴22侧加压输送处理液；送液管路50，其具有从压送部40侧向喷嘴22侧排列的阀53、54，该送液管路50用于从压送部40向喷嘴22引导处理液；以及控制器100。控制器100构成为执行以下动作：在阀54关闭且阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53；控制压送部40以使由于阀53打开而降低的阀53与阀54之间的压力上升；以及在由于阀53打开而阀53与阀54之间的压力降低之后打开阀54。

根据涂布和显影装置2，在阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53，因此从阀53向压送部40侧发生处理液的逆流，从而阀53与阀54之间的压力降低。在压送部40使阀53与阀54之间的压力上升时，利用上述处理液的逆流来抑制处理液向阀53与阀54之间的急剧的流入。因此，抑制阀53与阀54之间的压力的急速上升。由此，在打开阀54时抑制处理液的喷出量的过冲。因而，能够抑制由上述过冲引起的处理液的膜厚的不均，因此对提高膜厚的均匀性有效。

控制器100也可以构成为还执行以下动作：在阀53、54关闭的状态下控制压送部40，以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低。在该情况下能够容易地执行以下动作：每当开始喷出来自喷嘴22的处理液时都在阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53。

压送部40具有：罐71，其用于收容处理液；加压部60，其用于对罐71内的处理液向喷嘴22侧进行加压；以及阀74，其用于释放罐71内的压力，控制压送部40以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低的动作也可以包括打开阀74的动作。在该情况下，通过打开阀74，能够使压送部40与阀53之间的压力迅速地降低。由此，能够缩短压力的调整所需要的时间，来提高生产率。

控制压送部40以使压送部40与阀53之间的压力比阀53与阀54之间的压力低的动作也可以包括以下动作：控制加压部60使得以比阀53与阀54之间的压力低的第一压力来对罐71内的处理液进行加压，控制器100也可以在压送部40与阀53之间的压力成为第一压力的状态下执行以下动作：在阀54关闭且阀53与阀54之间的压力比压送部40与阀53之间的压力高的状态下打开阀53。在该情况下，由于使打开阀53时的压力稳定，能够提高从打开阀53之后到打开阀54为止的处理液的压力推移的再现性。因而，能够更加稳定地发挥对于提高膜厚的均匀性的有效性。

控制压送部40，以使由于阀53打开而降低的阀53与阀54之间的压力上升的动作也可以包括以下动作：控制加压部60，使得在阀54打开之后作用于处理液的压力比在阀54打开之前作用于处理液的压力高。在该情况下，利用加压部60调整使阀53与阀54之间的压力上升的定时，由此能够更加可靠地抑制阀53与阀54之间的压力的急速上升。

如设为控制器100A所例示的那样，控制器100构成为还执行以下动作：在阀53打开而阀54关闭的状态下，控制加压部60使得以比第一压力高的第二压力来对罐71内的处理液进行加压；以及在阀53与阀54之间的压力成为第二压力的状态下关闭阀53，也可以在阀53与阀54之间的压力成为第二压力的状态下执行以下动作：控制加压部60，使得以比阀53与阀54之间的压力低的第一压力来对罐71内的处理液进行加压。在该情况下，通过使打开阀53时的压力在压送部40与阀53之间以及阀53与阀54之间这两方均稳定，能够进一步提高从打开阀53之后到打开阀54为止的处理液的压力推移的再现性。

控制器100也可以构成为还执行以下动作：在阀53和阀54打开的状态下控制加压部60，使得以第三压力来对罐71内的处理液进行加压，第二压力也可以比第三压力低。在该情况下，通过抑制打开阀53时的压力的剧变，能够进一步提高从打开阀53之后到打开阀54为止的处理液的压力推移的再现性。

压送部40还具有用于阻断由加压部60施加的压力的阀75，打开阀74的动作也可以包括以下动作：将阀74关闭且阀75打开的状态切换为阀75关闭且阀74打开的状态。在该情况下，在阻断了由加压部60向罐71内加压的状态下释放罐71内的压力，由此能够使压送部40与阀53之间的压力进一步迅速地降低。

压送部40也可以具有多个压送系统70，多个压送系统70各自具有罐71和阀74、75，送液管路50也可以具有与多个压送系统70分别对应的多个阀53。控制器100也可以构成为还执行以下动作：利用阀53和阀75对多个压送系统70中的活动状态的压送系统70进行切换。在该情况下，通过将阀53和阀75兼用于活动状态的压送系统70的切换和处理液的喷出开始时的压力的调整，能够实现装置结构的简化。

涂布单元20也可以还具备：旋转保持机构21，其保持晶圆W并使该晶圆W进行旋转；以及喷嘴移动机构23，其使喷嘴22移动。控制器100也可以构成为还执行以下动作：控制旋转保持机构21和喷嘴移动机构23，使得通过一边使晶圆W旋转一边使喷嘴22移动来向晶圆W螺旋状地涂布从喷嘴22喷出的处理液。在该情况下执行以下动作：以向晶圆W螺旋状地涂布处理液的方式(以下，称为“螺旋涂布方式”)来形成液膜。在螺旋涂布方式的情况下，与以利用离心力将供给到晶圆W的旋转中心RC的处理液分散涂布到外周侧的方式来形成液膜的情况相比，处理液的供给量的不均易于影响膜厚的均匀性。因此，在控制器100执行螺旋涂布方式的控制的情况下，能够抑制处理液的喷出量的过冲会更加有益。

控制旋转保持机构21和喷嘴移动机构23使得螺旋状地涂布从喷嘴22喷出的处理液的动作也可以包括以下动作：控制喷嘴移动机构23，以使开始喷出处理液的喷嘴22从晶圆W的旋转中心RC向外周侧移动。

在使喷嘴22从旋转保持机构21的旋转中心RC侧向外周侧移动的情况下，从喷嘴22开始喷出时的处理液被涂布到晶圆W的旋转中心RC。因此，能够抑制处理液的喷出量的过冲会更加有益。

此外，在以螺旋方式涂布处理液的情况下，为了提高膜厚的均匀性，期望使以晶圆W为基准的喷嘴22的移动速度固定。因此，与向晶圆W的旋转中心RC供给处理液时相比，需要提高向晶圆W的外周侧供给处理液时的晶圆W的旋转速度。在以这种控制为前提的情况下，当为了螺旋状地涂布处理液而使喷嘴22从晶圆W的外周侧向旋转中心RC侧移动时，对被供给到晶圆W的外周侧的处理液作用的离心力随着喷嘴22靠近晶圆W的旋转中心RC而变大。因此，已经涂布的处理液易于发生流动。与此相对地，当使喷嘴22从旋转保持机构21的旋转中心RC侧向外周侧移动时，对被供给到晶圆W的旋转中心RC侧的处理液作用的离心力随着喷嘴22向晶圆W的外周侧移动而变小。因此，已经涂布的处理液不易发生流动。基于这种观点，使喷嘴22从晶圆W的旋转中心RC侧向外周侧移动对于提高膜厚的均匀性也是有效的。

涂布单元20也可以还具备液体接触检测机构90，该液体接触检测机构90检测从喷嘴22喷出的处理液到达晶圆W的情况，控制旋转保持机构21和喷嘴移动机构23使得螺旋状地涂布从喷嘴22喷出的处理液的动作也可以包括以下动作：控制喷嘴移动机构23，使得在由液体接触检测机构90检测到处理液的到达之后使喷嘴22开始移动。在该情况下，抑制由于在处理液到达晶圆W之前喷嘴22进行了移动或者在处理液到达晶圆W之后喷嘴22的移动延迟而发生晶圆W的旋转中心RC附近的膜厚的不均。因而，能够进一步提高膜厚的均匀性。

压送部40也可以构成为加压输送粘度为500cP～7000cP的处理液。在使用粘度为500cP～7000cP的处理液的情况下，与使用粘度比该粘度低的处理液的情况相比，在对来自喷嘴22的处理液的喷出量的控制上易于发生响应延迟，因此喷出量易于变得不稳定。因此，能够抑制处理液的喷出量的过冲会更加有益。

以上，对实施方式进行了说明，但本实用新型未必限定于上述实施方式，在不脱离本实用新型的要旨的范围内能够进行各种变更。上述涂布过程的适用对象未必限于抗蚀液的涂布单元，如果是在基板的表面形成处理液的液膜的装置，则能够应用于任何装置。作为处理对象的基板并不限于半导体晶圆，例如也可以是玻璃基板、掩模基板，FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。