1.发光二极管，包括：
发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；
透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；
保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；
第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延层的上表面还设有第二电极区，所述第二电极区形成台面，露出所述第二半导体层的部分表面，所述保护层同时覆盖所述台面的表面并形成第四开口结构。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：还包括第二电极，其形成于所述保护层上，包含焊盘和扩展条，所述扩展条的部分上表面高于所述第一电极在焊盘区的上表面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，所述第一电极在所述焊盘区同时与所述第一半导体层和透明导电层接触。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口为环状结构，所述环状的内圈直径小于所述第一开口的直径，外圈直径大于所述第一开口的直径。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极在所述扩展区的上表面呈高、低起伏状。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述焊盘区的周围形成若干个第五开口，露出所述透明导电层，所述第一电极在焊盘区引出若干金属触角至所述第五开口，与所述透明导电层接触。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口呈环状，至少含有一个向远离所述焊盘区方向延伸的触角，所述第一电极通过所述触角与所述透明导电层接触。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层的厚度d为λ/4n×(2k-1)，其中λ为所述发光层的发光波长，n为保护层的折射率，k为1以上的自然数。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘呈台阶状。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极在所述扩展区的部分上表面高出其在焊盘区的上表面。