技术总结
本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。
技术研发人员：林素慧;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;陈功;张家宏;彭康伟
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
文档号码：201721332593
技术研发日：2017.10.16
技术公布日：2018.04.20