一种紧靠型的高频DDR连接器的制作方法

本实用新型涉及高频DDR连接器，具体公开了一种紧靠型的高频DDR连接器。

背景技术：

DDR(Double Data Rate，双倍速率同步动态随机存储器)，严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，即DDR内存，与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，数据传输率达到单数据速率的两倍。

随着科技不断进步，传输速率的要求不断提高，DDR内存不断向高频化改良，对应地，DDR连接器也需要实现高频化才能够与高频DDR内存匹配，实现信号的高速传输。高频DDR内存与高频DDR连接器的信号传输还通过非接触信号传输实现，现有技术中，弹臂端子是高频DDR连接器与高频DDR内存实现信号交换的部分，传统弹臂端子的导接部大部分区域都远离DDR内存设置，导致非接触信号传输效果差，形成阻抗大、回波损耗、插入损耗和串扰等问题，导致信号传输失真、损耗大。

技术实现要素：

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种紧靠型的高频DDR连接器，设置紧靠的结构，能够有效提高非接触信号传输的效果，信号传输的保真效果好。

为解决现有技术问题，本实用新型公开一种紧靠型的高频DDR连接器，包括连接器壳体，连接器壳体中设有插槽，插槽的两侧安装有若干弹臂端子，弹臂端子从下至上依次包括焊接部、支承部、导接部和针尖部；

导接部与支承部通过第一弯折部固定连接，第一弯折部从下往上向靠近插槽的一侧弯折，第一弯折部的长度为a，导接部的长度为b，b>2a，导接部的中心向靠近插槽的一侧弯曲，导接部与插槽边缘的最大水平间距为d，d≤0.3mm，针尖部的横截面积小于导接部的横截面积。

进一步的，焊接部与支承部垂直设置。

进一步的，焊接部位于远离插槽的一侧。

进一步的，导接部顶端与导接部中心的水平间隔为D1，D1<0.3mm，导接部底端与导接部中心的水平间隔为D2，D2<0.2mm。

进一步的，针尖部与导接部通过第二弯折部固定连接。

进一步的，第二弯折部从下往上向远离插槽的一侧弯折。

本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种紧靠型的高频DDR连接器，设置紧靠的结构，将导接部各的部分靠近插槽设置，能够有效提高非接触信号传输的效率，减少损耗、串扰，信号传输的保真效果好，同时针尖部小型化设置，能够有效减少信号从针尖部丢失，从而进一步减小损耗，提高信号传输效果。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图。

图2为本实用新型在高频DDR内存插入状态下的剖面结构示意图。

图3为本实用新型中弹臂端子的立体结构示意图。

图4为本实用新型中弹臂端子的主视结构示意图。

附图标记为：连接器壳体10、插槽11、弹臂端子20、焊接部21、支承部22、第一弯折部221、导接部23、针尖部24、第二弯折部241、高频DDR内存30。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

参考图1至图4。

本实用新型实施例公开一种紧靠型的高频DDR连接器，包括连接器壳体10，连接器壳体10中设有插槽11，插槽11的两侧安装有若干弹臂端子20，优选地，连接壳体10为绝缘塑胶壳体，能够有效防止内部的弹片端子20与其他部件发生短路，弹臂端子20从下至上依次包括焊接部21、支承部22、导接部23和针尖部24；

导接部23与支承部22通过第一弯折部221固定连接，第一弯折部221从下往上向靠近插槽11的一侧弯折，第一弯折部221的长度为a，导接部23的长度为b，b>2a，优选地，b＝4a，第一弯折部221的水平高度低于插槽11底部的水平高度，能够有效提高导接部23整体与插槽11相对的面积，导接部23的中心向靠近插槽11的一侧弯曲，能够有效提确保弹臂端子20整体的弹性，导接部23与插槽11边缘的最大水平间距为d，d≤0.3mm，针尖部24的横截面积小于导接部23的横截面积，优选地，针尖部24的横截面积等于二分之一导接部23的横截面积。

焊接部21与PCB板电连接，将高频DDR内存30插入插槽11中，高频DDR内存30将两侧的弹臂端子20压向两侧，相应的，插槽11两侧的弹臂端子20将高频DDR内存30夹紧，导接部23弯曲的中心与高频DDR内存30接触，通过导接部23与高频DDR内存30实现信号交换，导接部23与高频DDR内存30的平均间距很小，非接触信号能够更加高效地往返于导接部23和高频DDR内存30之间，非接触信号传输的速率高，针尖部24的横截面积小于导接部23的横截面积，能够有效减少信号从针尖部24发射出去。

本实用新型设置紧靠的结构，将导接部23各的部分靠近插槽11设置，能够有效提高非接触信号传输的效率，减少损耗、串扰，信号传输的保真效果好，同时针尖部24小型化设置，能够有效减少信号从针尖部24丢失，从而进一步减小损耗，提高信号传输效果。

基于上述实施例，焊接部21与支承部22垂直设置，能够有效提高焊接部21与支承部22之间的稳固性，焊接部21位于远离插槽11的一侧，能够有效提高焊接部21对整个DDR连接器的稳固效果。

为进一步提高非接触信号传输的效率，基于上述实施例，导接部23顶端与导接部23中心的水平间隔为D1，D1<0.3mm，导接部23底端与导接部23中心的水平间隔为D2，D2<0.2mm，能够显著提高非接触信号传输的效果，同时能够确保导接部23的弹性，确保导接部23能够将高频DDR内存30夹紧。

基于上述实施例，针尖部24与导接部23通过第二弯折部241固定连接，优选地，第二弯折部241从下往上向远离插槽11的一侧弯折，能够确保导接部23凸出于弹臂端子20的整体，提高导接部23将高频DDR内存30夹紧的效果，同时确保针尖部24作为天线提高信号传输的质量。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。