本实用新型涉及对液体或被净化物体进行附加处理的装置领域，具体涉及一种硅片表面清洗装置。
背景技术：
硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低。单晶硅绒面的制备是生产太阳能电池片的必要工序，利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。在制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
现有的清洗装置一般需要将硅片放入清洗框内，硅片与清洗框接触的部位难以清洗干净，使得洗完的硅片表面上留有污斑，造成硅片局部清洗不干净的现象，从而影响硅片的质量。也有部分清洗装置设置了多个尖端在支撑硅片，以减少与硅片的接触面积，但是这就容易使得硅片表面被划伤。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种硅片表面清洗装置，该装置在对硅片进行清洗时，可以减少硅片的划伤而且清洗效果好。
为达到上述目的，本实用新型的基础方案如下：硅片表面清洗装置，包括盛有清洗液的清洗槽，还包括清洗框、连杆、第一伞齿轮、第二伞齿轮和曲轴，所述清洗框位于清洗槽内，所述清洗框由底网和四个隔网构成，所述底网的横截面为正弦波形，所述清洗槽侧部设有电机，所述电机的输出轴与曲轴连接，所述曲轴的曲轴颈与连杆的一端转动连接，连杆另一端与清洗框上部转动连接，所述曲轴的连杆轴颈与第一伞齿轮固定连接，所述第一伞齿轮与第二伞齿轮啮合，所述第二伞齿轮连接有搅拌轴，所述搅拌轴连接有搅拌叶片，所述搅拌叶片位于清洗液内。
采用本基础方案时，将待清洗的硅片放置在清洗框内，并确保清洗框浸没在清洗液内。底网的横截面为正弦波线，则底网的与硅片的接触面积变小，使得硅片与清洗液的接触面积变大，而且底网的横截面为正弦波形，则硅片与底网接触时不会对硅片造成划伤。启动电机，电机驱动曲轴转动。因为连杆一端与曲轴的曲轴颈转动连接，连杆的另一端与清洗框连接。则在电机驱动曲轴转动时，清洗框在曲轴和连杆的作用下会带动硅片上下移动，与清洗槽内的清洗也产生相对运动，利于硅片的清洗。因为第一伞齿轮与第二伞齿轮啮合，曲轴在转动时，会通过第一伞齿轮与第二伞齿轮带动搅拌轴转动，搅拌轴转动会带动搅拌叶片转动对清洗也进行搅拌，使清洗液转动。清洗液的转动配合硅片的上下移动，使清洗液对硅片有较强的冲击，清洗效果更好。
优选方案一：作为基础方案的优选方案，所述清洗槽内设有温度传感器，在对硅片进行清洗时，需要保证清洗液的温度，而温度传感器方便对清洗液的温度进行检测。
优选方案二：作为优选方案一的优选方案，所述清洗槽底部设有加热结构，方便对清洗液进行加热。
优选方案三：作为基础方案的优选方案，所述清洗槽内设有Ph检测器，清洗槽内应是碱性环境，需要控制清洗槽内的Ph值，而Ph检测器可以实时检测清洗槽内的Ph值。
优选方案四：作为基础方案的优选方案，所述隔网的截面为正弦波形，避免隔网对硅片造成划伤。
附图说明
图1是本实用新型硅片表面清洗装置实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
说明书附图中的附图标记包括：清洗槽1、清洗框2、底网3、隔网4、连杆5、曲轴颈6、连杆轴颈7、第一伞齿轮8、第二伞齿轮9、搅拌轴10、搅拌叶片11、电机12、温度传感器13。
实施例基本如附图1所示：硅片表面清洗装置，包括盛有清洗液的清洗槽1，还包括清洗框2、连杆5、第一伞齿轮8、第二伞齿轮9和曲轴，清洗框2位于清洗槽内，清洗框2由底网3和四个隔网4构成，底网3的横截面为正弦波形，隔网4的截面为正弦波形。清洗槽侧部设有电机12，电机12的输出轴与曲轴连接，曲轴的曲轴颈6与连杆5的一端转动连接，连杆5另一端与清洗框2上部转动连接，曲轴的连杆轴颈7与第一伞齿轮8固定连接，第一伞齿轮8与第二伞齿轮9啮合，第二伞齿轮9连接有搅拌轴10，搅拌轴10连接有搅拌叶片11，搅拌叶片11位于清洗液内。
将待清洗的硅片放置在清洗框2内，并确保清洗框2浸没在清洗液内。底网3的横截面为正弦波线，则底网3的与硅片的接触面积变小，使得硅片与清洗液的接触面积变大，而且底网3的横截面为正弦波形，则硅片与底网3接触时不会对硅片造成划伤。启动电机12，电机12驱动曲轴转动。因为连杆5一端与曲轴的曲轴颈6转动连接，连杆5的另一端与清洗框2连接。则在电机12驱动曲轴转动时，清洗框2在曲轴和连杆5的作用下会带动硅片上下移动，与清洗槽内的清洗也产生相对运动，利于硅片的清洗。因为第一伞齿轮8与第二伞齿轮9啮合，曲轴在转动时，会通过第一伞齿轮8与第二伞齿轮9带动搅拌轴10转动，搅拌轴10转动会带动搅拌叶片11转动对清洗也进行搅拌，使清洗液转动。清洗液的转动配合硅片的上下移动，使清洗液对硅片有较强的冲击，清洗效果更好。
清洗槽内设有温度传感器13，本实施例中的温度传感器13为TR/02010温度传感器13。在对硅片进行清洗时，需要保证清洗液的温度，而温度传感器13方便对清洗液的温度进行检测。清洗槽底部设有加热结构，方便对清洗液进行加热。清洗槽内设有Ph检测器，清洗槽内应是碱性环境，需要控制清洗槽内的Ph值，而Ph检测器可以实时检测清洗槽内的Ph值。
以上所述的仅是本实用新型的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本实用新型的保护范围，这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。