一种晶圆传送装置及半导体设备的制作方法

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆传送装置及半导体设备。

背景技术：

晶圆处理制程是半导体制造工艺中的重要环节，而晶圆处理制程主要包括清洗、氧化、沉积、微影、蚀刻、离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。

在进行上述工艺过程中，有时需要多个工艺腔共同完成晶圆工艺(例如AMAT RTO_DPN设备)，此时就需要晶圆传送装置对晶圆进行传送或缓存；而现有晶圆传送装置一般为单层单手臂结构，一次只能传送或缓存一个晶圆，可见，现有晶圆传送装置大大增加了工艺时间，同时降低了工艺产量。

鉴于此，有必要设计一种新的晶圆传送装置及半导体设备用以解决上述技术问题。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆传送装置及半导体设备，解决了现有晶圆传送装置工艺时间较长、工艺产量较低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆传送装置，所述晶圆传送装置包括：驱动机构，固定于所述驱动机构上的至少一层安装机构，固定于所述安装机构上的至少一个传送臂组，与所述传送臂组电性连接的控制器，及固定于所述传送臂组上的托盘；其中，所述传送臂组有伸缩、升降及旋转的自由度。

优选地，所述驱动机构包括动力机构，及固定于所述动力机构上的传动机构，其中，所述传动机构有旋转的自由度，或所述传动机构有旋转及升降的自由度。

优选地，所述传送臂组包括第一传送臂和第二传送臂，所述第一传送臂和所述第二传送臂均包括固定于所述安装机构上的前段传送臂，及与所述前段传送臂连接的后段传送臂；其中，所述第一传送臂和所述第二传送臂通过控制器有伸缩的自由度，或所述第一传送臂和所述第二传送臂通过控制器有伸缩及升降的自由度。

优选地，所述托盘通过连接机构安装于所述传送臂组上。

优选地，所述安装机构上固定的所述传送臂组的数量为2个，且2个所述传送臂组对称设于所述安装机构两侧。

优选地，所述安装机构的数量为2层。

本实用新型还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括：

缓冲腔，所述缓冲腔包括缓冲腔室，及设于所述缓冲腔室上的至少一个窗口；及

设于所述缓冲腔室内、如上述任一项所述的晶圆传送装置。

优选地，所述半导体设备还包括：设于所述窗口外、且通过所述窗口与所述缓冲腔室贯通的工艺腔。

如上所述，本实用新型的一种晶圆传送装置及半导体设备，具有以下有益效果：本实用新型通过设置一多层多手臂晶圆传送装置，不仅增加了晶圆传送或缓存的数量，降低了工艺时间，提高了工艺产能；而且通过将所述晶圆传送装置设置为可伸缩、旋转及升降的机构，大大提高了其使用的灵活性。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一所述晶圆传送装置的结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例二所述半导体设备的结构示意图。

元件标号说明

100 半导体设备

10 晶圆传送装置

11 驱动机构

111 动力机构

112 传动机构

12 安装机构

13 传送臂组

131 第一传送臂

1311 前段传送臂

1312 后段传送臂

132 第二传送臂

14 托盘

20 缓冲腔

21 缓冲腔室

22 窗口

30 工艺腔

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1和图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

实施例一

如图1所示，本实施例提供一种晶圆传送装置，所述晶圆传送装置10包括：驱动机构11，固定于所述驱动机构11上的至少一层安装机构12，固定于所述安装机构12上的至少一个传送臂组13，与所述传送臂组13电性连接的控制器，及固定于所述传送臂组13上的托盘14；其中，所述传送臂组13有伸缩、升降及旋转的自由度。

作为示例，如图1所示，所述驱动机构11包括动力机构111，及固定于所述动力机构111上的传动机构112，其中，所述传动机构112通过所述动力机构111有旋转的自由度，或所述传动机构112通过所述动力机构111有旋转及升降的自由度。

优选地，在本实施例中，所述动力机构111包括电机，所述传送机构112包括轴承，所述电机带动所述轴承进行旋转及升降操作，进而带动所述安装机构进行旋转及升降操作。

优选地，如图1所示，在本实施例中，所述安装机构12的数量为2层，其中，2层所述安装机构12均为柱状结构，且2层所述安装机构12堆叠放置。

作为示例，如图1所示，所述传送臂组13包括第一传送臂131和第二传送臂132，所述第一传送臂131和所述第二传送臂132均包括固定于所述安装机构12上的前段传送臂1311，及与所述前段传送臂1311连接的后段传送臂1312；其中，所述第一传送臂131和所述第二传送臂132通过控制器有伸缩的自由度，或所述第一传送臂131和所述第二传送臂132通过控制器有伸缩及升降的自由度。

优选地，在本实施例中，所述安装机构12上固定的所述传送臂组13的数量为2个，且2个所述传送臂组13对称设于所述安装机构12两侧，以便于所述传送臂组13进行伸缩操作。

作为示例，所述托盘14通过连接机构安装于所述传送臂组13上。优选地，在本实施例中，所述连接机构包括螺钉。

实施例二

如图2所示，本实施例提供了一种半导体设备，所述半导体设备100包括：

缓冲腔20，所述缓冲腔20包括缓冲腔室21，及设于所述缓冲腔室21上的至少一个窗口22；及

设于所述缓冲腔室21内、如实施例一所述的晶圆传送装置10。

作为示例，如图2所示，所述半导体设备100还包括：设于所述窗口22外、且通过所述窗口22与所述缓冲腔室21贯通的工艺腔30。

需要说明的是，所述窗口与所述工艺腔一一对应，即一个窗口对应一个工艺腔，其中，所述工艺腔通过窗口与所述缓冲腔室贯通。

优选地，如图2所示，在本实施例中，所述缓冲腔20包括4个窗口，所述工艺腔30的数量也为4个。

下面请参阅图2对本实施例所述半导体设备及晶圆传送装置的工作过程进行详细说明。

当晶圆在某一工艺腔内进行完相应工艺步骤处理后，利用所述晶圆传送装置可进行旋转、升降或伸缩操作，通过一传送臂组及托盘将晶圆从该工艺腔中抓取出来，缓存在所述缓冲腔室内或放入下一工艺腔内；并通过另一传送臂组及托盘将缓存在所述缓冲腔室内或从上一工艺腔内抓取的晶圆放入该工艺腔内，以进行相应工艺步骤处理。

综上所述，本实用新型的一种晶圆传送装置及半导体设备，具有以下有益效果：本实用新型通过设置一多层多手臂晶圆传送装置，不仅增加了晶圆传送或缓存的数量，降低了工艺时间，提高了工艺产能；而且通过将所述晶圆传送装置设置为可伸缩、旋转及升降的机构，大大提高了其使用的灵活性。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。