晶舟以及炉管的制作方法

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶舟以及炉管。

背景技术：

半导体制造工艺涉及到进行多次的光刻工艺、刻蚀工艺和成膜工艺等，可在半导体晶圆上形成各种结构的半导体器件。其中，成膜工艺普遍通过在炉管中采用热氧化法或化学气相沉积等形成膜层，使得炉管等产品应用广泛。

在半导体制造工艺中，各种膜层的成膜需要使得炉管制程必不可少，炉管制程通过将晶圆放在晶舟上面送达高温区，并通过化学反应长出一层高品质的薄膜。在这个升温乃至长膜的过程中，控制particle污染问题至关重要。在炉管制程晶舟送达过程中，晶圆放在晶舟上与晶舟的支撑架紧密接触，由于环境温度和腔体温度的剧烈变化，会导致晶圆在晶舟上发生剧烈的抖动，由于这种剧烈的抖动会产生摩擦，再加上热效应的原因，很容易产生Particle，落在下方的晶圆上，从面可能造成晶圆表面产生出晶舟的支撑架形状的缺陷，严重影响产出晶圆的良率。

因此，如何通过晶舟降低制程中的缺陷是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种晶舟以及炉管，以解决现有技术中的晶舟造成缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种晶舟，所述晶舟包括立柱和设置在所述立柱上的支撑架，所述支撑架用于支撑晶圆，所述支撑架包括倾斜向下的支撑斜面以及设置在所述支撑斜面上的凸起，所述凸起低于所述支撑斜面支撑晶圆的位置。

优选的，在所述晶舟中，所述支撑架上设置有定位槽，所述定位槽用于确定晶圆位置。

优选的，在所述晶舟中，所述凸起具有弧形的表面。

优选的，在所述晶舟中，所述支撑架倾斜的夹角小于30°。

优选的，在所述晶舟中，所述凸起的长度为1mm～10mm。

优选的，在所述晶舟中，所述立柱的数量为3个。

优选的，在所述晶舟中，所述晶舟还包括上盖，所述上盖设置在所述立柱上。

优选的，在所述晶舟中，所述上盖通过可拆卸的方式与所述立柱连接。

优选的，在所述晶舟中，所述晶舟还包括把手，所述把手设置在所述上盖上和/或所述立柱上。

本实用新型还提供一种炉管，所述炉管包括上述晶舟和炉腔，所述晶舟设置在所述炉腔内。

本实用新型提供的晶舟以及炉管，通过支撑架倾斜向下的支撑斜面来支撑晶圆，使晶圆与支撑架的接触面积较小，从而使摩擦发生的面积减小，减少颗粒物的产生，并在低于支撑斜面支撑晶圆的位置设置有凸起，从而防止由于摩擦产生的颗粒物掉落到下面的晶圆上，有效的减少晶舟造成的缺陷，提高了生产的良率。

附图说明

图1是本实用新型实施例的晶舟的剖面结构示意图；

图2是本实用新型实施例的晶舟的支撑架的剖面结构放大示意图；

图3是本实用新型实施例的晶舟的另一剖面结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

如图1和图2所示，本实用新型提供一种晶舟，所述晶舟包括立柱10和设置在所述立柱10上的支撑架20，所述支撑架20用于支撑晶圆30，所述支撑架20包括倾斜向下的支撑斜面21以及设置在所述支撑斜面21上的凸起22，所述凸起22低于所述支撑斜面21支撑晶圆30的位置。

为了确保晶圆位置，所述支撑架20上设置有定位槽23，所述定位槽23用于确定晶圆位置，也就是可以将晶圆30放置在定位槽23上，具体的，定位槽23可设置在支撑斜面21上，当多片晶圆放置在晶舟内时，可通过定位槽23使所有晶圆的位置相互平行，使晶圆在相关工艺是处于相互平等的环境设置中，并防止在抖动等移动发生时晶圆的位置发生较大的倾斜等。其中，在同一水平高度，由多个支撑架支撑一片晶圆，在垂直方向上，可通过不同水平高度的支撑架实现支撑多片晶圆。

在本实施例中，所述凸起22具有弧形的表面，弧形的表面即为圆形或椭圆形等有一定弧度的表面，防止直角由于磕碰产生的损伤等，确保晶圆在放置过程的安全。对于支撑斜面21的表面并不要求为平面，即支撑斜面21可以为弯曲的倾斜面等其它形貌，均能起到同样的作用，由于实际与晶圆接触只是中间一点的位置，从而使得摩擦产生的颗粒物会留在支撑斜面21上，同时相对于平行于晶圆的支撑方式，倾斜的表面与晶圆的接触面积非常小，只是接触到晶圆的晶边，也不会产生其它不良影响。可以理解的是，凸起低于支撑斜面支撑晶圆的位置是实现阻挡摩擦产生的颗粒物向下掉落，低于支撑斜面支撑晶圆的位置即是指在水平位置上位于支撑斜面较低的一侧区域，凸起的位置是相对于支撑晶圆的位置设置的，在低于支撑晶圆的位置的区域上设置的凸起都能起到作用。在具体的实施方式中，凸起的位置关系可体现在低于定位槽所在位置。

从结构上，所述支撑架20倾斜的夹角小于30°，支撑架20倾斜的夹角为相对于水平位置也就是晶圆平面，例如，采用的夹角为10°、15°、20°、25°或30°，通过小角度的夹角减小支撑架在垂直方向上的体积，增加晶舟的空间利用率。

在尺寸上，所述凸起22的长度为1mm～10mm，凸起22可挡住晶圆在与支撑架接触时产生的颗粒物，从而可防止颗粒物向下方掉落，凸起22是相对于倾斜斜面21的，凸起22的长度指垂直于斜面21的表面的最高点形成的长度(由于弧形表面等需要取最高点)，凸起22需要在支撑斜面21靠下的一侧，靠下的一侧指在垂直位置位于较低位置的一侧上，也就是在支撑架20的下方形成可阻挡颗粒物下落的凸起20，较佳的可将凸起设置在支撑架20最下方，具体的凸起22可采用1mm、3mm、5mm、8mm或10mm等高度，可根据需要选择。

如图3所示，所述立柱10的数量为3个，通过3个立柱10实现3个支撑架20较为稳定的支撑晶圆。可以理解的是，立柱10的数量必为多个才能使立柱10上的支撑架20起到支撑作用，支撑架20在同一立柱10上的数量即实现支撑晶圆的数量并不做限制，多个立柱10上同一高度的支撑架20是对应设置的，在附图1和3中的剖面结构示意图是在不同的角度并为了便于观察理解，图1为纵向剖面的侧视图，图3为横向剖面的俯视图，其中晶圆30使用虚线表示可采用任意晶圆，并去除了其它公知的部分，具体的尺寸比例等数量关系应该以实际运用中的为准。

进一步的，所述晶舟还包括上盖，所述上盖设置在所述立柱10上，上盖即设置在晶舟的方向，通过上盖可以起到防止颗粒物掉落到晶舟内以及可以起到一定的防护作用。

可选的，所述上盖通过可拆卸的方式与所述立柱10连接，可拆卸的方式包括螺纹连接、卡扣连接或铰链连接等，通过可拆卸的方式可方便的实现晶舟的清洁等不同需要。

可选的，所述晶舟还包括把手，所述把手设置在所述上盖上和/或所述立柱上，设置在上盖或立柱上的把手可使晶舟方便的被提起，可通过把手为了方便晶舟的转移，把手既可以是方便人工搬运的把手，也可是方便机械手臂等对应的机构类把手。

本实用新型还提供一种炉管，所述炉管包括上述晶舟和炉腔，所述晶舟设置在所述炉腔内。将上述晶圆配置在炉管内，从而解决炉管制程中在支撑架附近容易出现的颗粒物缺陷。

本实用新型提供的晶舟在炉腔内的炉管制程中，通过倾斜的支撑面以及凸起可以显著的减少支撑架附近由于颗粒物向下掉落而产生的不良，支撑架的支撑斜面起支撑时，晶圆与支撑架接触部分在晶圆的晶边，实际接触面积很小，接触时摩擦产生的颗粒物会落在支撑斜面上并被凸起阻挡住，从而减小颗粒物污染，提高生产的良率。

本实用新型提供的晶舟以及炉管，通过支撑架倾斜向下的支撑斜面来支撑晶圆，使晶圆与支撑架的接触面积较小，从而使摩擦发生的面积减小，减少颗粒物的产生，并在低于支撑斜面支撑晶圆的位置设置有凸起，从而防止摩擦产生的颗粒物掉落到下面的晶圆上，有效的减少晶舟造成的缺陷，提高了生产的良率。

上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。