1.一种宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
包括印刷电路基板，印制在印刷电路基板正面上的印制导体，能够接收光谱的波长范围不小于350nm且不大于1100nm的第一光电传感芯片，能够接收光谱的波长范围不小于900nm且不大于1800nm的第二光电传感芯片，以及用透光绝缘材料制成的封装体；
第一光电传感芯片和第二光电传感芯片分别电连接印制导体；封装体将第一光电传感芯片和第二光电传感芯片裹覆封装在印刷电路基板上。
2.根据权利要求1所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
所述印制导体包括互相绝缘的第一导体和第二导体；
第一导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的P极，第二导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的N极；
或者，第一导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的N极，第二导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的P极。
3.根据权利要求1所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
所述印制导体包括互相绝缘的第三导体、第四导体、第五导体和第六导体；
第一光电传感芯片的P极和N极中的一个电极电连接第三导体，另一个电极电连接第四导体；第二光电传感芯片的P极和N极中的一个电极电连接第五导体，另一个电极电连接第六导体。
4.根据权利要求1所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
还包括印制在印刷电路基板上的至少一屏蔽印制导体；
印制导体和屏蔽印制导体互相绝缘；
在印刷电路基板正面，屏蔽印制导体围绕印制导体设置；在印刷电路基板背面，屏蔽印制导体覆盖印刷电路基板背面。
5.根据权利要求2所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
借助金属导线，第一导体分别电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的P极，借助导电贴合工艺，第二导体分别电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的N极；
或者，借助金属导线，第一导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的N极，借助导电贴合工艺，第二导体电连接第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的P极。
6.根据权利要求4所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
在封装体的覆盖第一光电传感芯片和第二光电传感芯片的外表面上，还覆盖有一层用导体或者半导体材料制成的屏蔽体；
该屏蔽体与屏蔽印制导体电连接。
7.根据权利要求4或者6所述的宽光谱接收范围的光电传感器，其特征在于：
所述印制导体包括互相绝缘的第一导体和第二导体；
第一导体呈细条状；
第二导体包括电连接在一起的第一芯片导电基底面和第二芯片导电基底面；第一芯片导电基底面和第二芯片导电基底面都呈平面状；
在印刷电路基板的正面的屏蔽印制导体呈弯折至少一次的折线条状；
第一导体和第二导体位于屏蔽印制导体的折线所围成平面内；
第一光电传感芯片设置平面状的第一平面电极，以及以引脚或者导电结点形式存在的第一端点电极；第一光电传感芯片的N极和P极中的一个作为第一平面电极，另一个作为第一端点电极；
第二光电传感芯片设置平面状的第二平面电极，以及以引脚或者导电结点形式存在的第二端点电极；第二光电传感芯片的N极和P极中的一个作为第二平面电极，另一个作为第二端点电极；
借助金属导线，第一端点电极和第二端点电极分别电连接第一导体；借助导电贴合工艺，第一平面电极贴合电连接第一芯片导电基底面，第二平面电极贴合电连接第二芯片导电基底面；从而第一光电传感芯片电连接第一导体和第二导体，第二光电传感芯片电连接第一导体和第二导体。