1.一种沟槽功率MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单元（6），所述MOS器件单元（6）进一步包括位于有源区中源极（1）和栅极（2），有源区外围设有终端保护结构（3），所述栅极（2）自上而下包含栅电极金属层（8）、绝缘介质层（9）、绝缘栅氧化层（10）、P型掺杂层（11）、N型外延层（12）以及N型衬底（13）；
在栅电极金属层（8）下方的绝缘介质层（9）上开有接触孔（17），栅电极金属层（8）从该接触孔（17）中向下延伸至导电多晶硅（16）顶部，并与导电多晶硅（16）直接相连；所述导电多晶硅（16）淀积于沟槽（15）中，在栅电极金属层（8）下方设有沟槽（15），该沟槽（15）位于P型掺杂层（11），沟槽（15）底部伸入N型外延层（12），沟槽（15）内壁表面生长有绝缘栅氧化层（10），沟槽（15）内淀积有导电多晶硅（16），从而形成沟槽型导电多晶硅（14）；
其特征在于：相邻MOS器件单元（6）之间的P型掺杂层（11）、N型外延层（12）内具有一轻掺杂N型锥形深阱部（18）和重掺杂N型阱接触区（19），此轻掺杂N型锥形深阱部（18）的上端延伸至绝缘介质层（9）的下表面，所述轻掺杂N型锥形深阱部（18）的下端嵌入N型外延层（12）内，所述重掺杂N型阱接触区（19）位于N型外延层（12）内，所述轻掺杂N型锥形深阱部（18）下端与重掺杂N型阱接触区（19）上表面接触，所述轻掺杂N型锥形深阱部（18）的深度与沟槽（15）的深度比例为10：（8~12）。
2.根据权利要求1所述的沟槽功率MOS器件，其特征在于：所述轻掺杂N型锥形深阱部（18）上端开口宽度与下端开口宽度比例为10：（2~4）。
3.根据权利要求1所述的沟槽功率MOS器件，其特征在于：所述轻掺杂N型锥形深阱部（18）的侧壁与底部的夹角为100°~130°。