技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置，包括两相对设置的侧壁，每一侧壁沿竖直方向设置有上层支架和下层支架，所述上层支架用于放置去胶前的晶圆，所述下层支架用于放置去胶后的晶圆；还包括设置于所述上层支架与下层支架之间的隔板，且所述隔板的两相对端分别与两侧壁连接，以隔离所述上层支架与所述下层支架。本实用新型从根本上避免了去胶前晶圆与去胶后晶圆之间的交叉污染，在增强晶圆品质的同时，也提高了晶圆的生产效率。
技术研发人员：梁倪萍;陈伏宏;刘家桦
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.12.26
技术公布日：2018.06.29